Изобретение относится к кристаллоносителю (15) для контактирования с чипом (16) и антенной (13), расположенной на несущей ее подложке (17). Технический результат заключается в обеспечении минимальной толщины слоистой структуры, состоящей из несущей антенну подложки и кристаллоносителя.