Патенты автора Гуминов Владимир Николаевич (RU)
Изобретение относится к области полупроводниковой промышленности, в частности к интегральным микросхемам гальванической развязки, предназначенным для коммутации тока силовых реле в системах с резервированием систем управления, в частности, для аппаратуры ракетно-космической техники. Интегральная микросхема гальванической развязки содержит вход гальванической развязки и контактную площадку земли входа, связанные с блоком формирования высокочастотного синусоидального сигнала, который через спиральный трансформатор связан с выпрямителем. К выпрямителю подключен выход управления затвором внешнего силового МОП-транзистора и контактная площадка земли выхода, между которыми подключен высокоомный резистор для сброса потенциала затвора внешнего силового МОП-транзистора. Интегральная микросхема выполнена в виде пленочной интегральной микросхемы на подложке из сапфира. Способ изготовления интегральной микросхемы гальванической развязки включает в себя нанесение на сапфировую подложку пленки кремния и ее последующую обработку с формированием элементов интегральной микросхемы. На сапфировой подложке одновременно формируют входную и выходную части микросхемы, которые выполняют изолированными друг от друга с возможностью индукционного взаимодействия через спиральный трансформатор, при этом во входной части микросхемы формируют вход гальванической развязки и контактную площадку земли входа, которые соединяют с блоком формирования высокочастотного синусоидального сигнала, выходную часть микросхемы снабжают выпрямителем, соединенным с выходом управления затвором внешнего силового МОП-транзистора и с контактной площадкой земли выхода. Техническим результатом изобретения является уменьшение габаритов интегральной микросхемы гальванической развязки при повышении показателей ее надежности и радиационной стойкости. 2 н. и 8 з.п. ф-лы, 5 ил.
Изобретение относится к полупроводниковой промышленности, в частности к интегральным микросхемам, и может быть использовано преимущественно для защиты от воздействия разрядов статического электричества выводов и шин питания кристаллов комплементарных МОП микросхем, изготовленных на кремниевых пластинах n-типа проводимости, в частности на пластинах КЭФ-4,5. Устройство защиты от разрядов статического электричества выводов питания комплементарных МОП (металл-окисел-полупроводник) интегральных схем на кремниевых пластинах с проводимостью n-типа содержит вывод контактной площадки (1) отрицательного питания (-Еп), подключенный к электродам внутренней схемы (10), катоду первого диода (7) и аноду второго диода (9), катод которого подключен к выводу контактной площадки (2) земли (▼) или положительного питания, который соединен с электродами внутренней схемы (10), при этом согласно изобретению устройство содержит МОП-транзистор (5), электрод подложки которого, сформированный «Р-карманом», подключен к аноду первого диода (7), затвор МОП-транзистора (5), являющийся верхней обкладкой емкости конденсатора (3) к шине земли и выводу контактной площадки (2), подключен через высокоомный резистор (8) к аноду первого диода (7), первый сток-истоковый электрод МОП-транзистора (5) через низкоомный резистор (4) подключен к выводу контактной площадки (2), второй исток-стоковый электрод МОП-транзистора (5) через низкоомный резистор (6) подключен к выводу контактной площадки (1) и электродам внутренней схемы (10). Технический результат изобретения заключается в том, чтобы исключить возникновение большой разности потенциалов (более 15 вольт) между шинами источников питания и земли и обеспечить быстрое пропускание тока (более 2 ампер) без повреждения подзатворного диэлектрика охранного шунтирующего транзистора при воздействии разряда статического электричества до 3500 вольт, при этом цепи протекания тока должны обладать минимально возможным сопротивлением. 6 з.п. ф-лы, 3 ил.
Изобретение относится к области полупроводниковой промышленности, в частности к диодам Шоттки, и может быть использовано при создании микросхем радиочастотной идентификации в диапазоне частот сканирующего электромагнитного поля СВЧ-диапазона. Способ изготовления диода Шоттки включает формирование области N-типа внутри подложки P-типа, формирование разделительных областей двуокиси кремния на подложке P-типа и области N-кармана, формирование в области N-кармана области с более низкой концентрацией примеси, формирование высоколегированных областей P+-типа на подложке P-типа и высоколегированных областей N+-типа в области N-кармана, осаждение слоя межслойной изоляции с последующей термообработкой, фотокопию вскрытия окон к области с более низкой концентрацией примеси, на которую напыляется слой Pt с последующей термообработкой, стравливание слоя Pt с областей вне зоны анода диода Шоттки, вскрытие контактных окон к P+-областям и N-областям, напыление слоя Al+Si и проведение фотолитографии по металлизации с последующей термообработкой. Изобретение позволяет получить низкобарьерный диод Шоттки с высокочастотными характеристиками и большим пробивным напряжением. Способ изготовления диода Шоттки может быть интегрирован в базовый технологический процесс изготовления КМОП-интегральных микросхем. 2 н. и 7 з.п. ф-лы, 7 ил.
Изобретение относится к полупроводниковой промышленности
Изобретение относится к интегральным микросхемам радиочастотных идентификационных устройств
