Патенты принадлежащие Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук (RU)

Солнечный фотоэлектрогенератор содержит солнечную батарею (2), установленную на верхней части платформы колесного транспортного средства (1), и устройство развертывания солнечной батареи из исходного компактного транспортного положения.
Способ изготовления фотоэлектрического преобразователя лазерного излучения включает выращивание методом жидкофазной эпитаксии в потоке очищенного водорода на подложке n-InP базового слоя n-InGaAsP, слоя р+-InGaAsP, формирование диффузионного р-n-перехода, утончение подложки InP, формирование фронтального и тыльного омических контактов, травление разделительной мезы.

Изобретение относится к солнечной энергетике, а именно к солнечным энергетическим системам, предназначенным для выработки электроэнергии путем фотоэлектрического преобразования солнечной энергии на поверхности Луны.

Изобретение относится к электронной технике и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования электрической энергии в световую. Cпособ изготовления инфракрасного светоизлучающего диода включает последовательное формирование многослойной светоизлучающей AlGaAs/GaAs гетероструктуры на подложке GaAs, первого электрода, металлического отражателя и подложки-носителя путем электрохимического наращивания хрома или иридия на поверхности металлического отражателя, удаление ростовой подложки GaAs, формирование световыводящей поверхности и второго электрода на открытой поверхности гетероструктуры.

Изобретение относится к электронной технике, в частности к способу изготовления светоизлучающих диодов, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования электрической энергии в световую.

Изобретение относится к технике измерения магнитного поля, к квантовым магнитометрам с оптической накачкой и детектированием. Оптический квантовый магнитометр содержит последовательно включенные в замкнутое кольцо автоматической подстройки частоты управляемый генератор, амплитудный модулятор, электрооптический модулятор, на оптический вход которого через устройство ввода лазерного излучения подается линейно поляризованное лазерное излучение, квантовый датчик в виде светопрозрачного контейнера с щелочным металлом, блок обработки сигналов в виде устройства измерения азимута поляризации лазерного излучения и устройства фазовой автоподстройки частоты.

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к солнечным энергетическим устройствам, предназначенным для выработки электроэнергии путем фотоэлектрического преобразования солнечной энергии на лунной поверхности.

Изобретение относится к технике связи и может использоваться в системах радиофотонной связи. Технический результат состоит в повышении мощности выходного электрического сигнала.

Использование: для определения химического состава вещества. Сущность изобретения заключается в том, что датчик химического состава вещества содержит пространственно разнесенные по меньшей мере один источник излучения и по меньшей мере один фотоприемник излучения, волновод с расположенной на нем чувствительной областью для размещения исследуемого вещества и оптически связанный по меньшей мере с одним источником и по меньшей мере с одним фотоприемником, причем по меньшей мере одна из поверхностей волновода выполнена в виде плоскости спайности, полученной при скалывании монокристалла, при этом волновод выполнен в виде стопки монокристаллических пластин, в которых область для размещения исследуемого вещества имеет оптический контакт с поверхностями, полученными при скалывании пластин по плоскостям спайности.

Изобретение относится к области трехмерных кристаллических топологических изоляторов. Слой топологического изолятора Pb1-xSnxTe:In на кристаллической подложке состоит из последовательно эпитаксиально выращенных на кристаллической подложке первого слоя Pb1-xSnxTe:In, где х=0,2-0.3 толщиной 0,5-1 мкм с концентрацией индия 0,2-2% и второго слоя Pb1-xSnxTe:In, где х≥0,3 толщиной 10-20 нм с концентрацией индия 0.1-1,5%.

Изобретение относится к технологии изготовления фоточувствительных элементов на основе полупроводниковых гетероструктур и может использоваться для создания ИК фотоприемников для спектрального диапазона 1.5-3.8 мкм.

