Патенты принадлежащие федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ) (RU)

Изобретение относится к области металлургии, а именно к устройствам из материала с обратимой памятью формы, и может быть использовано в микромеханике, медицине, радиотехнике и т.д. Способ изготовления функционального материала с обратимой памятью формы из квазибинарного сплава интерметаллической системы TiNi-TiCu включает получение материала из сплава интерметаллической системы TiNi-TiCu в аморфном состоянии, его деформацию со степенью деформации ниже максимального значения псевдопластической мартенситной деформации сплава, закрепление его в деформированном состоянии и нагрев деформированной области путем воздействия лазерным излучением до температуры выше температуры кристаллизации сплава.

Изобретение относится к медицине, а именно к лабораторной диагностике, и может быть использовано для создания наборов микросфер, оптически кодированных за счет нанесения на их поверхность слоев противоположно заряженных полиэлектролитов и слоев водорастворимых флуоресцентных нанокристаллов и несущих на своей поверхности распознающие биологические молекулы.

Использование: для создания регенеруемого биосенсора. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает в себя изготовление подложки биосенсора с массивом нанопроволок, формирующих фотонный кристалл, подготовку поверхности подложки для модификации аффинными молекулами, активацию поверхности аффинными молекулами, специфичными к целевым аналитам, присутствие целевых аналитов выявляют добавлением специфичных к ним детектирующих молекул, несущих на себе флуоресцентную метку, выбранную таким образом, чтобы максимум флуоресценции метки совпадал по длине волны с резонансной модой фотонного кристалла, приводя к увеличению интенсивности флуоресценции метки на этой длине волны, после чего поверхность биосенсора регенерируют для повторных использований.

Изобретение относится к области вычислительной техники, а именно к аппаратам линейного программирования. Технический результат - увеличение быстродействия заявленного устройства.

Изобретение относится к медицине и может быть использовано для автоматизированного анализа клеток крови посредством описания лейкоцитов на основе оптических особенностей структуры ядер. Для этого в компьютерном анализаторе изображений клеток определяют количественные характеристики клетки крови, значения которых получают расчетным путем на основании измерений, выполненных по микроскопическим изображениям внутренних структур ядра лейкоцита.

Изобретение относится к области цифровой вычислительной техники и может быть использовано в устройствах цифровой автоматики. Техническим результатом является увеличение быстродействия, уменьшение аппаратных затрат в декадах двоично-десятичных счетчиков и повышение надежности за счет упрощения конструкции устройства.

Изобретение относится к области вычислительной техники и используется, в частности, для арбитража в системах обработки информации при организации передачи данных между устройствами. Технический результат - расширение функциональных возможностей в части формирования K указателей старших единиц в порядке старшинства приоритетов.

Изобретение относится к защите компьютерной информации. Технический результат - повышение криптостойкости и быстродействия нелинейного преобразования.

Изобретение относится к области вычислительной техники и может быть использовано для арбитража в системах обработки информации при организации передачи данных от абонентов к устройству общего пользования.

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и предназначено для измерения линейных перемещений по трем взаимоортогональным осям. Интерферометр содержит одночастотный лазер, коллиматор для ввода излучения в транспортное волокно, коллиматор, вводящий излучение в оптическую схему, акустооптический модулятор, формирующий опорное и измерительное плечи интерферометра, поляризационный светоделитель, позволяющий развести лучи на расстояние, достаточное для их независимого использования зеркалами, систему зеркал, которая расположена вокруг пьезоэлектрического стола, триппель-призмы, закрепленные на пьезоэлектрическом столе так, что их оси симметрии проходят через центр вращения пьезоэлектрического стола, фотоприемники, подключенные к соответствующим измерительным входам фазометра, а также генератор сдвиговой частоты, связанный с акустооптическим модулятором и опорным входом фазометра.

Использование: для полупроводниковых лазеров, возбуждаемых током, светом, электронным пучком. Сущность изобретения заключается в том, что конструкция полупроводникового лазера на основе гетероструктуры, содержащая лазерный кристалл, теплоотвод со стороны эпитаксиальных слоев гетероструктуры, подводящие ток электроды и гибкие электрические проводники, при этом подводящие ток электроды расположены параллельно оси резонатора лазерного кристалла, а гибкие электрические проводники соединяют подложку гетероструктуры непосредственно с электродами одной полярности.

