Патенты принадлежащие СЭН-ГОБЭН КРИСТО & ДЕТЕКТЁР (FR)
Изобретение относится к способу изготовления высококачественных пластин нитрида галлия эпитаксиальным выращиванием с низкой плотностью дислокации на подложке и отделением от исходной подложки, а также к полупроводниковым пластинам, имеющим кристалл GaN.
