Патенты принадлежащие Инновационно-технический центр Общество с ограниченной ответственностью "СИТИС" (RU)

Изобретение относится к технологии высокотемпературной кристаллизации из расплава и может быть использовано для получения крупных монокристаллов. .

Изобретение относится к технологии высокотемпературной кристаллизации из расплава и может быть использовано для получения крупных монокристаллов оксидов металлов. .

Изобретение относится к технологии нанесения порошкообразного диэлектрического сырья на подложки, размещенные в технологических объемах с любой контролируемой атмосферой под давлением от глубокого вакуума до выше атмосферного.

Изобретение относится к области технологий синтеза неорганических материалов, в частности к получению оксидов металлов или их смесей из жидких алкильных или алкоголятных соединений металлов, например оксида цинка из диметилцинка или оксида алюминия из изопропилата алюминия.
Наверх