Патенты принадлежащие Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН) (RU)
Устройство для перемещения оптического компонента в оправе содержит оправу, выполненную в виде ротора электродвигателя с возможностью установки во внутреннем пространстве ротора оптического компонента. На внешней цилиндрической поверхности ротора расположены магниты и выполнена резьба, которая сопряжена с резьбой, выполненной на обращенной к ротору поверхности зубцов магнитопровода статора с возможностью реализации перемещения ротора по резьбе в продольном направлении магнитопровода статора по всей его длине, при этом в сформированных пазах между зубцами установлены катушки, соединенные с образованием фаз.
Способ получения активного слоя для бесформовочного элемента энергонезависимой резистивной памяти // 2779436
Изобретение относится к изготовлению мемристора. В способе формируют на предварительно подготовленной подложке диэлектрический слой нестехиометрического оксида гафния HfOx с составом х<2, обеспечивающим резистивное переключение.
ЛАВИННЫЙ ФОТОДИОД И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ // 2769749
Изобретение может быть использовано в оптических системах связи, в системах измерения в качестве оптоэлектронного датчика, в том числе при регистрации одиночных фотонов в системах квантовой криптографии, в интегральной оптоэлектронике и системах тестирования интегральных схем, а также в других областях, предполагающих регистрацию оптического сигнала.
Способ воздействия холодной плазменной струей на биологический объект и установка для его реализации // 2764619
Группа изобретений относится к медицине, а именно к способу воздействия холодной плазменной струей на биологический объект и установке для его реализации. При этом осуществляют прокачку через генератор плазменной струи по диэлектрическому каналу рабочего газа, подаваемого в канал через входное отверстие.
Активно-импульсный прибор наблюдения // 2757559
Использование: изобретение относится к оптико-электронным приборам наблюдения и прицеливания, используемым в военной технике, технике сил правопорядка, технике обеспечения персональной безопасности и приватности, в частности - к активно-импульсным приборам наблюдения и прицеливания, а также к лазерным локаторам оптических приборов.
Изобретение относится к области дистанционного скрытного определения опасных объектов под одеждой людей, скрытых за преградами, непрозрачными в видимом и инфракрасном диапазонах излучения и прозрачными/полупрозрачными в сверхвысокочастотном (СВЧ) диапазоне излучения.
Газоразрядный коммутатор // 2734730
Газоразрядный коммутатор относится к электронной технике и может быть использован при создании импульсных устройств. В корпусе коммутатора расположена первая разрядная структура в составе катода и сетчатого анода, которые установлены друг относительно друга с зазором эквидистантно.
Изобретение относится к профилированию состава твердых растворов гетероэпитаксиальных структур при их росте. Способ при формировании структуры типа А2В6 на основе теллуридов элементов второй группы таблицы Менделеева включает измерения эллипсометрических параметров Ψ и Δ на одной длине волны света видимой области спектра.
Элемент резистивной памяти // 2714379
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в повышении отношения величин токов в открытом и закрытом состояниях (Ion/Ioff) с достижением 4-6 порядков.
Активный слой мемристора // 2711580
Изобретение относится к технике накопления информации, к вычислительной технике, в частности к элементам резистивной памяти, и может быть использовано при создании устройств памяти, например, вычислительных машин, микропроцессоров электронных паспортов, электронных карточек.