Изобретение относится к технике связи и может использоваться в системах оптической связи. Технический результат состоит в отсутствии необходимости подводки проводной линии электропитания.
Изобретение относится к электронной технике, а именно к способам изготовления полупроводниковых структур многокаскадных (многопереходных) фотоэлектрических преобразователей оптического излучения с соединительными элементами между переходами.
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу изготовления фотоэлектрических преобразователей. Способ включает формирование гетероструктуры GaInP/Ga(In)As/Ge на германиевой подложке с фронтальным контактным слоем n-GaAs, омических контактов на поверхности контактного слоя n-GaAs, вскрытие оптических окон и напыление просветляющего покрытия, создание мезы с защитным покрытием, формирование тыльных омических контактов к германиевой подложке в мезе, нанесение защитного покрытия, наклеивание пластины защитным покрытием на диск-носитель, утонение германиевой подложки методом жидкостного химического травления, матирование утоненной германиевой подложки методом жидкостного химического травления, пассивацию утоненной германиевой подложки путем осаждения диэлектрического покрытия, осаждение светоотражающего покрытия из золота или серебра с защитным слоем золота, удаление защитного покрытия с одновременным откреплением пластины от диска-носителя и разделением пластины на чипы.

Настоящее изобретение относится к области полупроводниковой оптоэлектроники. Способ изготовления AlGaN-гетероструктур для солнечно-слепых фотокатодов ультрафиолетового диапазона включает отжиг подложки из сапфира при температуре (800-850)°С, нитридизацию поверхности подложки из сапфира в потоке активированного азота при температуре TS=(780-820)°С, последовательное выращивание методом плазменно-активированной молекулярно-пучковой эпитаксии зародышевого слоя AIN в режиме эпитаксии с повышенной миграцией атомов при температуре TS=(780-820)°C толщиной (60-130) нм, буферного слоя AIN в режиме металл-модулированной эпитаксии в слабых металл-обогащенных условиях при соотношении потоков алюминия и азота FN FAl/FN=1.05 толщиной 1-2 мкм и активного слоя AlGaN, легированного Mg, в металл-обогащенном режиме с непрерывным изменением содержания алюминия в слое от 80 до 37% толщиной (90-160) нм при температуре (680-700)°С путем уменьшения потока алюминия в процессе роста при неизменном соотношении (FAl + FGa)/FN потоков металлов (FAl, FGa) и азота.
Изобретение относится к получению наноструктурированного порошка литий-цинк-марганцевого феррита. Способ включает смешивание исходных реагентов, содержащих железо Fe, марганец Mn, цинк Zn, литий Li с деионизованной водой с образованием раствора.

Изобретение относится к области масс-спектрометрии. Технический результат - повышение разрешающей способности масс-спектрометрии.

Солнечная фотоэнергоустановка содержит вертикальную полую цилиндрическую опору (6), вал (9) с первым приводом (10), коаксиально установленный с возможностью вращения в полости цилиндрической опоры (6), раму (11) со вторым приводом (12) и с оптическим солнечным датчиком (13), установленную на верхнем торце вала (9) посредством цилиндрического шарнира (14), ось которого ортогональна оси вала (9).

Изобретение относится к измерительной и диагностической технике, более конкретно к ближнеполевой микроскопии в терагерцовой (ТГц) области спектра. Терагерцовый субволновый сканирующий микроскоп содержит непрерывный лазер, гальванометр с зеркалами для х-у сканирования, расширитель пучка, фокусирующую линзу, эмиттер терагерцового излучения, оптический криостат, спектрометр, некогерентный детектор терагерцового излучения, параболические зеркала для сбора и доставки терагерцового излучения к некогерентному детектору терагерцового излучения.

