Патенты автора Ширшнев Павел Сергеевич (RU)
Устройство фотовольтаики // 2728247
Изобретение относится к составам покрытий полупроводниковых материалов и решает задачу увеличения эффективности захвата излучения солнечной батареей на длинах волн 440±10 нм и в диапазоне от 900 до 1700 нм. Устройство фотовольтаики содержит кремниевый слой р-типа проводимости с подключенным первым электродом, слой n-типа проводимости, представляющий собой оксид металла, к которому подключен второй электрод и частицы наноструктурированного серебра, при этом согласно изобретению слой р-типа проводимости выполнен из аморфного кремния, между слоем оксида металла, к которому подключен второй электрод, и слоем р-типа проводимости расположен слой аморфного кремния n-типа проводимости, частицы наноструктурированного серебра размером 30-40 нм внедрены на расстоянии 45-50 нм друг от друга с максимальной концентрацией не более 2⋅1015 на см3 в оксидный слой металла толщиной от 80 до 200 нм, в качестве которого использован оксид цинка, легированный алюминием в процентном соотношении 0,5-1,5 мол.%. 2 ил.
Прозрачный проводящий оксид // 2701467
Использование: для усиления электролюминесценции полупроводников. Сущность изобретения заключается в том, что слой оксида цинка с максимальной толщиной 200 нм, легированный ионами алюминия в концентрации от 3 до 4 молярных процентов и со слоями наночастиц серебра с максимальной концентрацией 1,25⋅1016 на см3, центры наночастиц находятся на расстоянии 110-130 нм друг от друга и образуют трехмерную решетку, наночастицы имеют размеры 38-42 нм, причем длина волны усиления зависит от молярной концентрации алюминия n в соотношении длина волны в нанометрах λ=530+40⋅(n-3). Технический результат: обеспечение возможности усиления электролюминесценции полупроводников, излучающих на длинах волн 530-570 нм.
Использование: для усиления электролюминесценции полупроводников. Сущность изобретения заключается в том, что слой оксида цинка, легированного ионами алюминия в концентрации 1,5-3,5 молярных процента с толщиной от 100 до 200 нм и слои наночастиц с размерами 38-42 нм с максимальной концентрацией 1,25⋅1016 на см3, наночастицы являются наночастицами золота, а их центры находятся на расстоянии 70-120 нм друг от друга с образованием трехмерной решетки. Технический результат: обеспечение возможности усиления электролюминесценции полупроводников, излучающих на длинах волны 590-630 нм.
Прозрачный проводящий оксид // 2671236
Изобретение относится к составам покрытий полупроводниковых материалов и решает задачу усиления электролюминесценции полупроводников на длине волны 450 нм. Прозрачный проводящий оксид содержит слой оксида цинка с максимальной толщиной 200 нм, легированный ионами алюминия в концентрации от 1 до 3 молярных процентов и слои наночастиц серебра размерами 30-40 нм и максимальной концентрацией 1,25⋅1016 на см3. Изобретение обеспечивает усиление электролюминесценции полупроводников, излучающих на длине волны 450 нм.
Изобретение относится к области радиационных измерений и касается люминесцентного дозиметра ультрафиолетового излучения. Дозиметр включает в себя чувствительный элемент, передающее оптическое волокно, подвижную кассету с оптическими фильтрами и фотоприемное устройство. Чувствительный элемент выполнен в виде волокна, изготовленного из калиево-алюмо-боратного стекла с молекулярными кластерами хлорида и оксида меди, и оптически связан с фотоприемным устройством последовательно через передающее оптическое волокно и подвижную кассету с оптическими фильтрами. Оптические фильтры имеют полосы пропускания в видимой области спектра со спектральной шириной 20-30 нм. Технический результат заключается в расширении спектрального диапазона измерений и повышении устойчивости дозиметра к внешним воздействиям. 4 ил.
Изобретение относится к составам и технологиям получения стеклокристаллических оптических материалов, которые могут быть использованы для производства фильтров, защищающих от УФ-излучения