Использование: для обработки оптической информации. Сущность изобретения заключается в том, что устройство считывания сигналов с фотоприемной матрицы инфракрасного излучения содержит входную ячейку с емкостным трансимпедансным усилителем с инвертирующим и неинвертирующим входами, выполненным на основе операционного усилителя с включенным параллельно в цепь отрицательной обратной связи накопительным конденсатором, столбцовую шину, столбцовый зарядочувствительный усилитель со вторым операционным усилителем и включенным параллельно в цепь отрицательной обратной связи конденсатором, дополнительно содержит вторую столбцовую шину, при этом одна столбцовая шина реализована в виде сигнальной столбцовой шины, а вторая столбцовая шина реализована в виде опорной столбцовой шины, емкостный трансимпедансный усилитель выполнен также с входом включения, в составе входной ячейки также выполнены транзистор начала интегрирования, транзистор сброса, первый и второй адресные транзисторы, транзистор начала интегрирования соединен своим истоком с инвертирующим входом емкостного трансимпедансного усилителя, являющимся инвертирующим входом операционного усилителя, и первой обкладкой накопительного конденсатора, своим стоком транзистор начала интегрирования соединен с катодом фотодиода, затвор транзистора начала интегрирования соединен с входом включения емкостного трансимпедансного усилителя, являющимся входом включения операционного усилителя, при этом указанные затвор и вход выполнены с возможностью подачи на них управляющего сигнала начала интегрирования, транзистор сброса своим стоком соединен с истоком транзистора начала интегрирования и первой обкладкой накопительного конденсатора, истоком транзистор сброса соединен с выходом емкостного трансимпедансного усилителя, являющимся выходом операционного усилителя, и второй обкладкой накопительного конденсатора, затвор транзистора сброса выполнен с возможностью подачи на него сигнала сброса входной ячейки, первый адресный транзистор своим стоком соединен с инвертирующим входом емкостного трансимпедансного усилителя, являющимся инвертирующим входом операционного усилителя, первой обкладкой накопительного конденсатора, истоком транзистора начала интегрирования, стоком транзистора сброса, исток первого адресного транзистора соединен с сигнальной столбцовой шиной, затвор первого адресного транзистора соединен с затвором второго адресного транзистора, причем затворы первого и второго адресного транзисторов выполнены с возможностью подачи на них сигнала считывания, второй адресный транзистор своим стоком соединен с выходом емкостного трансимпедансного усилителя, являющимся выходом операционного усилителя, со второй обкладкой накопительного конденсатора, с истоком транзистора сброса, а исток второго адресного транзистора соединен с опорной столбцовой шиной, неинвертирующий вход емкостного трансимпедансного усилителя, являющийся неинвертирующим входом операционного усилителя, выполнен с возможностью подачи на него опорного напряжения, в составе столбцового зарядочувствительного усилителя выполнен второй транзистор сброса, при этом столбцовый зарядочувствительный усилитель выполнен с инвертирующим и неинвертирующим входами, являющимися соответственно инвертирующим и неинвертирующим входами второго операционного усилителя, неинвертирующий вход столбцового зарядочувствительного усилителя соединен с опорной столбцовой шиной, выполненной с возможностью подачи на нее опорного напряжения, инвертирующий вход столбцового зарядочувствительного усилителя соединен с первой обкладкой включенного параллельно в цепь отрицательной обратной связи конденсатора, выполненного в виде линейного конденсатора с дискретным набором значений емкости, с сигнальной столбцовой шиной, со стоком второго транзистора сброса, исток второго транзистора сброса соединен со второй обкладкой включенного параллельно в цепь отрицательной обратной связи конденсатора, выполненного в виде линейного конденсатора с дискретным набором значений емкости, с выходом столбцового зарядочувствительного усилителя, являющегося выходом второго операционного усилителя, а затвор второго транзистора сброса выполнен с возможностью подачи на него сигнала сброса столбцового зарядочувствительного усилителя.
Использование: для изготовления полупроводниковых приборов с использованием подложек или слоев фосфида индия, легированных цинком. Сущность изобретения заключается в том, что способ легирования цинком подложек или слоев фосфида индия включает использование в качестве источника легирующей примеси Zn твердотельного источника на основе цинксодержащего соединения, приведение источника легирующей примеси Zn в механический контакт с подложкой или слоем фосфида индия, подлежащего легированию, последующее осуществление нагрева и диффузии Zn в результате нагрева в подложку или слой фосфида индия с достижением требуемой степени легирования, при этом используют в качестве источника легирующей примеси Zn твердотельный источник на основе цинксодержащего соединения в виде пленки соединения Zn3P2 или монолитной пластины Zn3P2, для осуществления легирования источник легирующей примеси Zn сопрягают пленкой Zn3P2 или монолитной пластиной Zn3P2 с подложкой или пленкой фосфида индия, тем самым создают узкий зазор величиной, определяемой высотой естественных неровностей и отклонением от плоскостности контактирующих поверхностей - между рабочей поверхностью пленки Zn3P2 или монолитной пластины Zn3P2 и легируемой подложки или пленки фосфида индия, в котором в результате нагрева обуславливают термическую диссоциативную сублимацию соединения Zn3P2 с образованием паров фосфора и цинка, взаимодействие продуктов диссоциации Zn3P2 с подложкой или пленкой фосфида индия, приводящее к насыщению приповерхностных слоев фосфида индия атомами легирующей примеси и к последующей диффузии легирующей примеси в объем фосфида индия, а также приводящее к компенсации термохимической эрозии поверхности фосфида индия за счет взаимодействия поверхности фосфида индия с парами фосфора.