Использование: для определения расстояния между NV дефектом и замещающим азотом N в кристалле алмаза. Сущность изобретения заключается в том, что осуществляют воздействие на образец кристалла алмаза сфокусированным лазерным излучением, возбуждающим в рабочем объеме образца фотолюминесценцию (ФЛ), по которой регистрируют сигнал оптически детектируемого магнитного резонанса (ОДМР), и перестраиваемым по частоте радиочастотным электромагнитным полем, модулированным низкой частотой, выполняют измерение интенсивности ФЛ NV дефекта в рабочем объеме кристалла алмаза при различной частоте перестраиваемого радиочастотного электромагнитного поля, осуществляют определение отношения интенсивности боковой линии ОДМР, обусловленной взаимодействием NV дефекта с замещающим азотом N в кристалле алмаза, к интенсивности центральной линии ОДМР NV дефекта при различной частоте перестраиваемого радиочастотного электромагнитного поля и определяют расстояние между NV дефектом и замещающим азотом N в кристалле алмаза с использованием ранее построенной градуировочной зависимости расстояния между NV дефектом и замещающим азотом N в кристалле алмаза от отношения интенсивности боковой линии ОДМР, обусловленной взаимодействием NV дефекта с замещающим азотом N в кристалле алмаза, к интенсивности центральной линии ОДМР NV дефекта, при этом для построения вышеупомянутой градуировочной зависимости измеряют интенсивность ФЛ NV дефекта в рабочем объеме контрольных образцов кристалла алмаза с известной концентрацией замещающего азота N, для каждого контрольного образца определяют отношение интенсивности боковой линии ОДМР, обусловленной взаимодействием NV дефекта с замещающим азотом N, к интенсивности центральной линии ОДМР NV дефекта при различной частоте перестраиваемого радиочастотного электромагнитного поля, снимают первую градировочную кривую зависимости отношения интенсивности боковой линии ОДМР, обусловленной взаимодействием NV дефекта с замещающим азотом N в кристалле алмаза, к интенсивности центральной линии ОДМР NV дефекта от концентрации замещающего азота N и строят градуировочную кривую зависимости расстояния между NV дефектом и замещающим азотом N в кристалле алмаза от отношения интенсивности боковой линии ОДМР, обусловленной взаимодействием NV дефекта с замещающим азотом N в кристалле алмаза, к интенсивности центральной линии ОДМР NV дефекта путем пересчета концентраций замещающего азота N в расстояния между NV дефектом и замещающим азотом N по определенному соотношению.

Группа изобретений относится к области сенсорной техники, в частности к газовым сенсорам хеморезистивного типа и к способам их изготовления. Газовые сенсоры хеморезистивного типа, которые широко применяются для детектирования примесей в окружающей атмосфере.

Концентраторный фотоэлектрический модуль с планарными элементами включает по меньшей мере один планарный неконцентраторный кремниевый фотоэлектрический преобразователь (3) с двухсторонней чувствительностью, множество концентраторных А3В5 фотоэлектрических преобразователей (5), смонтированных на теплоотводящие основания (6), и расположенных на поверхности неконцентраторного фотоэлектрического преобразователя (3), закрытого защитной светопрозрачной панелью (4), концентрирующую оптическую систему (7), состоящую из множества собирающих линз (8).

Изобретение относится к солнечной энергетике и может быть использовано в космических концентраторных солнечных энергоустановках при базировании на космическом летательном аппарате. Концентраторная солнечная батарея включает основание, параболоцилиндрические концентраторы с зеркальной внутренней поверхностью отражения, установленные на основании, цилиндрические направляющие которых параллельны основанию и друг другу, линейные цепочки фотоэлектрических преобразователей, установленные на верхней кромке тыльной стороны каждого последующего концентратора в фокальной линии каждого предыдущего концентратора.

Изобретение относится к термоядерной мишени непрямого инициирования. Мишень содержит капсулу с горючим и оболочку, удерживающую рентгеновское излучение, создаваемое при облучении ее внутренней поверхности внешним лазерным излучением.

Солнечная фотоэлектрическая станция включает раму (1) солнечных элементов (2), прикрепленную к промежуточной раме (4), выполненной в виде круглой цилиндрической балки, снабженной приводом (6), оптическим солнечным датчиком (7), чувствительным к смещению Солнца в плоскости эклиптики, и установленную с возможностью вращения в вертикальной плоскости посредством первых цилиндрических шарниров (11) на двух стойках (12), (13), прикрепленных к основанию (14), одна из которых снабжена механизмом (16) ее вертикального возвратно-поступательного перемещения.

Солнечный фотоэлектрический модуль включает, по меньшей мере, два субмодуля (1), каждый субмодуль (1) содержит зеркальный параболический концентратор (5) солнечного излучения и солнечный элемент (6), расположенный в фокусе зеркального параболического концентратора (5).

