Патенты автора Самохвалов Андрей Александрович (RU)

Изобретение относится к высоковольтной наносекундной технике, в частности к источникам излучения, находящим применение в рентгеновской микроскопии для исследований внутренней структуры клеточных культур в наноразмерном масштабе, а также в фотолитографии и др. областях техники. Технический результат - повышение эффективности работы электроразрядного источника излучения. Электроразрядный источник излучения содержит высоковольтный источник напряжения, газовую систему, разрядник, соединенный последовательно с емкостным накопителем, транспортирующей линией, нагрузкой в составе соосно расположенных дискового катода с центральным отверстием, дискового изолятора, анодного узла с керамическим капилляром, а также камеру с газовым выводом. Транспортирующая линия выполнена высоковольтными полосковыми линиями. 3 ил.

Изобретение относится к высоковольтной наносекундной технике и может использоваться в качестве источника для накачки лазеров, питания импульсных ускорителей, источников высокочастотного излучения и др. Техническим результатом заявляемого изобретения является повышение надежности работы генератора. Генератор высоковольтных импульсов содержит высоковольтные источники напряжения, тиратронный генератор, соединенный последовательно с размещенными в металлическом баке с жидким диэлектриком импульсными трансформаторами, линейными газовыми разрядниками, двойными искусственными формирующими линиями, токосборным узлом, выполненным согласно изобретению в виде коаксиальной линии, состоящей из двух соосных протяженных внутреннего и внешнего электродов в виде металлических труб, герметично соединенных с кольцевым обострителем импульсов, причем внешний электрод герметично зафиксирован в проходном отверстии стенки бака. 2 з.п. ф-лы, 2 ил.

Способ может быть использован при удалении различного рода загрязнений с поверхности промышленных и технологических объектов. Проводят сканирование в многоимпульсном режиме сформированным пучком лазерного излучения по корродированной поверхности объекта в несколько проходов. Регистрируют в непрерывном режиме спектр плазмы, образующейся в процессе удаления загрязнений. В полученном спектре плазмы для очищаемой поверхности и/или для загрязнителя регистрируют линии железа и линии кислорода. Измеряют значения интенсивностей указанных спектральных линий и вычисляют отношение интенсивностей спектральной линии кислорода к спектральной линии железа. При значении величины отношения интенсивностей выбранных спектральных линий больше 0,5 мощность пучка лазерного излучения уменьшают, а при значении меньше 0,5 поверхность считают очищенной. Способ обеспечивает повышение производительности, контролируемости и управляемости процесса очистки, а также безопасности процесса лазерного удаления поверхностных загрязнений. 4 ил.

 


Наверх