Изобретение относится к приборам твердотельной электроники и, в частности, к конструкции мощных транзисторов для СВЧ применений. Предлагается мощный сверхвысокочастотный транзистор на основе нитрида галлия, состоящий из подложки, гетероэпитаксиальной структуры на основе соединений нитрида галлия, нанесенной на подложку, электродов, включающих исток, затвор и сток, нанесенных на гетероэпитаксиальную структуру и пространственно-разделенных между собой, пассивационной диэлектрической пленки, нанесенной на гетероэпитаксиальную структуру между контактами электродов, теплоотвода, сформированного на гетероэпитаксиальной структуре, и теплораспределительного слоя, при этом подложка выполнена из высокоомного кремния, а теплораспределительный слой расположен между контактом стока и теплоотводом.

Изобретение относится к ядерной технике, а именно к конструкции отражателей нейтронов быстрых ядерных реакторов. В ядерном реакторе активная зона окружена свинцовым отражателем нейтронов.

Изобретение относится к порошковой металлургии. Металлический порошок засыпают в матрицу.

Изобретение относится к электролюминесцентному устройству. Устройство включает дырочный инжектирующий слой, дырочный транспортный слой, электронный блокирующий слой, активный люминесцентный слой на основе люминесцентного вещества, дырочно-блокирующий слой, электронный транспортный слой, электронный инжектирующий слой.

Изобретение относится к измерительной технике и может найти применение в атомной энергетике, охране окружающей среды для высокочувствительного контроля долгоживущего глобального радионуклида 14C в газовой фазе технологического процесса переработки отработавшего ядерного топлива в режиме реального времени.

Изобретение относится к области метрологии и может быть использовано для определения частоты и времени, в частности при создании атомных стандартов частоты и атомных часов. В заявленном способе получения и детектирования ионов изотопов торий-229 и торий-232 с различной кратностью заряда предусмотрено испарение и ионизация тория, фильтрация ионов по энергии и фильтрация ионов по отношению массы к заряду, улавливание ионов тория выбранной степени заряда в квадрупольной ионной ловушке линейной конфигурации.

Изобретение относится к вычислительной технике, предназначено для суммирования двоичных чисел и может быть использовано в системах передачи и обработки информации для цифровой обработки сигналов, при решении комбинаторных задач.

Изобретение относится к области микроэлектроники, а именно к технологии изготовления интегрального элемента логики и/или энергонезависимой памяти на основе структур металл-изолятор-металл (МИМ). Задачей данного изобретения является создание мемристора, который отличается отсутствием «формовки» при первоначальном переключении структуры в состояния с малым сопротивлением.

Изобретение относится к области порошковой металлургии, в частности к способам электроимпульсного прессования порошка, и служит для изготовления плотных изделий из электропроводных порошков или частиц.

Изобретение относится к полупроводниковым нитридным наногетероструктурам и может быть использовано для изготовления светодиодов видимого диапазона с длиной волны 460±5 нм. Указанный синий флип-чип светодиод на нитридных гетероструктурах содержит металлические электроды p-типа, нитридный слой p-типа, III-нитридную активную область, III-нитридный слой n-типа, подложку из карбида кремния с текстурированной полуполярной или неполярной поверхностью, выполненной в виде нанообразований, размеры которых и расстояние между которыми сравнимы с длиной волны излучения.

Изобретение относится к технологии тонких пленок, в частности к способу формирования равномерных по толщине пленок оксида церия (CeO2) на подложках сложной пространственной конфигурации, и может быть использовано для создания равномерных по толщине пленок оксида церия при решении ряда задач нанотехнологии, энергосберегающих технологий, в электронной, атомной и других областях науки и техники.

Изобретение относится к нитрид-галлиевым транзисторам с высокой подвижностью электронов (GaN HEMT) и в частности к конструкции GaN НЕМТ для высоковольтных применений. Нитрид-галлиевый транзистор с высокой подвижностью электронов выращивается на кремниевой подложке с нанесенной на нее темплейтной структурой толщиной 700-800 нм, состоящей из чередующихся слоев GaN/AlN толщиной не более 10 нм, между буферным и барьерным слоями внедряется спейсерный слой AlN толщиной не более 1 нм, на пассивационный слой наносится полевая пластина, электрически соединенная с затвором, расстояние между затвором и стоком и длина полевой пластины - взаимосвязанные величины и подбираются исходя из требуемого значения напряжения пробоя.

Изобретение относится к области низкофоновых экспериментов по поиску редких событий, например взаимодействий темной материи с обычным веществом, и может быть использовано для экспериментов по исследованию взаимодействия нейтрино (антинейтрино) с энергией 1-100 МэВс веществом.

Изобретение относится к твердотельной электронике, в частности к технологии изготовления высоковольтных карбидокремниевых полупроводниковых приборов на основе p-n-перехода с использованием ионной имплантации.

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано для получения слоев карбида кремния при изготовлении микроэлектромеханических устройств, фотопреобразователей с широкозонным окном 3С-SiC, ИК-микроизлучателей.