Изобретение относится к области полупроводниковой оптоэлектроники и может найти применение в системах квантовой криптографии и квантовых вычислений, при создании прецизионного спектрального оборудования и эталонов оптической мощности.
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу изготовления фотоэлектрических преобразователей, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую.
Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности, к фотоэлектрическим преобразователям, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую.

Способ изготовления светоизлучающего диода на основе гетероструктуры AlGaAs/GaAs включает формирование фронтального омического контакта на поверхности контактного слоя GaAs, травление световыводящей поверхности AlGaAs/GaAs по маске фронтального омического контакта и текстурирование по маске фронтального омического контакта световыводящей поверхности светоизлучающего диода жидкостным химическим селективным стравливанием контактного слоя GaAs гетероструктуры в травителе, содержащем гидроксид аммония (NH4OH), перекись водорода (H2O2) и деионизованную воду, и последующим травлением слоя AlGaAs гетероструктуры на глубину (0,8-1,1) мкм в травителе, содержащем фторид аммония (NH4F), фтороводород (HF), перекись водорода и деионизованную воду.
Изобретение относится к способу получения частиц золота нанометрового размера, которые находят применение в производстве компьютеров, оптоволоконных приборов, сенсоров, а также в медицине. Наночастицы золота получают путем заполнения каналов хризотила Mg3Si2O5(OH)4 водным раствором тетрахлороаурата водорода HAuCl4, сушки хризотила с заполненными каналами на воздухе и восстановления золота до металла в потоке водорода при нагревании до 250°С в течение 2-6 ч.

Изобретение относится к области интегральной оптики, а точнее к способам точной подстройки контраста интегрально-оптических интерферометров Маха-Цендера. Способ подстройки интегрально-оптического интерферометра Маха-Цендера включает предварительное формирование на поверхности волноводов в обоих плечах интерферометра областей металлизации, подачу на вход интерферометра рабочего оптического излучения, выбор для подстройки интенсивности плеча интерферометра путем воздействия на области металлизации пятном корректирующего лазерного излучения диаметром 5-10 мкм и интенсивностью от 103 Вт/мм2 до изменения величины сигнала рабочего оптического излучения на выходе интерферометра, воздействие на выбранный для подстройки участок плеча интерферометра в области металлизации пятном корректирующего лазерного излучения до момента достижения заданной величины контраста интерферометра.

Изобретение относится к фотонике, а именно к методам и устройствам для анализа химического состава вещества (воздуха, жидкостей и твердых тел). Датчик химического состава вещества содержит по меньшей мере одну первую полупроводниковую структуру (1) с р-n переходом (2) и по меньшей мере одну вторую полупроводниковую структуру (3) с р-n переходом (4), оптически связанные и пространственно разнесенные на прозрачной в рабочем диапазоне длин волн подложке (5), чувствительную область (6) для размещения исследуемого вещества, расположенную с тыльной стороны подложки (5), и электрические контакты (8), (9) и (10), сформированные соответственно на р-слое и на n-слое соответственно первой (1) и второй (3) полупроводниковой структуры.

Способ изготовления нитридного светоизлучающего диода включает последовательное формирование на диэлектрической подложке слоя нитридного полупроводника n-типа проводимости, активного слоя нитридного полупроводника, слоя нитридного полупроводника р-типа проводимости.

Люминесцирующее стекло относится к материалам квантовой электроники, оптики и может быть использовано в устройствах для отображения информации, электронно-лучевых приборах, индикаторной технике, светодиодах белого свечения, сцинтилляторах, катодо- и рентгенолюминофорах, визуализаторов альфа и бета излучения.

Изобретение относится к оптоэлектронной технике, а именно к методам контроля характеристик устройств, генерирующих лазерное излучение в среднем инфракрасном диапазоне длин волн от 4 до 9 мкм. Способ отбраковки квантово-каскадных лазеров включает подачу на лазер импульса тока прямоугольной формы с амплитудой, соответствующей рабочему току, с длительностью по уровню на половине от максимальной амплитуды в интервале 50-1000 нс, пропускание выходного излучения лазера через спектральный прибор с дисперсионным элементом, измерение зависимости вышедшего из спектрального прибора с дисперсионным элементом излучения лазера от времени через равные спектральные промежутки, определение скорости нагрева активной области лазера из зависимости интенсивности выходного излучения лазера от времени и длины волны генерации продольной моды резонатора, отбраковку квантово-каскадных лазеров со скоростью нагрева активной области более 0,05 К/нс.

