Патенты автора Соколовский Григорий Семенович (RU)
СПОСОБ ОТБРАКОВКИ КВАНТОВО-КАСКАДНЫХ ЛАЗЕРОВ // 2744397
Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к методам контроля характеристик устройств, генерирующих лазерное излучение в среднем инфракрасном диапазоне длин волн от 4 до 9 мкм. Способ отбраковки квантово-каскадных лазеров включает подачу на лазер импульса тока прямоугольной формы с амплитудой, соответствующей рабочему току, с длительностью по уровню на половине от максимальной амплитуды в интервале 50-1000 нс, пропускание выходного излучения лазера через спектральный прибор с дисперсионным элементом, измерение зависимости вышедшего из спектрального прибора с дисперсионным элементом излучения лазера от времени через равные спектральные промежутки, определение скорости нагрева активной области лазера из зависимости интенсивности выходного излучения лазера от времени и длины волны генерации продольной моды резонатора, отбраковку квантово-каскадных лазеров со скоростью нагрева активной области более 0,05 К/нс. Техническим результатом является расширение области применения путем отбраковки лазеров, сконструированных в импульсном режиме накачки. 2 ил.
Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к устройствам удвоения частоты оптического излучения. Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения содержит активный элемент на основе нитрида алюминия. Активный элемент выполнен по меньшей мере из одной пары чередующихся слоев: слоя (1) из нитрида алюминия собственной проводимости толщиной 100-900 нм и слоя (2) из материала с металлической проводимостью толщиной 1-5 нм. Изобретение обеспечивает повышение эффективности генерации второй гармоники оптического излучения. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к устройствам удвоения частоты оптического излучения. Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения содержит активный элемент на основе нитрида алюминия, а также две обкладки из твердого раствора AlxGa1-xN. Активный элемент выполнен по меньшей мере из одной пары чередующихся слоев: слоя (1) из нитрида алюминия собственной проводимости толщиной 100-1400 нм и слоя (2) из материала с металлической проводимостью толщиной 1-5 нм. Изобретение обеспечивает повышение эффективности генерации второй гармоники оптического излучения. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к квантовой электронике, а именно к устройствам удвоения частоты оптического излучения. Устройство для генерации второй гармоники оптического излучения содержит активный элемент на основе нитрида алюминия. Активный элемент выполнен в виде волновода с воздушными обкладками, волноведущий слой которого выполнен по меньшей мере из одной пары чередующихся слоев: слоя (1) из нитрида алюминия собственной проводимости толщиной 100-1400 нм и слоя (2) из материала с металлической проводимостью толщиной 1-5 нм. Изобретение обеспечивает повышение эффективности генерации второй гармоники оптического излучения. 2 з.п. ф-лы, 4 ил.
Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к полупроводниковым фоточувствительным приборам, предназначенным для детектирования инфракрасного (ИК) излучения при комнатной температуре
