Патенты принадлежащие СИН-ЭЦУ КЕМИКАЛ КО., ЛТД. (JP)
Изобретение относится к технологии получения подложки из поликристаллического карбида кремния. Способ состоит из этапов предоставления покрывающих слоев 1b, каждый из которых содержит оксид кремния, нитрид кремния, карбонитрид кремния или силицид металла, выбранного из группы, состоящей из никеля, кобальта, молибдена и вольфрама, или покрывающих слоев, каждый из которых изготовлен из фосфоросиликатного стекла (PSG) или борофосфоросиликатного стекла (BPSG), имеющего свойства текучести допированного P2O5 или B2O3 и P2O5, на обеих поверхностях основной подложки 1a, изготовленной из углерода, кремния или карбида кремния для подготовки поддерживающей подложки 1, имеющей покрывающие слои, каждый из которых имеет гладкую поверхность; формирования пленок 10 поликристаллического карбида кремния на обеих поверхностях поддерживающей подложки 1 осаждением из газовой фазы или выращиванием из жидкой фазы; и химического удаления, по меньшей мере, покрывающих слоев 1b в поддерживающей подложке для отделения пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b от поддерживающей подложки 1 в состоянии отображения гладкости поверхностей покрывающих слоев 1b на поверхности пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b, и получения пленок поликристаллического карбида кремния 10a, 10b в качестве подложек из поликристаллического карбида кремния.
Предлагается слоистая подложка из полупроводникового соединения, содержащая две непосредственно соединенные вместе и наслоенные монокристаллические подложки из полупроводникового соединения, имеющие один и тот же состав, включающий A и B в качестве составляющих элементов, и имеющие одно и то же расположение атомов, согласно изобретению передняя и задняя поверхности слоистой подложки являются полярными гранями, содержащими один и тот же вид атомов из A или B, и поверхность раздела наслоения содержит связь атомов или B, или A и является плоскостью однополярной антифазной границы области, в которой кристаллические решетки из атомов совпадают.
Изобретение относится к технологии получения составной подложки из SiC с монокристаллическим слоем SiC на поликристаллической подложке из SiC, которая может быть использована при изготовлении мощных полупроводниковых приборов: диодов с барьером Шоттки, pn-диодов, pin-диодов, полевых транзисторов и биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT), используемых для регулирования питания при высоких температурах, частотах и уровнях мощности, и при выращивании нитрида галлия, алмаза и наноуглеродных тонких пленок.
Представлен способ изготовления композитной SiC-подложки, включающей подложку из поликристаллического SiC и слой монокристаллического SiC на ней, включающий стадии, в которых формируют тонкую пленку монокристаллического SiC на одной основной поверхности несущей подложки, механически обрабатывают поверхность тонкой пленки монокристаллического SiC для придания шероховатости и удаляют дефекты, обусловленные механической обработкой, с образованием слоя монокристаллического SiC, имеющего поверхность, которая является более шероховатой, чем поверхность слоя, смежного с несущей подложкой, причем шероховатая поверхность составлена наклонными поверхностными сегментами, которые беспорядочно ориентированы относительно направления перпендикуляра к поверхности слоя, смежного с несущей подложкой, осаждают поликристаллический SiC на шероховатую поверхность слоя монокристаллического SiC способом химического осаждения из паровой фазы, с образованием тем самым подложки из поликристаллического SiC, в которой плотноупакованные плоскости кристаллов поликристаллического SiC беспорядочно ориентированы относительно направления перпендикуляра к поверхности слоя монокристаллического SiC, смежного с несущей подложкой, и после этого физически и/или химически удаляют несущую подложку.
Предложен способ изготовления составной подложки 10 из SiC с монокристаллическим слоем 12 SiC на поликристаллической подложке 11 из SiC, в котором после обеспечения монокристаллического слоя 12 SiC на передней поверхности опорной подложки 21, содержащей Si и имеющей пленку 21a оксида кремния на передней и задней своих сторонах, с получением носителя 14 монокристаллического слоя SiC, часть или всю толщину пленки 21a оксида кремния на одной области или всей задней поверхности опорной подложки 21 в носителе 14 монокристаллического слоя SiC удаляют для придания коробления носителю 14' монокристаллического слоя SiC, затем осаждают поликристаллический SiC на монокристаллический слой 12 SiC путем химического осаждения из паровой фазы с образованием поликристаллической подложки 11 из SiC, а после этого опорную подложку удаляют физически и/или химически.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КОМПОЗИТНОЙ ПОДЛОЖКИ SiC И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКИ // 2720397
Предоставляется способ изготовления композитной подложки 10 SiC, имеющей монокристаллический слой 12 SiC на поликристаллической подложке 11 SiC, в котором: монокристаллический слой 12 SiC обеспечивается на одной поверхности удерживающей подложки 21, содержащей Si, и подготавливается носитель 14 монокристаллического слоя SIC, затем поликристаллический SiC наращивается на монокристаллическом слое 12 SiC с помощью физического или химического средства, и подготавливается слоистый материал 15 SiC, причем монокристаллический слой 12 SiC и поликристаллическая подложка 11 SiC послойно наносятся на удерживающую подложку 21; и затем удерживающая подложка 21 удаляется физическим и/или химическим способом.
