Патенты автора Власов Андрей Игоревич (RU)
Способ формирования мемристивных структур на основе композитных оксидов с агломератами наночастиц // 2767721
Способ формирования мемристивных структур на основе композитных оксидов с агломератами наночастиц относится к способам формирования вертикального профиля и организации мемристивных элементов и режимов их работы для обеспечения наибольшей производительности, стабильности и повторяемости параметров обработки цифровых данных. Способ заключается в том, что формируется два электрода на основе одного или нескольких наноразмерных слоев оксидов металлов, их разделяют активной средой так, что между электродами по периферии области активной среды наносят изолирующий слой. Поверх изолирующего слоя формируют токопроводящий слой, при этом обеспечивают его связь с отрицательной шиной, что препятствует утечке отрицательных ионов кислорода через изолирующий слой, если вдруг в нем случится трещина или канал для утечки. Отличие от известных технических решений состоит в том, что между электродами по периферии области активной среды нанесен изолирующий слой, поверх которого сформирован токопроводящий слой, электрически связанный с отрицательной шиной, а поскольку носителями тока в активной среде являются отрицательные ионы кислорода, то подав на токопроводящий слой небольшой отрицательный потенциал создается внешнее электрическое поле, препятствующее прохождению (утечке) отрицательных ионов кислорода через изолирующий слой. В результате получено техническое решение, которое обеспечивает формирование мемристорных структур с высокой эффективностью воздействия на отрицательные ионы кислорода, которые являются переносчиками зарядов в данной структуре. Технический результат заключается в повышении стабильности и повторяемости характеристик (напряжения переключения, сопротивления в низкоомном и в высокоомном состояниях) мемристоров, сопротивление которых изменяется при пропускании через них электрического тока. 2 ил.
Изобретение относится к области беспроводных сенсорных сетей (БСС). Техническим результатом является повышение производительности и точности функционирования беспроводной сенсорной сети (БСС), а также обеспечение экономного расхода энергии. Способ управления функционированием БСС заключается в том, что обеспечивают кластерную архитектуру БСС, инициализируют БСС, задают параметры БСС, при этом параметры БСС включают контролируемые параметры, производят анализ уровня зашумленности каналов, при этом количество сенсорных узлов БСС выбирают пропорционально требуемым параметрам точности обработки и точности передачи контролируемых параметров, при этом активируют только те сенсорные узлы БСС, в которых текущими значениями контролируемых параметров были превышены значения, заранее заданные в виде допусков, после чего в БСС формируют связи между активированными сенсорными узлами БСС, на основе анализа результатов функционирования БСС производят подбор оптимальной структуры сети для получения наилучшего результата по соотношению скорость/точность, выполняемый интеллектуальным модулем на основе нейронной сети, который функционирует на основе генетического алгоритма. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ // 2537517
Изобретение относится к измерительной технике, в частности к преобразователям давления, предназначенным для использования в различных областях науки и техники, связанных с измерением давления среды в условиях воздействия нестационарной температуры измеряемой среды. Техническим результатом изобретения является значительное расширение рабочего температурного диапазона. Полупроводниковый преобразователь давления со схемой термокомпенсации содержит полупроводниковый кристалл, вырезанный в виде пластины. При этом в пластине выполнена тонкостенная диафрагма, в которой сформированы четыре тензорезистора измерительной мостовой схемы, а также два тонкопленочных резистора, подключенных первыми выводами к базе транзистора, а вторыми выводами соответственно к его эмиттеру и коллектору. Тонкопленочные резисторы выполнены из материала с малым температурным коэффициентом сопротивления. На полупроводниковом кристалле вне тонкостенной диафрагмы расположены дополнительный тензорезистивный мост и резистор с высоким температурным коэффициентом сопротивления, имеющий отдельные от общей схемы выводы. Полупроводниковый кристалл расположен на подставке, состоящей из стеклянной подложки и полой цилиндрической металлической подставки с наружной резьбой, изготовленных из материалов с одинаковыми коэффициентами теплового расширения. 3 ил.
