Патенты принадлежащие КРИ, ИНК. (US)

КРИСТАЛЛ SiC ДИАМЕТРОМ 100 мм И СПОСОБ ЕГО ВЫРАЩИВАНИЯ НА ВНЕОСЕВОЙ ЗАТРАВКЕ // 2418891

Изобретение относится к полупроводниковым материалам и технологии их получения и может быть использовано в электронике. .

Подписаться на новые патенты этого владельца

Отправить сообщение владельцу патента

Я этот человек или организация

Наверх