Патенты принадлежащие Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ) (RU)
Изобретение относится к области высокоточных методов измерения расхода прокачиваемых через трубопроводы жидкостей или газов. .
Изобретение относится к области электрохимических процессов, а конкретно к анодному окислению металлов и полупроводников. .
Изобретение относится к измерительной технике и может применяться в интегральных гироскопах вибрационного типа. .
Изобретение относится к полупроводниковой электронике, полупроводниковым приборам - биполярным структурам, обладающим чувствительностью к воздействию магнитного поля. .
Изобретение относится к технологии микро- и наноэлектроники. .
Изобретение относится к средствам радиолокационного определения параметров движущихся объектов и может быть использовано при измерении его скорости. .
Изобретение относится к области нанотехнологии и наноэлектроники, а конкретно - к получению латерально расположенных нитевидных нанокристаллов оксида цинка. .
Изобретение относится к гироскопическим приборам и может быть использовано в системах управления подвижных объектов различного назначения в качестве индикаторов угловой скорости. .
Изобретение относится к способу измерения параметров электрической сети - амплитудных и действующих значений токов и напряжений в информационно-управляющих комплексах для АСУ распределенными энергообъектами и производствами.
Изобретение относится к области полупроводниковых преобразователей энергии, а более конкретно к солнечным элементам со сверхтонким поглощающим слоем. .
Изобретение относится к инерциальным приборам и может быть использовано в системах управления подвижных объектов различного назначения, а также индикаторах движения объектов. .