Патенты принадлежащие Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН) (RU)
Изобретение может быть использовано в терагерцовой (ТГц) спектроскопии и в ТГц изображающих системах в биомедицине, химической и фармацевтической промышленности, в системах неразрушающего контроля и безопасности и т.п..
Устройство защиты от короткого замыкания // 2760360
Изобретение относится к электротехнике и может использоваться в силовой электронике. Технический результат заключается в повышении надежности работы и защиты силовых MOSFET транзисторов в цепях питания постоянного тока напряжением 310 В от токов короткого замыкания.
Опора тигля для выращивания кристаллов // 2759623
Изобретение относится к оборудованию для выращивания кристаллов прямоугольной формы из расплава. Опора тигля выполнена в виде прямоугольного в поперечном сечении корпуса 1 с посадкой для установки тигля на опору 6 и посадкой для установки опоры на шток 5, и имеющего сквозные пазы 4, предназначенные для установки требуемого для конкретного технологического процесса количества прямоугольных пластин 3 с возможностью изменения их взаимного расположения в корпусе 1.
Изобретение относится к металлургии, а именно к получению изделий из сплавов молибдена, и может быть использовано для изготовления продукции, подверженной высокотемпературным условиям эксплуатации. Способ изготовления изделий из сплавов молибдена включает выплавку слитка сплава методом капельной электронно-лучевой плавки, горячую обработку давлением заготовок с получением изделий и их термообработку.
Изобретение относится к области выращивания смешанных монокристаллов сульфата кобальта-никеля-калия K2(Co,Ni)(SO4)2⋅6H2O (KCNSH) из водных растворов и может быть использовано в оптическом приборостроении для изготовления солнечно-слепых фильтров.
Изобретение может быть использовано в электронике для изготовления электронных компонентов. Способ изготовления контактов к тонким трехмерным чешуйкам слоистых кристаллов включает прижим контакта к кристаллу, для этого используют матрицу с предварительно сформированными на поверхности оксидированного кремния металлическими контактными дорожками - контактами, на которой размещают чешуйку слоистого кристалла толщиной от 100 нм до 1 мкм, так чтобы обеспечить ее перекрытие с контактными дорожками, а прижим контакта к кристаллу осуществляют путем однократного прижима второй полированной пластиной оксидированного кремния чешуйки кристалла.
Способ получения плосковыпуклых оптических элементов терагерцового диапазона из опала на основе кремнезема заключается в получении заготовки путем седиментации частиц аморфного кремнезема в емкости, высушивания и спекающего отжига при температуре от 900 до 1200°С.
Устройство для получения наночастиц из газов и паров жидкостей при сверхнизких температурах // 2756051
Изобретение относится к области нанотехнологии, а именно предлагаемое устройство позволяет получать частицы малых размеров (наночастицы) из материалов, которые существуют при комнатных температурах в виде газов или паров.
Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов сульфида цинка железом или хромом включает смешивание порошков сульфида цинка и порошка моносульфида легирующего металла с последующим выращиванием кристалла из расплава вертикальной зонной плавкой.
Изобретение относится к области металлургии, в частности к получению сплава Гейслера в виде слитков, пригодных для изучения свойств спин-поляризованного бесщелевого полупроводника Ti2MnAl. Способ получения слитков сплава Ti2MnAl из смеси алюминия, марганца и титана включает подготовку смеси алюминия, марганца и титана и ее плавление.
Устройство для измерения малых токов инжектированных зарядов в конденсированных средах предназначено для измерения малых токов ~ 10-15 А и регистрации их изменения во времени, а также записи результатов измерения на электронный носитель.
Сверхпроводящая цепь с эффектом близости // 2753673
Устройство относится к сверхпроводящим цепям с эффектом близости, позволяющим управлять спектром связанных Андреевских состояний. Предлагается сверхпроводящая цепь с эффектом близости, включающая монокристаллическую пластину силицида кобальта CoSi, ориентированную в кристаллографической плоскости (001), на которую нанесены контакты из ниобия.