Изобретение относится к области формования порошкообразного материала. Порошкообразный материал (5) вводят в полость между нижним пуансоном (2) и матрицей (1) и производят его компрессионное формование между верхним (3) и нижним (2) пуансонами в прессовку (51) заданной формы.
Группа изобретений относится к изготовлению спеченного магнита R-Fe-B. Магнит состоит из 12-17 ат.% R, 0,1-3 ат.% M1, 0,05-0,5 ат.% M2, от 4,8+2×m до 5,9+2×m ат.% B и остальное – Fe.
Данное изобретение относится к спеченному магниту на основе R-Fe-B и к способу его получения. Спеченный магнит R-Fe-B состоит в основном из 12-17 ат.% Nd, Pr и R, 0,1-3 ат.% M1, 0,05-0,5 ат.% M2, 4,8+2×m-5,9+2×m ат.% B и остальное Fe, содержит интерметаллическое соединение R2(Fe,(Co))14B в качестве основной фазы и имеет структуру сердечника/оболочки, в которой основная фаза покрыта фазами границ зерен, содержащими аморфную и/или нанокристаллическую фазу R-Fe(Co)-M1 с размерами кристаллов меньше 10 нм, состоящую в основном из 25-35 ат.% R, 2-8 ат.% M1, до 8 ат.% Co и остальное Fe, или фазу R-Fe(Co)-M1 и кристаллическую или нанокристаллическую с размером частиц меньше 10 нм, и аморфную фазу R-M1, имеющую по меньшей мере 50 ат.% R, причем площадь поверхности покрытия из фазы R-Fe(Co)-M1 на основной фазе составляет по меньшей мере 50%, ширина фазы границы зерна составляет по меньшей мере 10 нм и по меньшей мере 50 нм в среднем.
Изобретение относится к спеченному магниту на основе R-Fe-B и к способу его получения. Спеченный магнит R-Fe-B состоит в основном из 12-17 ат.% Nd, Pr и R, 0,1-3 ат.% M1, 0,05-0,5 ат.% M2, 4,8+2*m - 5,9+2*m ат.% B, и остальное - Fe, содержащий интерметаллическое соединение R2(Fe,(Co))14B в качестве основной фазы и имеющий структуру сердечник/оболочка, в которой основная фаза покрыта фазами границ зерен.
Изобретение относится к силиконовой каучуковой огнестойкой композиции, отверждаемой при использовании реакции присоединения, в состав которой входит антипирен для улучшения огнестойкости, при этом физические свойства силиконового каучука, использующегося в качестве основы, являются неизменными.
СПОСОБ ЭКСТРАКЦИИ И ВЫДЕЛЕНИЯ // 2685835
Предложен способ экстракции и выделения, включающий стадию контактирования органической фазы, содержащей в качестве экстрагента диалкилдигликольамидокислоту с общей формулой R1R2NCOCH2OCH2COOH, с водной фазой, содержащей скандий и цирконий и/или гафний, с целью экстракции циркония и/или гафния в органическую фазу.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА // 2636405
Настоящее изобретение относится к способу изготовления солнечного элемента, имеющего долговременную надежность и высокую эффективность, причем упомянутый способ включает в себя: этап нанесения пастообразного электродного вещества на просветляющую пленку, сформированную на стороне светопринимающей поверхности полупроводниковой подложки, имеющей по меньшей мере pn-переход, причем упомянутое электродное вещество содержит проводящий материал; и этап обжига электрода, включающий в себя локальную термообработку для подачи тепла так, что обжигают по меньшей мере часть проводящего материала посредством облучения лазерным лучом только участка с нанесенным электродным веществом, и термообработку всего объекта для нагревания полупроводниковой подложки целиком до температуры ниже 800°C.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА И ИЗГОТОВЛЕННЫЙ С ПОМОЩЬЮ ЭТОГО СПОСОБА СОЛНЕЧНЫЙ ЭЛЕМЕНТ // 2635834
Способ изготовления солнечного элемента включает в себя формирование с высокой производительностью просветляющей пленки, содержащей нитрид кремния, причем упомянутая просветляющая пленка обладает превосходным пассивирующим эффектом.
