Патенты принадлежащие САМСУНГ ЛЕД КО., ЛТД. (KR)

Изобретение относится к нитридному полупроводниковому светоизлучающему устройству. .

Изобретение относится к технологии выращивания слоя нитрида галлия с использованием эпитаксии металлоорганических соединений из газовой фазы и получению нитридного полупроводникового устройства. .
Наверх