Патенты принадлежащие Закрытое акционерное общество "ЭПИ-ЦЕНТР" (RU)

Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов, а более конкретно к полупроводниковым светодиодам на основе нитридных соединений металлов III группы - алюминия, галлия, индия (AIIIN).

Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов, в частности к светодиодам на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы. .

Изобретение относится к области полупроводниковых светоизлучающих приборов, в частности к светодиодам на основе твердых растворов нитридов металлов третьей группы. .
Наверх