Изобретение относится к высокотемпературным конструкционным композитным материалам с металлической матрицей и способам их получения. Высокотемпературный слоисто-волокнистый композит, с матрицей на основе Nb, твердого раствора Nb(Al), а также интерметаллидов Nb2Al и Nb3Al содержит слои Мо, твердого раствора Mo(Al) и интерметаллида Mo3Al, армированный волокнами монокристаллического сапфира и/или иттрий-алюминиевого граната, муллита, или волокнами эвтектических соединений на основе оксида алюминия и оксидов редкоземельных металлов, которые расположены однонаправленно в пределах одного слоя и во всем объеме композита, или направление укладки волокон меняется от слоя к слою.
Изобретение относится к области выращивания кристаллов. Способ легирования кристаллов селенида цинка хромом включает смешивание порошков селенида цинка и легирующей добавки и последующее выращивание кристалла из расплава под давлением аргона, при этом хром вводится в исходную загрузку в виде моноселенида хрома CrSe, а выращивание кристалла осуществляют вертикальной зонной плавкой.
Датчик измерения механических напряжений на основе микропроводов с положительной магнитострикцией // 2746765
Изобретение относится к измерительной технике и выполняет функцию датчика механических напряжений. Датчик состоит из аморфного ферромагнитного микропровода с положительной магнитострикцией, размещенного по оси дифференциальной измерительной катушки, и внешней катушки, задающей переменное магнитное поле вдоль оси микропровода.
Способ синтеза шпинели GaNb4Se8 // 2745973
Изобретение может быть использовано при создании мемристивных структур на основе шпинелей семейства «изоляторов Мотта». Способ синтеза шпинели GaNb4Se8 из элементарных веществ включает твердофазную химическую реакцию в вакуумированной и герметично запаянной кварцевой ампуле.
Способ записи и считывания информации для элементов постоянной памяти нейроморфных систем // 2744440
Изобретение относится к области структур памяти с использованием биологической модели, в частности к способу записи и считывания информации для элементов постоянной памяти нейроморфных систем. Технический результат заключается в обеспечении записи информации для системы долговременной резистивной памяти с единым каналом записи и считывания без необходимости использования внешних электрических полей затвора транзистора для записи информации.
Изобретение относится к области выращивания монокристаллических сапфировых заготовок из расплава для изготовления деталей из сапфира для оптических применений, микроскопии, измерительной техники. Способ получения торцевых поверхностей с кривизной на монокристаллах сапфира включает затравливание с поверхности формообразователя 1 на затравочный кристалл 3, выращивание из столба расплава 5 кристалла 4 требуемой формы и резкий отрыв кристалла 4 от формообразователя 1, который выполнен с цилиндрическими выемками 2 с диаметром рабочей поверхности d, равным или большим поперечных размеров поверхностей с кривизной 7, и глубиной Н, равной или большей d, положение выемок 2 соответствует положению поверхностей с кривизной 7 в сечении кристалла 4, перед отрывом кристалла 4 заполненные расплавом 5 выемки располагают под фронтом кристаллизации 6.
Световодный инструмент с микрофокусировкой // 2741236
Изобретение относится к медицинской технике, а именно к световодным устройствам для доставки излучения от источника к объекту с точечной фокусировкой. Технический результат состоит в уменьшении потерь при доставке излучения для создания точечных объемов облучения, увеличения диапазона глубины залегания объектов точечного лазерного воздействия, осуществляемого устройством.
Индуктивно-емкостный фильтр // 2741069
Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в источниках питания сварочной дуги для фильтрации высоковольтных импульсов напряжения высокой частоты, возбуждаемых осцилляторами.
Способ изобретения относится к области получения карбидокремниевых керамических изделий, в том числе крупногабаритных, обладающих повышенными эксплуатационными характеристиками, в том числе при высоких температурах для применения в различных областях промышленности.
Изобретение относится к технологии получения монокристаллов CoSi химическим транспортом паров. Процесс ведут в кварцевых ампулах при разности температур в горячей и холодной зонах в 100°С.
Ударная мельница // 2738171
Изобретение относится к области изготовления металлических порошков методом ударного измельчения и может быть использовано для переработки стружки тугоплавких металлов для повторного использования в электрометаллургии.
Инклинатор // 2737135
Предложенное изобретение относится к средствам для определения направления вектора магнитной индукции и предназначено для применения при сверхнизких температурах. Инклинатор для указания направления вектора индукции магнитного поля состоит из чувствительного элемента, выполненного из монокристалла Co3Sn2S2, и четырех металлических контактов, из которых три контакта нанесено на одну сторону чувствительного элемента, а один контакт - на противоположную.
