Патенты автора Амосов В.И.
Изобретение относится к производству монокристаллов и может быть использовано в технологии выращивания монокристаллов из вязких расплавов тугоплавких оксидов методом Степанова для получения объемных профилированных калиброванных монокристаллов больших диаметров с высокой степенью совершенства структуры
Изобретение относится к технологии выращивания калиброванных профилированных объемных монокристаллов из расплавов тугоплавких оксидов методом Степанова
Изобретение относится к устройствам выращивания крупногабаритных объемных профилированных монокристаллов из расплавов, например, сапфира по методам Чохральского, Киропулоса
Изобретение относится к устройствам выращивания профилированных монокристаллов из расплавов на затравочном кристалле, например, сапфира, по методам Чохральского, Киропулоса
Изобретение относится к рентгеновской технике и рентгенодиагностике и используется при рентгенографии и рентгенопневмополиграфии для раннего распознавания заболеваний органов внешнего дыхания