Изобретение относится к вычислительной технике, в частности к устройствам обработки данных, и может быть использовано для построения средств автоматики, функциональных узлов систем управления. Техническим результатом является упрощение устройства за счет использования однотипных элементов, регулярной структуры и связей, упрощение увеличения разрядности входной информации.

Изобретение относится к области электротехники, а именно к способу изготовления токоснимающей фольги суперконденсатора с двойным электрическим слоем (КДЭС). Техническим результатом изобретения является повышение мощности суперконденсатора за счет снижения паразитного контактного сопротивления на границе электрода и токосъемника.

Изобретение относится к вычислительной технике и электросвязи, предназначено для решения задач защиты компьютерной информации. Наиболее предпочтительной областью использования изобретения является построение генераторов псевдослучайных чисел (ГПСЧ), а также криптографических примитивов хеширования, блочного и поточного шифрования. Техническим результатом изобретения является повышение криптостойкости и увеличение быстродействия итеративного криптографического преобразования данных. Указанный технический результат при осуществлении изобретения достигается тем, что в итеративном криптографическом преобразовании данных, включающем формирование из секретного ключа с помощью процедуры разворачивания ключа последовательности раундовых ключей K1, K2,…, KR, где R - число раундов преобразования; формирование по входному блоку М блока С в соответствии с выражением С:=М; выполнение R раундов преобразования, при этом преобразование блока данных на i-м раунде записывается в виде С:=Е(С, Ki), где Е() - раундовая функция преобразования, Ki - раундовый ключ, используемый на i-м раунде, полученное значение С:=Е(С, Ki) при i<R поступает на вход следующего раунда, а результат действия последнего раунда С:=Е(С, KR) является результатом преобразования; дополнительно из каждого раундового ключа Ki формируют N раундовых подключей Ki1, Ki2,…, KiN, где N - число траекторий раундовых преобразований в каждом раунде; при выполнении каждого i-го раунда создают N копий Сi1, Ci2,…, СiN входного блока данных С, каждую копию Cij подвергают стохастическому преобразованию Eij, которое записывается в виде Cij:=Eij(Cij, Kij), преобразованные значения Cij поступают на входы комбинационной схемы F, функцией которой является параллельная композиция различных траекторий раундовых преобразований, результат действия комбинационной схемы С:=F(Ci1, Сi2,…, CiN) объявляют результатом раунда. В частном случае стохастическое преобразование Еij включает представление входного блока Cij, промежуточных результатов преобразования и раундового подключа Kij в виде квадратного массива бит размерностью 8×8; сложение по модулю два (XOR) входного блока Cij и раундового подключа Kij, разбиение результата на строки r1, r2,…, r8 и выполнение для каждой строки операции замены с использованием таблицы S размерностью 8×256; разбиение результата на столбцы с1, с2,…, с8 и выполнение для каждого столбца операции замены с использованием таблицы S размерностью 8×256. Благодаря совокупности перечисленных решений увеличивается криптостойкость преобразования за счет выполнения последовательной и параллельной композиции раундовых преобразований и повышается быстродействие за счет появления возможности сокращения числа раундов и выполнения всех раундовых преобразований Cij:=Eij(Cij, Kij) параллельно.
Изобретение относится к области ядерной энергетики и может быть использовано в технологии производства спеченных керамических топливных таблеток с выгорающим поглотителем для ядерных реакторов. Для прессования таблеток используют смесь порошка диоксида урана, приготовленного по одной из известных технологий, с удельной поверхностью частиц 2,0-2,2 м2/г, ультрадисперсного порошка UO2 с удельной поверхностью 10,5-11 м2/г и нанокристаллических порошков оксидов Gd2O3, ТiO2, Nb2O5, Аl2О3, Сr2О3.

Изобретение относится к вычислительной технике и электросвязи, предназначено для решения задач защиты компьютерной информации, может использоваться при построении генераторов псевдослучайных чисел, а также криптографических примитивов хеширования, блочного и поточного шифрования.

Изобретение относится к области атомного и химического машиностроения, а именно к способам нанесения покрытий для защиты деталей от водородной коррозии. Технический результат - повышение работоспособности, надежности и увеличение долговечности деталей с покрытием.

Изобретение относится к огнеупорной промышленности и может быть использовано для изготовления хромсодержащих огнеупорных материалов для футеровки стекловаренных печей при утилизации радиоактивных отходов.

Изобретение относится к порошковой металлургии, в частности к технологии получения объемных ультрадисперсных и наноматериалов путем электроимпульсной консолидации порошков. Может использоваться при изготовлении изделий с высокими прочностными характеристиками.
Наверх