Патенты автора Мильвидский М.Г.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ СТРУКТУРЫ (C) // 1774673
Изобретение относится к технологии полупроводниковых материалов и может быть использовано, в частности, при создании фотоприемных устройств, работающих в спектральном диапазоне 1,85-2,1 мкм
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на обеспечение стабильного качества кремниевых пластин
Изобретение относится к полупроводниковой технике и направлено на расширение области применения способа для кремния с содержанием кислорода 51015-91017 см-3 Цель достигается тем, что данный способ изготовления кремниевых пластин с геттерирующими центрами в объеме пластины включает проведение двухступенчатого отжига при 650 750°С и 950 1000°С в течение 3 4 ч на каждой стадии
Изобретение относится к полупроводниковой технике и может быть использовано для улучшения совершенства структуры монокристаллического кремния, в частности структуры стандартных кремниевых пластин, используемых в производстве для создания полупроводниковых приборов
СПОСОБ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ // 2092629
Изобретение относится к получению искусственных кристаллов, используемых в различных областях техники
КОНТЕЙНЕР ДЛЯ ВЫРАЩИВАНИЯ КРИСТАЛЛОВ // 2091515
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ РЕЗИСТЕНТНОГО КРЕМНИЯ // 2202655
Изобретение относится к электронной технике, а именно к технологии получения полупроводниковых материалов, устойчивых к воздействию радиации и температурных полей
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ // 2153030
Изобретение относится к технологии получения искусственных монокристаллов в условиях микрогравитации, используемых в различных областях техники
Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для получения в условиях микрогравитации кристаллов различного состава, применяющихся во многих областях техники
