Патенты автора Кацман В.И.

СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ЗАТРАВОЧНОЙ ПЛАСТИНЫ // 1732701

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов и может быть использовано при изготовлении затравочных пластин для выращивания кристаллов типа КДР большого сечения

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРА // 1342056

Изобретение относится к выращиванию кристаллов из растворов для лазерной техники

СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ ДИГИДРОФОСФАТА КАЛИЯ // 955741

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ОРИЕНТИРОВАННЫХ И ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ КДР ИЗ ТОЧЕЧНОЙ ЗАТРАВКИ И ЗАТРАВОЧНЫЙ УЗЕЛ УСТРОЙСТВА // 2197569

Изобретение относится к технологии выращивания кристаллов из водных растворов и может быть использовано для получения кристаллических заготовок оптических элементов для нелинейной оптики

УСТРОЙСТВО ДЛЯ СКОРОСТНОГО ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ И ОРИЕНТИРОВАННЫХ МОНОСЕКТОРИАЛЬНЫХ КРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ КДР ИЗ РАСТВОРА // 2176000

Изобретение относится к выращиванию кристаллов с заданными формой и кристаллографической ориентацией из водных растворов

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ ГРУППЫ КДР // 2136789

Изобретение относится к технике для выращивания кристаллов из водных растворов и может быть использовано для получения кристаллических заготовок оптических элементов, например, для нелинейной оптики

УСТРОЙСТВО ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ ПРОФИЛИРОВАННЫХ КРИСТАЛЛОВ ИЗ РАСТВОРА // 2133307

Изобретение относится к выращиванию кристаллов из водных растворов и может быть использовано для скоростного выращивания монокристаллов заданной формы и кристаллографической ориентации, например, кристаллов группы КДР