Изобретение относится к термически отверждаемой, теплопроводной композиции силиконовой смазки, содержащей следующие основные компоненты: (A) 100 мас.ч. органополисилоксана, обладающего вязкостью от 100 до 100000 мПа⋅с при 25°С и содержащего, по меньшей, мере одну алкенильную группу на молекулу, (B) от 10 до 900 мас.ч.
СОЛНЕЧНАЯ БАТАРЕЯ И СПОСОБ ЕЕ ИЗГОТОВЛЕНИЯ // 2626053
Согласно изобретению предложен способ изготовления солнечных батарей, содержащий этапы формирования пленки SiNx поверх второй главной поверхности полупроводниковой подложки n-типа; формирования диффузионного слоя p-типа поверх первой главной поверхности полупроводниковой подложки n-типа после стадии формирования пленки SiNx; и формирования поверх диффузионного слоя p-типа пассивирующей пленки, состоящей из пленки SiO2 или пленки оксида алюминия.
Изобретение относится к устройству многоступенчатой экстракции редкоземельных элементов. Блок экстракции "жидкость-жидкость" включает емкость экстракции/разделения, водную фазу в виде пузырьков вводят из верхнего впуска, находящегося в одной боковой стенке, и органическую фазу в виде пузырьков вводят из нижнего впуска, находящегося в упомянутой боковой стенке.
ПЛЕНКООБРАЗУЮЩИЙ РАСТВОР ДЛЯ ДИФФУЗИИ БОРА // 2615134
Изобретение относится к пленкообразующим растворам, которые наносятся на полупроводниковую подложку для образования на ней желаемого диффузионного слоя. Предложен пленкообразующий раствор, включающий соединение бора, органическое связующее, диоксид кремния, предшественник оксида алюминия и воду и/или органический растворитель, применяемый для диффузии бора в кремниевую подложку с целью образования диффузионного слоя р-типа.
Изобретение относится к способу выделения целевого легкого редкоземельного элемента из водного раствора, содержащего два или более элемента из La, Ce, Pr и Nd, путем контактирования органической фазы, содержащей экстрагент, с водным раствором в противоточном многоступенчатом смесителе-осадителе.
ТРАФАРЕТНАЯ ПЕЧАТНАЯ ФОРМА ДЛЯ СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА И СПОСОБ ПЕЧАТИ ЭЛЕКТРОДА СОЛНЕЧНОГО ЭЛЕМЕНТА // 2597573
Изобретение касается трафаретной печатной формы для использования при печати проводящей пасты для одновременного формирования шинного электрода и множества пальцевых электродов на солнечном элементе.
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ И РЕАКТОР ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ // 2581090
Изобретение относится к технологии получения поликристаллического кремния путем осаждения на кремниевой электродной проволоке методом Siemens. Способ включает первую стадию с относительно низкой подачей газа, последнюю стадию с относительно высокой подачей газа и промежуточную стадию, на которой количество подаваемого газа увеличивают от величины подачи на первой стадии до величины подачи на последней стадии при подаче исходного газа, содержащего газообразные хлорсиланы и газообразный водород, в реактор через входное отверстие с сопловой, при этом все три стадии осуществляют при температуре реакции от 900°С до 1250°С и под давлением от 0,3 до 0,9 МПа, скорость у входного отверстия с сопловой насадкой составляет 150 м/с или более при максимальной подаче исходного газа на последней стадии, и подачу газа и температуру кремниевого стержня регулируют в соответствии со следующими условиями А-С в зависимости от диаметра D стержня поликристаллического кремния, который изменяется в ходе реакции осаждения после ее начала: условие А (количество подаваемых газообразных хлорсиланов): газообразные хлорсиланы подают в количестве одной трети или менее максимальной подачи газообразных хлорсиланов до тех пор, пока не будет достигнута заданная величина D1 от 15 мм до 40 мм, подаваемое количество увеличивают постепенно или поэтапно до достижения максимальной подачи газообразного хлорсилана между тем, когда достигнута величина D1, и тем, когда будет достигнута заданная величина D2 от 15 мм до 40 мм, которая больше D1, максимальную подачу газообразного хлорсилана поддерживают после достижения величины D2; условие В (количество подаваемого газообразного водорода): газообразный водород подают так, чтобы концентрация газообразных хлорсиланов в исходном газе составляла от 30 мол.% до менее чем 40 мол.% до тех пор, пока не достигнута величина D1, отношение количества подаваемого газообразного водорода к количеству газообразного хлорсилана увеличивают постепенно или поэтапно после достижения D1, газообразный водород подают так, чтобы концентрация газообразных хлорсиланов в исходном газе составляла от 15 мол.% до менее чем 30 мол.% после достижения величины D2; и условие С (температура кремниевого стержня): температуру уменьшают по мере увеличения диаметра кремниевого стержня после достижения величины D2.