Использование: для изготовления полупроводниковых приборов. Сущность изобретения заключается в том, что устройство для отделения от подложки композитной структуры на основе полупроводниковой пленки содержит оправку для крепления композитной структуры с эпитаксиальной полупроводниковой пленкой, жестко связанной посредством жертвенного слоя с ростовой подложкой, и прикрепляемой к оправке со стороны композитной структуры, средства изгибания композитной структуры для облегчения травления жертвенного слоя и отделения от подложки композитной структуры с эпитаксиальной полупроводниковой пленкой в резервуаре, заполняемом травителем, при этом оправка выполнена в виде мембраны-носителя с одной плоской торцевой поверхностью, предназначенной для крепления композитной структуры, а второй – криволинейной - для изгиба композитной структуры, с толщиной, уменьшающейся в направлении от центра к периферии мембраны-носителя, и со сквозными отверстиями, с диаметром отверстий и распределением их по площади торцевой поверхности с увеличением их плотности от центра к периферии, в совокупности обеспечивающими равномерность прижима и сохранность композитной структуры, средства изгибания выполнены в составе основания, дренажной трубки, упора, гофрированного сильфона, мембраны-носителя, при этом в центральной части основания сформировано сквозное отверстие, в котором с одной стороны основания герметично закреплена дренажная трубка, а с другой - упор, состоящий из полой ножки и соединенной с ней выпуклой крышки, ножка упора герметично закреплена в отверстии основания и снабжена в боковой части сквозным отверстием, мембрана-носитель криволинейной поверхностью ориентирована к стороне основания, относительно которой в отверстии закреплен упор, и установлена своей центральной частью относительно упора с зазором, устраняемым при закреплении и изгибании композитной структуры на мембране-носителе, между мембраной-носителем и основанием расположен герметично соединенный с ними гофрированный сильфон с возможностью формирования ограниченного основанием, сильфоном и мембраной-носителем рабочего объема устройства, с возможностью изменения в нем давления посредством отверстия в упоре и дренажной трубки для закрепления композитной структуры к мембране-носителю за счет сквозных отверстий мембраны-носителя и изгибания закрепленной композитной структуры и мембраны-носителя, жесткость сильфона пренебрежимо мала по сравнению с жесткостью мембраны-носителя.
Газоразрядный коммутатор // 2676756
Газоразрядный коммутатор относится к электронной технике, может быть использован при создании импульсных устройств. Коммутатор содержит корпус, выполненный с возможностью заполнения его рабочим газом и герметизации, с формированием в нем разрядной области между высоковольтными электродами -коаксиальными катодом и анодом.
Изобретение относится к электронике и нанотехнологии и может быть использовано в 2D-печати. Сначала получают графеновые частицы электрохимическим расслоением графита, характеризующегося массой чешуек около 10 мг, в жидкой фазе с использованием в качестве электролита водного 0,00005-0,05 М раствора (NH4)2S2O8, в течение 10 мин и менее, при напряжении не более 15 В и подаче на графитовый электрод положительного напряжения.
Термомеханический привод для перемещения оптических компонентов объектива состоит из соединенных попарно пластин с разными коэффициентами температурного расширения (КТР), при этом первая пластина в паре с малым КТР соединена со второй пластиной в паре с большим КТР таким образом, что суммарное перемещение ΔL(Т) конца второй пластины относительно неподвижного конца первой пластины при изменении температуры определяется по формуле ΔL(Т)=L×ΔТ×(α2-α1), где L - длина пластины; ΔТ - интервал изменения температуры; α1 и α2 - КТР материалов пластин.
