Патенты принадлежащие Учреждение Российской академии наук Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН (RU)

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, точнее - к компактным источникам лазерного излучения в инфракрасном диапазоне длин волн, а именно к полупроводниковым одночастотным источникам инфракрасного (ИК) излучения на основе лазера с дисковым резонатором, работающего на модах шепчущей галереи (Whispering Gallery Modes - WGM).

Фотокатод // 2454750
Изобретение относится к области электровакуумной электронной техники. .

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано в магнитометрии, квантовой оптике, биомедицине, а также в информационных технологиях, основанных на квантовых свойствах спинов и одиночных фотонов.

Изобретение относится к области физико-химических процессов обработки неорганических материалов. .

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к конструкции солнечного фотоэлектрического субмодуля, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую.

Изобретение относится к устройствам преобразования световой энергии в электрическую и может быть использовано как в концентраторных фотоэлектрических модульных установках, так и в космических солнечных батареях.

Изобретение относится к области создания полупроводниковых приборов, в частности к технологии изготовления фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) концентрированного солнечного или теплового излучения нагретых тел.

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу получения чипов солнечных фотоэлементов, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую.

Изобретение относится к области солнечной энергетики. .

Изобретение относится к технологии изготовления мощных полупроводниковых приборов, точнее к технологии изготовления биполярных мощных кремниевых высоковольтных диодов, транзисторов и тиристоров.

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к полупроводниковым частотно-перестраиваемым источникам инфракрасного (ИК) излучения на основе лазера с дисковым резонатором, работающего на модах шепчущей галереи (Whispering Gallery Modes-WGM).

Изобретение относится к области создания полупроводниковых приборов, чувствительных к излучению, и может использоваться в технологиях по изготовлению омических контактных систем к фотоэлектрическим преобразователям (ФЭП) с высокими эксплуатационными характеристиками, и, в частности, изобретение относится к формированию контактов к слоям GaAs n-типа проводимости, являющимся фронтальными слоями ряда структур концентраторных ФЭП, способных эффективно преобразовывать падающее излучение мощностью 100-200 Вт/см2.

Изобретение относится к области фотоэлектрического преобразования энергии, в частности к системам с расщеплением солнечного спектра на длинноволновый и коротковолновый диапазоны.

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов. .

Изобретение относится к способу изготовления каталитического материала для топливного элемента. .

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к конструкциям фотоэлектрических преобразователей концентрированного солнечного излучения на основе гетероструктур.

Изобретение относится к электронной технике и может найти применение в качестве источников электронных потоков в лучевых приборах.

Изобретение относится к технике спектроскопии электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) и может найти применение при исследованиях конденсированных материалов и наноструктур методом ЭПР в физике, химии, биологии и др.

Изобретение относится к технике спектроскопии электронного парамагнитного резонанса (ЭПР). .

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, в частности к устройствам преобразования световой энергии в электрическую, и может быть использовано в концентраторных фотоэлектрических модульных установках.

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике, конкретно - к устройствам, осуществляющим преобразование световой информации в электрическую, и может быть использовано в качестве координатно-чувствительного датчика для измерения положения одиночного светового пятна в устройствах, предназначенных для определения координат различных объектов, контроля смещения объектов в пространстве, измерения их размеров и т.п.

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике. .

Изобретение относится к полупроводниковой технике, квантовой оптоэлектронике и может быть использовано для разработки мощных когерентных импульсных источников излучения на основе эпитаксиально-интегрированных гетероструктур.

Изобретение относится к технике спектроскопии электронного парамагнитного резонанса (ЭПР) при исследованиях наноструктур методом ЭПР.

Изобретение относится к технике спектроскопии электронного парамагнитного резонанса (ЭПР), может использоваться при изготовлении и настройке спектрометров ЭПР 3 мм диапазона, а также для контрольно-проверочных работ на спектрометрах 3 мм диапазона во время их эксплуатации.

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу создания солнечных элементов, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую.

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу создания фотоэлектрических преобразователей, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую.

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к имитаторам солнечного излучения на основе импульсных газоразрядных ламп для измерения световых вольтамперных характеристик и других фотоэлектрических параметров солнечных фотоэлементов и фотоэлектрических модулей с концентраторами излучения.

Изобретение относится к измерительной технике и предназначено для бесконтактного неразрушающего контроля качества чипов полупроводниковых фотопреобразователей.

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к устройствам, позволяющим имитировать реальное солнечное излучение искусственными источниками света.

Изобретение относится к способам, осуществляющим определение пространственного положения и энергии релятивистских частиц, потоков ионизирующего излучения и светового излучения.

Изобретение относится к области создания полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению, в частности к изготовлению фотоэлектрических преобразователей на основе полупроводников А3B5, и может использоваться для создания узкозонных фотопреобразователей на основе германия, которые являются частью каскадных солнечных элементов и термофотопреобразователей (ТФЭП), применяемых в системах автономного электроснабжения.

Изобретение относится к области солнечной энергетики, и в частности к фотоэнергетическим установкам, и может найти применение в солнечных электростанциях для преобразования солнечной энергии в электрическую, а также может быть использовано в качестве энергетической установки индивидуального пользования.

Изобретение относится к солнечной энергетике и может найти применение как в солнечных электростанциях, так и в качестве энергетической установки индивидуального пользования.

Изобретение относится к термоэлектрическому приборостроению, в частности к конструкциям и материалам, используемым в термоэлектрических элементах (ТЭЭ) и термоэлектрических батареях (ТЭБ).
Мы будем признательны, если вы окажете нашему проекту финансовую поддержку!

 


Наверх