Патенты принадлежащие Открытое акционерное общество "Московский завод "САПФИР" (RU)

Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов, чувствительных к инфракрасному излучению, и может быть использовано при изготовлении фотодиодов на кристаллах InSb n-типа проводимости (изготовление p-n-переходов), фототранзисторов (изготовление базовых областей на кристаллах n-типа проводимости и эмиттеров и омических контактов на кристаллах p-типа проводимости), фоторезисторов на основе кристаллов p-типа проводимости (омические контакты).
Изобретение относится к электропроводящему клею на основе связующего модифицированной эпоксидной смолы с отвердителем аминного типа и наполнителем и может использоваться в производстве оптико-электронных приборов.

Изобретение относится к полупроводниковым приборам, чувствительным к инфракрасному излучению, и может быть использовано при производстве охлаждаемых одноэлементных, линейных и матричных приемников излучения с фоточувствительными элементами - планарными фотодиодами на антимониде индия (InSb).
Изобретение относится к клеящим веществам на основе модифицированных эпоксидных смол и может использоваться в производстве вакуумных оптико-электронных приборов, в том числе охлаждаемых фотоприемников, подвергающихся многократным термоударам.

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике, в частности к устройствам для бесконтактного измерения температуры букс подвижного состава железных дорог. .
Наверх