Изобретение относится к области электрохимии, а именно к каталитически активным пористым композитным материалам, которые могут быть использованы в качестве несущих электродов электрохимических устройств, а более конкретно в твердооксидных топливных элементах (ТОТЭ) в качестве несущей анодной подложки.
Способ поверхностного легирования // 2735303
Изобретение относится к области обработки поверхности твердых тел посредством внедрения инородных веществ для улучшения их физических и химических параметров. Способ заключается в том, что легирование производится сочетанием обкатывания поверхности шариком, твердость которого выше твердости обрабатываемой поверхности, с одновременным локальным внесением в приконтактную область легирующего вещества.
Магниторезистивный элемент // 2735069
Изобретение относится к области производства изделий низкотемпературной электроники и может быть использовано в конструкциях датчиков и преобразователей магнитного поля. Магниторезистивный элемент содержит магниточувствительный слой и контактные площадки, при этом магниточувствительный слой состоит из сплава Ti2MnAl, а контактные площадки выполнены из золота.
Изобретение относится к области электросварки и может быть использовано в устройствах для возбуждения и стабилизации сварочной дуги. Устройство содержит фильтр, имеющий первый конденсатор, и осциллятор, включающий в себя генератор импульсов и сериесный трансформатор, первичная обмотка которого связана с генератором импульсов, а первая вторичная обмотка выполнена с возможностью подключения между одним из выводов сварочного выпрямителя и сварочной горелкой, при этом первый конденсатор фильтра выполнен с возможностью подключения между выводами сварочного выпрямителя.
Осевой неразгруженный компенсатор // 2732334
Изобретение относится к технологическому оборудованию, предназначенному для выращивания кристаллов халькогенидов в условиях микрогравитации – важном направлении в космическом материаловедении. Осевой компенсатор пружинно-поршневого типа содержит неразгруженный компенсирующий элемент, выполненный в виде винтовой цилиндрической графитовой пружины 1, размещенной между двумя цилиндрическими поршнями 2 из кварцевого стекла так, что цилиндрические штоки 3 поршней 2 являются центрирующими элементами для пружины 1.
Изобретение относится к технологии получения новых композиционных материалов с углеволокном и может быть использовано, в частности, для изготовления элементов конструкций в авиационной, ракетно-космической и морской технике.
Композиция и способ изобретения относятся к получению изделий из высокоплотной карбидокремниевой SiC/C/Si керамики для различных отраслей промышленности. Технический результат состоит в увеличении глубины силицирования углеродных заготовок, увеличении размеров изделий из силицированых графитов, повышении плотности силицированных графитов, увеличении содержания в них карбидокремниевой фазы.
Терморезистивный элемент // 2729881
Изобретение относится к низкотемпературной электронике. Терморезистивный элемент с положительным температурным коэффициентом сопротивления включает термочувствительный слой и электрические контакты.
Изобретение относится к области роста кристаллов, в частности, к выращиванию смешанных монокристаллов K2(Со,Ni)(SO4)2x6H2O (KCNSH) из водных растворов и может быть использовано в оптическом приборостроении для изготовления солнечно-слепых фильтров.
Изобретение относится к электротехнике и может быть использовано в электрометаллургии для гальванической развязки в источниках питания высокочастотной дуги, используемой для плавления металлических порошков, электроэрозионной обработки поверхности и изготовления деталей сложной формы.
Способ получения Ti2MnAl // 2725229
Изобретение относится к области металлургии, в частности к получению объемных слитков спин-поляризованного бесщелевого полупроводника Ti2MnAl, который может быть использован в спинтронике. Способ получения Ti2MnAl из элементарных титана, марганца и алюминия включает помещение навесок марганца и алюминия в капсулу из титана, закрытие крышкой из титана и проведение плавки во взвешенном состоянии с использованием высокочастотного индукционного нагрева, причем плавку проводят в атмосфере инертного газа при температуре 1700-1730°С в течение 15-20 минут с последующей закалкой расплава до комнатной температуры.
