Изобретение относится к микроэлектронике, в частности к области создания твердотельных полупроводниковых светоизлучающих устройств на основе полупроводниковых материалов, и может быть использовано при конструировании высоконадежных и эффективных светоизлучающих элементов в широком диапазоне УФ-, видимого, в том числе «белого» и ИК-излучения.