Патенты принадлежащие САМСУНГ ЭЛЕКТРО-МЕКАНИКС КО., ЛТД. (KR)
Изобретение относится к измерительной технике. .
Изобретение относится к нитридным полупроводникам р-типа проводимости и светоизлучающим приборам с их использованием. .
Изобретение относится к способу выращивания многослойной структуры на основе InGaN. .
Изобретение относится к технологии получения монокристалла нитрида на кремниевой пластине и светоизлучающего устройства на его основе. .