Патенты принадлежащие ОптоГаН Ой (FI)

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА // 2431218

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ СТРУКТУРА И СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ // 2391746

Изобретение относится к полупроводниковым структурам с повышенной способностью к рассеянию света. .

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ГЕТЕРОСТРУКТУРА // 2376680

ПОЛУПРОВОДНИКОВАЯ ПОДЛОЖКА, ПОЛУПРОВОДНИКОВОЕ УСТРОЙСТВО И СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ ПОДЛОЖКИ // 2368030

Изобретение относится к полупроводниковым структурам, полученным на полупроводниковой подложке с пониженной плотностью пронизывающих дислокаций. .

Подписаться на новые патенты этого владельца

Отправить сообщение владельцу патента

Я этот человек или организация

Наверх