Патенты автора Токарев Сергей Владимирович (RU)
Печатная машина // 2738864
Изобретение относится к полиграфии. Печатная машина содержит снабженный красочной системой формный цилиндр с установленной на нем печатной формой, печатный цилиндр, офсетный цилиндр и листопроводящую систему. Печатная форма взаимодействует с упругой оболочкой офсетного цилиндра, контактирующей посредством печатного цилиндра с запечатываемым материалом. Упругая оболочка офсетного цилиндра состоит из подложки и офсетного резинотканевого покрытия (ОРТП). Подложка выполнена с варьируемой толщиной. Упругая оболочка офсетного цилиндра имеет участки с номинальной величиной зазора между двумя другими цилиндрами, величиной зазора меньше номинальной и участки с величиной зазора больше номинальной. Техническим результатом является возможность внесения изменений в технологический процесс передачи изображения в пределах печатного листа, проявляющийся в локально изменяющихся графических характеристиках получаемого изображения на оттиске. 3 з.п. ф-лы, 6 ил.
Изобретение относится к энергетике и может быть использовано для электродугового розжига паромазутной форсунки котлов электростанций. Способ электродугового розжига паромазутной форсунки заключается в подаче паромазутной смеси из форсунки в топку котла и подаче высоковольтного напряжения на стержневые электроды запальной пики электродугового запальника с получением на них дугового разряда, растягиванием дуги в длину соосно запальной пике, подаваемым в пространство между коаксиально установленным изолятором стержневого электрода и цилиндрическим трубчатым электродом запальной пики избыточным воздухом, и воспламенением топлива из форсунки. Изобретение обеспечивает быстрый и надежный розжиг паромазутной форсунки, требующий минимального расхода мазута, а также исключает преждевременный износ и выгорание контактов запальной пики. 2 н.п. ф-лы, 2 ил.
Изобретение относится к области беспроводных сенсорных сетей (БСС). Техническим результатом является повышение производительности и точности функционирования беспроводной сенсорной сети (БСС), а также обеспечение экономного расхода энергии. Способ управления функционированием БСС заключается в том, что обеспечивают кластерную архитектуру БСС, инициализируют БСС, задают параметры БСС, при этом параметры БСС включают контролируемые параметры, производят анализ уровня зашумленности каналов, при этом количество сенсорных узлов БСС выбирают пропорционально требуемым параметрам точности обработки и точности передачи контролируемых параметров, при этом активируют только те сенсорные узлы БСС, в которых текущими значениями контролируемых параметров были превышены значения, заранее заданные в виде допусков, после чего в БСС формируют связи между активированными сенсорными узлами БСС, на основе анализа результатов функционирования БСС производят подбор оптимальной структуры сети для получения наилучшего результата по соотношению скорость/точность, выполняемый интеллектуальным модулем на основе нейронной сети, который функционирует на основе генетического алгоритма. 1 з.п. ф-лы, 6 ил.
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ ДАВЛЕНИЯ // 2537517
Изобретение относится к измерительной технике, в частности к преобразователям давления, предназначенным для использования в различных областях науки и техники, связанных с измерением давления среды в условиях воздействия нестационарной температуры измеряемой среды. Техническим результатом изобретения является значительное расширение рабочего температурного диапазона. Полупроводниковый преобразователь давления со схемой термокомпенсации содержит полупроводниковый кристалл, вырезанный в виде пластины. При этом в пластине выполнена тонкостенная диафрагма, в которой сформированы четыре тензорезистора измерительной мостовой схемы, а также два тонкопленочных резистора, подключенных первыми выводами к базе транзистора, а вторыми выводами соответственно к его эмиттеру и коллектору. Тонкопленочные резисторы выполнены из материала с малым температурным коэффициентом сопротивления. На полупроводниковом кристалле вне тонкостенной диафрагмы расположены дополнительный тензорезистивный мост и резистор с высоким температурным коэффициентом сопротивления, имеющий отдельные от общей схемы выводы. Полупроводниковый кристалл расположен на подставке, состоящей из стеклянной подложки и полой цилиндрической металлической подставки с наружной резьбой, изготовленных из материалов с одинаковыми коэффициентами теплового расширения. 3 ил.
