Патенты принадлежащие Федеральное государственное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского государственного института электронной техники" (RU)
Изобретение относится к технологии микро- и наноэлектроники и может быть использовано в производстве гибридных микросистем анализа слабого магнитного поля. .
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОГО ВЫСОКОДОБРОТНОГО КРЕМНИЕВОГО МИКРОМЕХАНИЧЕСКОГО РЕЗОНАТОРА // 2435294
Изобретение относится к измерительной технике, а именно к интегральным высокодобротным кремниевым микромеханическим резонаторам, использующим в качестве резонирующего элемента балочные и консольные структуры из монокристаллического кремния, размещенные в капсулах с высоким вакуумом, и, в частности, применяемым в качестве чувствительных элементов прецизионных преобразователей давления, микромеханических датчиков угловой скорости (гироскопов) и микромеханических датчиков ускорения.