Структура с резистивным переключением // 2723073
Изобретение предназначено для применения в электронике для нейроморфных вычислений и хранения информации. Структура с резистивным переключением включает два металлических алюминиевых контакта, нанесенных на поверхность тонкой пленки аморфной сурьмы.
Изобретение относится к криогенной технике, а именно криоаппликаторам иммерсионного типа, и может использоваться в криомедицине и ветеринарии. Криоаппликатор содержит ролик и ручку, ролик выполнен из сапфира в виде шлифованного или полированного шара или цилиндра с углублениями на торцах, в ручке имеется оптический волновод, прикрепленный к источнику излучения.
Изобретение относится к области выращивания кристаллов и может быть использовано для получения слоев алмаза большой площади на подложках из монокристаллического кремния. Способ выращивания слоев алмаза, включающий нагрев в вакуумной среде в диапазоне температур от 910°С до 1150°С порошка алмазов в графитовой лодочке, над поверхностью которой размещена пластина монокристаллического кремния, причем лодочка с пластиной размещена в зазоре между двумя параллельными пластинами из углеродной фольги, прогреваемыми прямым пропусканием переменного электрического тока, а величина тока в верхней пластине меньше, чем в нижней.
Изобретение относится к области неорганических материалов для твердотельных индикаторов ультрафиолетового излучения. Неорганический фотохромный материал с пространственным эффектом памяти содержит Сu - 0,012-0,015 мас.%, Gd - 0,0004-0,0006 мас.% и ZnS – остальное.
Способ слежения за глубиной промораживания ткани при криодеструкции и система для его осуществления // 2719911
Группа изобретений относится к медицинской технике. Технический результат состоит в упрощении способа слежения за положением ледяного фронта при криодеструкции, повышении пространственной чувствительности измерения глубины ледяного фронта в ткани с применением спектроскопии рассеяния, не оказывающей воздействия на объекты криохирургии и организм в целом.
Коллинеарный электрод // 2717841
Изобретение относится к плазменной технике, применяемой в электрометаллургии, и может быть использовано для инициирования высокочастотной плазмы на промышленной частоте 2,45 ГГц для плавления металлических порошков и изготовления деталей сложной геометрической формы в атмосфере защитных газов.
Способ изготовления холодного катода // 2717526
Изобретение относится к нанотехнологии и может быть использовано при изготовлении электронных приборов, а также для инжекции зарядов в объём конденсированных сред при криогенных температурах. Слой углеродных нанотрубок наносят на металлическую подложку осаждением в дуговом разряде.
Сверхпроводящая цепь с участком слабой связи // 2717253
Использование: для сверхпроводящих логических элементов вычислительной техники. Сущность изобретения заключается в том, что сверхпроводящая цепь с участком слабой связи включает два последовательно расположенных металлических сверхпроводящих контакта, нанесенных на поверхность монокристаллического магнитного топологического полуметалла Со3Sn2S2.
Изобретение относится к устройствам для выращивания кристаллов на затравку методами Бриджмена, вертикальной зонной плавки, температурного градиента, а также их модификациями. Тигель состоит из корпуса 1 и хвостовика 2 с затравочной камерой 3, выполненной в виде сквозного отверстия в хвостовике, закрытого пробкой 4, имеющей резьбовое соединение с хвостовиком 2.
Изобретение относится к области выращивания слоев нанокристаллического гексагонального карбида кремния (муассанита) и может быть использовано в электронной промышленности. Способ включает перемещение ленты углеродной фольги в горизонтальной плоскости с подачей к ее поверхности расплавленного кремния в динамическом вакууме, скорость перемещения ленты задают в пределах 0,5-3,0 м/мин, а после извлечения ленты с выращенным слоем ее нарезают на мерные полосы, размещают их в печи и нагревают на воздухе до температуры 1050°С в течение 8 часов, при этом перемещение углеродной ленты периодически прерывают с шагом, соответствующим ширине зоны нагрева на 3-5 мин, а затем вновь возобновляют.
Способ пространственной стабилизации дуги // 2713186
Изобретение относится к области электрометаллургии и может быть использовано для прецизионной сварки, наплавки и изготовления деталей способом 3D-печати. Техническим результатом явяляется повышение эффективности способа пространственной стабилизации дуги.