Конструкция концентраторного фотоэлектрического модуля относится к солнечной энергетике, и может быть использована в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую. Концентраторный фотоэлектрический модуль включает фронтальную светопрозрачную панель (1), тыльную алюминиевую панель (2), боковые стенки (3).
Изобретение относится к силовой микроэлектронной технике, а более конкретно, к способам изготовления высоковольтных p-i-n структур из соединений А3В5. Способ изготовления полупроводниковой p-i-n структуры на основе соединений GaAs-AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии осуществляется путем предварительного отжига раствора-расплава исходной шихты и выращивания в едином технологическом цикле многослойной полупроводниковой структуры AlGaAs, сформированной из композиции последовательных эпитаксиальных слоев AlGaAs на подложке GaAs.
Способ изготовления фотоэлектрического концентраторного модуля включает формирование множества солнечных элементов, формирование вторичных концентраторов солнечного излучения, расположенных соосно над солнечными элементами, формирование панели первичных концентраторов, расположенных соосно над вторичными концентраторами.

Концентраторный фотоэлектрический модуль содержит монолитную фронтальную панель (3), боковые стенки (1) и тыльную панель (2), по меньшей мере один первичный оптический концентратор (4), по меньшей мере один вторичный оптический концентратор в форме фокона (9), меньшим основанием обращенным к фотоэлектрическому элементу (10) с теплоотводящим элементом (11), размещенным на фронтальной поверхности тыльной панели (2).

Концентраторная солнечная энергетическая установка содержит основание (1) с размещенной на нем солнечной батареей (2), набранной из рядов концентраторных фотоэлектрических модулей (3) с корпусами (4) прямоугольной или квадратной формы с отбортовками (5) для прикрепления силиконом-герметиком (6) панелей (7) из линз (8) Френеля и с фотоэлектрическими преобразователями (9), размещенными в фокусах линз (8) Френеля.

ПИРОМЕТР // 2726901
Изобретение относится к области измерительной техники и касается пирометра. Пирометр включает в себя по крайней мере два полупроводниковых инфракрасных фотоприемника с возрастающей по ходу входящих лучей граничной длиной волны фоточувствительности, расположенную по ходу входящих лучей оптическую кювету, заполненную газом или газовой смесью, поглощающей часть излучения в рабочем диапазоне длин волн, оптическую систему, обеспечивающую концентрацию излучения от измеряемого объекта по крайней мере на один из фотоприемников, и электронные блоки, обеспечивающие усиление, аналого-цифровое преобразование и обработку электрических сигналов, расчеты, передачу и визуализацию данных.

Изобретение относится к области оптоэлектроники. Устройство для получения поляризованного света со степенью линейной поляризации света ~(50-60):1 включает в себя источник (1) импульсного или постоянного неполяризованного света, в качестве которого используется, например, коммерческий светодиод на основе III-нитридов сине-зеленого, синего или ультрафиолетового диапазона (с длиной волны излучения в диапазоне 380-550 нм), и внешний поляризующий элемент (2), выполненный в виде подложки (3) из GaAs с ориентацией (001), на которой сформирован слой толщиной ~150-250 нм, состоящий из нанопластинок (4) двумерного кристалла GaSe, ориентированных вдоль выделенных направлений <111> подложки GaAs.

Способ изготовления нитридного светоизлучающего диода включает последовательное формирование на диэлектрической подложке слоя нитридного полупроводника n-типа проводимости, активного слоя нитридного полупроводника, слоя нитридного полупроводника р-типа проводимости.

Изобретение относится к солнечной фотоэнергетике, к мониторингу солнечных электростанций. Устройство мониторинга солнечной электростанции включает блок измерения параметров и отбора максимальной мощности солнечной батареи, блок коммутации, блок электронной нагрузки, блок управления, блок измерения параметров солнечного излучения, блок измерения параметров окружающей среды, блок передачи данных, включающий последовательно соединенные каналами связи модем, сервер и компьютер, блок контроля точности слежения за Солнцем и блок анализа данных, при этом блок контроля точности слежения за Солнцем включает цилиндрический корпус, в котором последовательно установлены входная диафрагма, полупрозрачный экран и регистрирующий элемент в виде позиционно-чувствительной матрицы.

