Патенты автора Зверев Андрей Владимирович (RU)
Изобретение относится к области светотехники. Техническим результатом является улучшение оптических характеристик и повышение эффективности освещения за счет создания оптимальной системы теплоотвода, а также повышения уровня защиты от влияния негативных факторов окружающей среды. Светодиодная лампа содержит светодиодный модуль, выполненный либо в виде СОВ (chip-on-board) модуля, содержащего герметизированные компаундом светодиодные кристаллы, установленные на печатную плату, и имеющий электрическое соединение с печатной платой, либо светодиодный модуль выполнен в виде печатной платы с установленными на ней методом поверхностного монтажа дискретными светодиодами, имеющими электрическое соединение с печатной платой. Светодиодный модуль установлен поверх радиатора, внутри которого размещен преобразователь напряжения, электрически соединенный со светодиодным модулем и с цоколем лампы. Оптика светодиодного модуля выполнена на основе усеченной торической линзовой матрицы, прикрепленной к печатной плате и имеющей поднутрения, в которых располагаются либо герметизированный компаундом светодиодный кристалл, либо дискретные светодиоды. Линзовая матрица может иметь дополнительные конструктивно интегрированные оптические элементы, выполненные в виде светопреломляющего сектора нижней части торической линзы, а также в виде элемента в области поднутрения, обеспечивающего полное внутреннее отражение падающего на него бокового излучения светодиода. Материал линзовой матрицы может содержать светорассеивающий материал (диспергатор). Конструкция светодиодной лампы способствует формированию широкоугольной диаграммы излучения. 2 н. и 19 з.п. ф-лы, 12 ил.
Изобретение относится к области микроэлектроники и может быть использовано в производстве эпитаксиальных структур полупроводниковых соединений А3В5 и соединений А2В6 методом химического газофазного осаждения из металлоорганических соединений и гидридов. В способе получения эпитаксиального слоя бинарного полупроводникового материала на монокристаллической подложке посредством металлоорганического химического осаждения из газовой фазы используют реактор с круглой, относительно центральной вертикальной оси реакционной камерой, горизонтально расположенный подложкодержатель, установленный в реакционной камере с возможностью вращения относительно упомянутой оси, круглый экран, установленный в упомянутой реакционной камере на расстоянии приблизительно 15÷40 миллиметров над упомянутым подложкодержателем и имеющий больший диаметр, нежели упомянутый подложкодержатель, в котором поддерживают предварительно заданную температуру равномерно вращающегося подложкодержателя, по меньшей мере, два реакционных газа раздельно подают в различные радиальные секторы реакционной камеры, при этом, реакционные газы и транспортный газ подают таким образом, чтобы обеспечить течение их в радиальном направлении внутри реакционной камеры с равной скоростью на одном диаметре во всех ее секторах. Технический результат - улучшение качества гетероэпитаксиальных структур. 6 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к области вычислительной техники, а именно к автоматизированным системам видеомониторинга и передачи данных
