Патенты принадлежащие Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственная фирма "Топаз-К" (RU)
Изобретение относится к полупроводниковой технологии, в частности к способам получения гетероэпитаксиальных структур кремния на сапфире, и может быть использовано в электронной технике при изготовлении полупроводниковых приборов.
