Патенты автора Шибалко Константин Викторович (RU)
СПОСОБ ОЦЕНКИ СТОЙКОСТИ МИКРОЭЛЕКТРОННОГО ОБОРУДОВАНИЯ К ВНЕШНЕМУ ЭЛЕКТРОМАГНИТНОМУ ВОЗДЕЙСТВИЮ // 2702453
Изобретение относится к области испытаний электронного оборудования, в частности к исследованию стойкости изделий микроэлектроники (электронной аппаратуры) к воздействию электромагнитных полей высокой и сверхвысокой частоты, и может быть использовано в рамках принятия мер по противодействию искусственным преднамеренным и непреднамеренным помехам, создаваемым радиотехническим, электронным и электротехническим оборудованием различного назначения. Способ определения стойкости микроэлектронного оборудования к воздействию внешних электромагнитных полей высокой частоты заключается в том, что исследуемый объект подвергают воздействию внешних электромагнитных полей высокой частоты посредством зондирующего сигнала, регистрируют отклик микроэлектронного оборудования на данное воздействие и по отклику исследуемого объекта оценивают его стойкость. При этом перед непосредственным воздействием электромагнитных полей высокой частоты на микроэлектронное оборудование проводят исследование создаваемой им картины электромагнитных полей путем регистрации его собственного паразитного излучения в различных поляризациях; по результатам регистрации определяют частоты пиков собственного паразитного излучения микроэлектронного оборудования, функционирующего в штатном режиме. Далее микроэлектронное оборудование подвергают воздействию зондирующим сигналом внешних электромагнитных полей высокой частоты на определенных частотах частоты пиков собственного паразитного излучения микроэлектронного оборудования; регистрируют отклик исследуемого объекта на воздействие зондирующего сигнала на его высших гармониках; контролируют амплитуду высших гармоник в выходном сигнале до начала ее уменьшения, что свидетельствует о сбое в работе микроэлектронного оборудования и позволяет судить о стойкости. Технический результат состоит в повышении достоверности оценки при обеспечении технологичности оценки, а также уменьшении риска выхода исследуемого микроэлектронного оборудования из строя. 2 ил.
Изобретение относится к электровакуумным сверхвысокочастотным (СВЧ) приборам, в частности, к мощным импульсным СВЧ-генераторам типа релятивистских клистронов и виркаторов