Изобретение относится к солнечной энергетике, в частности к способу изготовления фотопреобразователей, и может быть использовано в электронной промышленности для преобразования световой энергии в электрическую энергию.

Установка слежения за Солнцем включает промежуточную раму в виде круглой цилиндрической балки (1), установленную с возможностью вращения посредством первых цилиндрических шарниров (2), (5) на двух стойках (3), (6), прикрепленных к основанию (4), раму (13) солнечных панелей, прикрепленную с возможностью вращения к балке (1) посредством опоры (17) со вторым цилиндрическим шарниром (18), ось которого лежит в плоскости, ортогональной осям первых цилиндрических шарниров (2), (5), и блок управления (25), подключенный первым и вторым выходами соответственно к первому и второму приводам (19), (21).

Использование: для создания высокочастотного спектрометра электронного парамагнитного резонанса. Сущность изобретения заключается в том, что высокочастотный спектрометр электронного парамагнитного резонанса включает микроволновый блок, криогенную систему, сверхпроводящий электромагнит, блок управления сверхпроводящим электромагнитом, микроволновую вставку для образца из немагнитного материала, систему регистрации и компьютер, при этом сверхпроводящий электромагнит и микроволновая вставка для образца расположены внутри криогенной системы, а выход микроволнового блока соединен с первым входом системы регистрации, вход/выход микроволнового блока соединен через переходник с входом/выходом микроволновой вставки для образца, вход/выход системы регистрации соединен с первым входом/выходом компьютера, выход блока управления сверхпроводящим электромагнитом соединен со сверхпроводящим электромагнитом, вход блока управления сверхпроводящим электромагнитом соединен с выходом компьютера, вход/выход криогенной системы соединен со вторым входом/выходом компьютера, микроволновая вставка для образца выполнена с возможностью вращения вокруг продольной оси в виде волновода круглого сечения диаметром 3-5 мм, закрытого на торце поперечной сплошной перегородкой.

Использование: для создания высокочастотного спектрометра электронного парамагнитного резонанса. Сущность изобретения заключается в том, что высокочастотный спектрометр электронного парамагнитного резонанса включает микроволновый блок, содержащий управляемый напряжением высокочастотный генератор, циркулятор и детектор микроволнового сигнала, генератор низкой частоты, криогенную систему, сверхпроводящий электромагнит, систему транспортировки микроволновой мощности на образец, блок управления сверхпроводящим электромагнитом, систему регистрации и компьютер, при этом сверхпроводящий электромагнит и система транспортировки микроволновой мощности на образец расположены внутри криогенной системы, выход управляемого напряжением высокочастотного генератора соединен с входом циркулятора, выход циркулятора соединен с входом детектора микроволнового сигнала, выход детектора микроволнового сигнала соединен с первым входом системы регистрации, вход/выход циркулятора соединен через переходник с входом/выходом системы транспортировки микроволновой мощности на образец, вход/выход системы регистрации соединен с входом/выходом компьютера, выход блока управления сверхпроводящим электромагнитом соединен со сверхпроводящим электромагнитом, вход блока управления сверхпроводящим электромагнитом соединен с выходом компьютера, первый выход генератора низкой частоты соединен со вторым входом системы регистрации, а второй выход генератора низкой частоты соединен с входом высокочастотного управляемого напряжением генератора, при этом система транспортировки микроволновой мощности на образец выполнена в виде волновода, закрытого на торце поперечной сплошной перегородкой.

Изобретение относится к способам изготовления фотоэлектрических преобразователей на основе GaSb, применяемых в солнечных элементах, термофотоэлектрических генераторах, в системах с расщеплением спектра солнечного излучения, в преобразователях лазерного излучения.
© Патентный поиск, поиск патентов на изобретения - FindPatent.RU 2012-2024
Политика конфиденциальности
Наверх