Патенты автора Петухов Антон Николаевич (RU)

Изобретение относится к способам селективного удаления диоксида углерода и сероводорода из метансодержащих газовых смесей гибридным методом мембранно-абсорбционного газоразделения и может быть использовано в газовой, нефтяной и других отраслях химической промышленности. Способ селективного удаления диоксида углерода и сероводорода из метансодержащих газовых смесей, состоящий из мембранно-абсорбционного модуля для газоразделения высокого давления, где процесс удаления диоксида углерода и сероводорода проводится в объеме одного массообменного аппарата, подача питающей газовой смеси осуществляется в мембранно-абсорбционный модуль при абсолютном давлении 5 бар в жидкий абсорбент, находящийся на поверхности непористой мембраны с селективным слоем, при этом удаление диоксида углерода и сероводорода из метансодержащих газовых смесей и регенерация абсорбента происходит без дополнительных энергозатрат в результате создания движущей силы за счет градиента давления и последующей десорбции растворенного газа и его дальнейшего переноса через мембрану. Технический результат заключается в уменьшении габаритов установки и проведении разделения газовой смеси в объеме одного массообменного аппарата при комнатной температуре. 2 ил., 2 пр.

Изобретение относится к получению наноразмерного порошка кремния газофазным методом. Предложен способ получения нанокристаллического порошка кремния, включающий испарение капли расплавленного кремния в высокочастотном электромагнитном поле противоточного индуктора, в котором она находится в состоянии левитации. Унос паров кремния в зону конденсации и охлаждения обеспечивают нисходящим ламинарным потоком газа-носителя аргона. Непрерывность получения нанокристаллического порошка кремния обеспечивается восполнением испаряемой капли равномерной подачей в нее монокристаллического кремниевого стержня. Технический результат – предложенный способ позволяет получить нанокристаллический порошок кремния со средним размером частиц менее 20 нм в непрерывном режиме экологически безопасным способом и возможностью регулировать размер частиц. 3 ил., 3 пр.

Изобретение относится к области неорганической химии, а именно к разделению компонентов природного газа газогидратной кристаллизацией, и может быть использовано для удаления диоксида углерода из природного газа. Способ удаления диоксида углерода из природного газа включает образование газовых гидратов диоксида углерода при давлении от 2.0 до 8.0 МПа и температуре от 273 до 278 K и последующее их разложение с образованием концентрата диоксида углерода. В газогидратный кристаллизатор подают поток природного газа с находящимся в нем 6-10-кратным мольным избытком воды относительно мольной концентрации гидратообразующих газов в природном газе. Не перешедшие в газогидратную фазу компоненты природного газа выводят из газогидратного кристаллизатора. Образовавшиеся газовые гидраты отбирают шнеком в модуль сепарации для разрушения на воду и концентрат диоксида углерода при повышении температуры от 293 до 323 K. Оставшиеся компоненты природного газа выводят на переработку. Технический результат от использования изобретения заключается в повышении степени удаления диоксида углерода из природного газа. 1 ил., 1 табл., 2 пр.

Изобретение относится к области неорганической химии, а именно к разделению компонентов природного газа методами газогидратной кристаллизации и мембранного газоразделения, объединенных в едином массообменном аппарате, и может быть использовано для получения концентрата ксенона. Способ включает образование газовых гидратов ксенона при давлении от 2.4 до 8.0 МПа и температуре от 273 до 283 K и последующее их разложение с образованием концентрата ксенона. Причем в мембранно-газогидратном кристаллизаторе создают области низкого давления от 0.01 до 0.1 МПа и высокого давления от 2.4 до 8.0 МПа, разделенные непористой полимерной газоразделительной мембраной. Далее поток природного газа подают в область высокого давления с находящимся в ней 6-10-кратным избытком воды относительно объемной концентрации гидратообразующих газов в природном газе при указанных условиях для образования газовых гидратов ксенона. Затем компоненты природного газа с высокой газовой проницаемостью после прохождения через непористую полимерную газоразделительную мембрану в области низкого давления выводят из мембранно-газогидратного кристаллизатора. При появлении ксенона в выходящих газах прекращают подачу природного газа и образовавшиеся газовые гидраты отбирают шнеком в модуль сепарации для разрушения на воду и концентрат ксенона при повышении температуры от 293 до 323 K, оставшиеся компоненты природного газа выводят из области высокого давления на переработку. Технический результат заявленного изобретения заключается в повышении степени концентрирования ксенона. 1 ил., 1 табл., 2 пр.
Изобретение относится к способам очистки веществ и касается разработки способа глубокой очистки хладагента R717 (аммиака), используемого в двухфазных системах терморегулирования (СТР) крупногабаритных конструкций космических летательных аппаратов. Cпособ глубокой очистки хладагента R717 включает ректификацию технического аммиака в периодической насадочной колонне со средним питающим резервуаром. Процесс ведется в режиме параллельного отбора вышекипящих и нижекипящих относительно хладагента R717 примесных фракций из нижней и верхней отборных точек вплоть до достижения требуемой чистоты хладагента R717 в среднем питающем резервуаре, при этом процесс проводят при абсолютном давлении в колонне в диапазоне от 10 до 40 бар и температуре от 25 до 60°С, причем нагрузка колонны по пару поддерживается не менее 70% от предельной при давлении и температуре проведения процесса. Рабочее давление в колонне поддерживают в диапазоне 30-40 бар при удалении примесей с высоким коэффициентом разделения жидкость-пар и в диапазоне 10-20 бар при удалении примесей с малым коэффициентом разделения жидкость-пар. Технический результат: увеличение производительности и снижение энергоемкости процесса очистки при одновременном увеличении разделительного эффекта в колонне, что способствует увеличению степени выделения продукта и глубины его очистки. 3 пр.

 


Наверх