Патенты автора Андреева Татьяна Геннадьевна (RU)
Изобретение может быть использовано для создания микроплат СВЧ диапазона длин волн с переходными металлизированными отверстиями (МПО). Технический результат - расширение технологических возможностей способа изготовления микроплат с МПО, уменьшение электрического сопротивления и увеличение надежности соединений в микроплатах. Достигается тем, что в способе изготовления микроплат с МПО, включающем лазерное формирование отверстий в подложке из керамики, очистку подложки, металлизацию отверстий и двухстороннее напыление проводящих слоев, гальваническое осаждение слоев металлов и формирование топологического рисунка методом фотолитографического травления, сначала на подложку с лицевой стороны наносят защитный поглощающий слой суспензии на основе оксида алюминия. Лазером прошивают отверстия, очищают подложку и проводят в одном вакуумном технологическом цикле металлизацию отверстий и одновременно напыление проводящих слоев ванадия и меди на лицевую и обратную стороны подложки методом магнетронного распыления. Формируют топологический рисунок путем создания маски из негативного фоторезиста на двух сторонах подложки методом вытягивания и гальванического осаждения в окна маски слоев меди и золота с последующим травлением слоев ванадия и меди со свободного поля поверхности микроплаты. 2 з.п. ф-лы, 1 ил.
Изобретение относится к области автоматики и магнитометрии и может быть использовано при изготовлении датчиков для определения положения движущихся объектов, магнитометров, электронных компасов для систем навигации и т.д. Технический результат: повышение разрешающей способности за счет повышения стабильности выходного сигнала и повышение технологичности изготовления датчика за счет сокращения числа операций процесса его изготовления. Сущность: способ включает изготовление моста Уинстона путем последовательного вакуумного напыления на подложку слоев FeNi(FeNiCo), Та, FeNi(FeNiCo) и последующего фотолитографического травления, изготовление двух пленочных катушек индуктивности «set/reset» и «offset» путем напыления проводящих слоев и последующего фотолитографического травления, нанесение изоляции между мостом Уинстона и катушками индуктивности, нанесение конструктивной защиты. При изготовлении моста Уинстона на слой Та за один цикл откачки вакуумной камеры напыляют слой Cu, а затем слой FeNi(FeNiCo) с образованием структуры FeNi(FeNiCo)-Ta-Cu-FeNi(FeNiCo), из которой путем фотолитографического травления через совмещенный фотошаблон сначала формируют контур моста Уинстона с рисунком проводящего слоя, включающим полоски, перемычки, проводники и контактные площадки, а затем через другой фотошаблон формируют магниторезистивные полоски и полюса Барбера с образованием топологии моста Уинстона с магниторезистивными полосками из FeNi(FeNiCo)-Ta и полюсами Барбера из Cu-FeNi(FeNiCo). 3 ил.
Изобретение относится к области автоматики и магнитометрии. Способ изготовления магниторезистивного датчика заключается в формировании на изолирующей подложке моста Уинстона путем вакуумного напыления магниторезистивной структуры с последующим формированием магниторезистивных полосок методом фотолитографического травления и напылении первого проводящего слоя с последующим формированием перемычек, проводников и контактных площадок методом фотолитографического травления, нанесении первого изоляционного слоя из полиимида с последующей его имидизацией в вакууме, напылении второго проводящего слоя и формировании на нем плоской катушки индуктивности «set/reset» методом фотолитографического травления, нанесении второго изоляционного слоя из полиимида с последующей его имидизацией в вакууме, напылении третьего проводящего слоя и формировании на нем плоской катушки индуктивности «offset» методом фотолитографического травления, нанесении конструктивной защиты с последующим вскрытием контактных площадок первого проводящего слоя,при этом проводящие слои получают путем вакуумного напыления структуры Cr-Cu-Cr, которую травят послойно и селективно, а на контактных площадках, находящихся на первом проводящем слое, дополнительно формируют пленку Al путем его напыления на датчик после нанесения конструктивной защиты с последующим фотолитографическим травлением. Изобретения способа лбеспечивает повышение технических характеристик: повышение удельной чувствительности, уменьшение разбаланса и снижение стоимости датчика. 3 ил.
Изобретение относится к области изготовления микросхем и может быть использовано для изготовления многоуровневых тонкопленочных гибридных интегральных схем и анизотропных магниторезистивных преобразователей
Изобретение относится к области магнитометрии и может быть использовано при изготовлении датчиков перемещений, устройств измерения электрического тока и магнитных полей, при изготовлении датчиков угла поворота, устройств с гальванической развязкой, магнитометров, электронных компасов и т.п
