Изобретение относится к способу легирования материала, включающему образование на поверхности материала, подлежащего легированию, реакционноспособных групп, нанесение по меньшей мере одного слоя легирующей добавки или части слоя легирующей добавки на поверхность материала, подлежащего легированию, и/или на поверхность его части или частей методом послойного атомного осаждения (методом ALD), и дополнительную обработку материала, покрытого легирующей добавкой, таким образом, что первоначальную структуру слоя легирующей добавки изменяют с получением новых свойств легированного материала.