ПЕЧЬ ТЕРМООБРАБОТКИ // 2573059
Изобретение относится к печи для использования при термической обработке полупроводниковых подложек. Печь термической обработки полупроводниковых подложек включает цилиндрическую трубчатую оболочку, оба конца которой имеют проемы такого размера, чтобы обеспечить возможность введения и извлечения полупроводниковых подложек, нагреватель, крышки, каждая из которых разъемно установлена на трубчатой оболочке, тонкий газовпускной патрубок, расположенный у центра трубчатой оболочки в продольном измерении и тонкий газовпускной патрубок, проходящий сквозь одну из крышек.
Согласно изобретению предложен солнечный элемент, в котором эмиттерный слой со стороны светопринимающей поверхности подложки на основе кристаллического кремния, с легирующей примесью противоположного типа проводимости, образован из кремниевой подложки, добавленной к упомянутому эмиттерному слою, пассивирующая пленка образована на поверхности кремниевой подложки, а также образованы вытягивающий электрод и коллекторный электрод.
Солнечный элемент, в котором пассивирующая пленка образована на кристаллической кремниевой подложке, которая имеет, по меньшей мере, p-n переход, а электрод сформирован путем печатания и термообработки проводящей пасты.
Коллекторный электрод для солнечного элемента изготавливают трафаретной печатью проводящей пасты, при этом трафаретную печать повторяют многократно. Скорость прокатывания во время второй или последующей трафаретных печатей является больше, чем скорость прокатывания во время первой трафаретной печати.
Согласно изобретению предложена подложка для солнечного элемента, на одном углу кремниевой подложки, имеющей квадратную форму на виде в плане, сформирован скошенный участок или сформировано углубление на углу подложки или вблизи угла.
Согласно изобретению предложена печь для вжигания электрода солнечного элемента, которая снабжена транспортировочным элементом, транспортирующим подложку с нанесенной на нее проводящей пастой, секцией нагрева, которая нагревает подложку и вжигает проводящую пасту, и секцией охлаждения, которая охлаждает нагретую подложку.
РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЙ СПЕЧЕННЫЙ МАГНИТ R-T-B // 2559035
Редкоземельный спеченный магнит состоит по существу из 26-36 вес.% R, 0,5-1,5 вес.% В, 0,1-2,0 вес.% Ni, 0,1-3,0 вес.% Si, 0,05-1,0 вес.% Cu, 0,05-4,0 вес.% M, а остальное - Т и случайные примеси, где R представляет собой редкоземельный элемент, Т представляет собой Fe или Fe и Со, М выбран из Ga, Zr, Nb, Hf, Ta, W, Mo, Al, V, Cr, Ti, Ag, Mn, Ge, Sn, Bi, Pb и Zn.
Способ изготовления солнечного элемента содержит этапы формирования pn-перехода в полупроводниковой подложке, формирования пассивирующего слоя на светопринимающей поверхности и/или не принимающей свет поверхности полупроводниковой подложки и формирования электродов отбора мощности на светопринимающей поверхности и не принимающей свет поверхности.
МОДУЛЬ СОЛНЕЧНОЙ БАТАРЕИ // 2526894
Раскрыт модуль солнечной батареи, в котором расположены поочередным образом: первый солнечный элемент, содержащий подложку первого типа проводимости, имеющую светоприемную поверхность и несветоприемную поверхность и электроды взаимно противоположной полярности, соответственно сформированные на светоприемной и несветоприемной поверхностях, и второй солнечный элемент, содержащий подложку второго типа проводимости, имеющую светоприемную поверхность и несветоприемную поверхность и электроды взаимно противоположной полярности, соответственно сформированные на светоприемной и несветоприемной поверхностях, при этом солнечные элементы отрегулированы во время изготовления таким образом, что разность в плотности тока короткого замыкания между первым и вторым солнечными элементами составляет вплоть до 20%.
Изобретение относится к быстроотверждаемой при комнатной температуре композиции органополисилоксана, которая может применяться в качестве силиконового герметика и адгезива. .
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к изготовлению редкоземельных постоянных магнитов. .
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к изготовлению редкоземельных постоянных магнитов. .
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к спеченным редкоземельным постоянным магнитам. .
РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЙ ПОСТОЯННЫЙ МАГНИТ // 2377681
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению спеченных редкоземельных постоянных магнитов на основе R-Fe-B. .
РЕДКОЗЕМЕЛЬНЫЙ ПОСТОЯННЫЙ МАГНИТ // 2377680
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению спеченных редкоземельных постоянных магнитов на основе R-Fe-B. .
Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к получению редкоземельного постоянного магнита системы R-Fe-B. .