Датчик пульсовой волны // 2659625
Изобретение относится к медицинской технике. Датчик пульсовой волны содержит кремниевую микроканальную мембрану (1) с диэлектрическим слоем (2) на поверхности, камеру (5), упругие мембраны (6), электроды (3).
СПОСОБ АКТИВНО-ИМПУЛЬСНОГО ВИДЕНИЯ // 2657292
Способ активно-импульсного видения основан на использовании возможностей ПЗС фотоприемника со строчным переносом. Способ включает подсветку сцены импульсным источником излучения, восприятие отраженного света с помощью фотоприемного устройства и визуализацию.
Использование: для измерения высоты ступенчатых особенностей на гладких поверхностях. Сущность изобретения заключается в том, что способ включает проведение в вакууме термоэлектрического отжига подложки твердотельного материала пропусканием электрического тока с резистивным нагревом до температуры активируемой сублимации атомов, отжиг сочетают с подачей потока осаждаемого на поверхность материала подложки, перед отжигом на рабочей поверхности подложки формируют рельеф с геометрией и поперечным размером, определяемыми в оптический микроскоп, в составе рельефа выполняют углубление, в котором боковая часть расположена под углом ±45° относительно нормали к кристаллографической плоскости рабочей поверхности подложки, отжигом в дне углубления и вокруг углубления с примыканием к краю формируют две опорные поверхности, в боковой части углубления получают, сочетая отжиг с подачей потока материала подложки, калибровочную ступень и средство для определения калибровочной высоты калибровочной ступени, из счетного количества моноатомных ступеней, ступенчатый высотный калибровочный эталон содержит на подложке пару опорных поверхностей, расположенных друг относительно друга с образованием калибровочной ступени калибровочной высоты из счетного количества моноатомных ступеней, одна опорная поверхность - в дне углубления, другая - примыкает к краю углубления, в боковой части углубления сформированы калибровочная ступень калибровочной высоты из счетного количества высокой плотности моноатомных ступеней и средство, обеспечивающее определение калибровочной высоты калибровочной ступени, из того же счетного количества моноатомных ступеней, но меньшей плотности, при этом для опорных поверхностей характерна субангстремная шероховатость и достаточные для оптических измерений размеры.
Гетероэпитаксиальная структура относится к полупроводниковым приборам. На подложке выполнены слои, в составе которых сформирован канальный слой узкозонного полупроводника.
Устройство относится к области интегральной микроэлектроники, предназначено для обработки оптической информации. Устройство характеризуется многоканальной системой считывания в составе матрицы ячеек считывания.
Способ относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов методом молекулярно-лучевой эпитаксии. В способе подготовки поверхности InSb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией проводят предварительную обработку поверхности подложки InSb с модификацией состава остаточного оксидного слоя.
Использование: для поляризованных светодиодов и спин-транзисторов. Сущность изобретения заключается в том, что спин-детектор содержит подложку, на которой последовательно выполнены: барьерный слой, первый слой из GaAs или из AlxGa1-xAs, второй слой с квантовыми ямами из InxGa1-xAs или из GaAs, третий слой из GaAs или из AlxGa1-xAs, третий слой с квантовыми ямами из InxGa1-xAs или из GaAs, четвертый слой из GaAs или из AlxGa1-xAs, первый слой с квантовыми ямами из InxGa1-xAs или из GaAs, второй слой из GaAs, ферромагнитный слой и защитный слой.
Изобретение относится к области фармацевтики и представляет собой способ формирования биорезорбируемой полимерной клеточной матрицы для регенерации ткани, заключающийся в том, что изготавливают литографией комплект двумерных матриц в виде пленки полимера с поверхностными массивами микро- и нанообъектов, которые для каждой двумерной матрицы выполняют с индивидуальной архитектурой, системностью и взаимосвязанностью расположения в архитектуре микро- и нанообъектов, с возможностью задания структуры костной ткани, подлежащей формированию, с учетом ее биологических функций, с возможностью обеспечения механической поддержки, управления процессами дифференцировки и пролиферации клеток, затем двумерные матрицы собирают в каркас-носитель для клеточных культур и биологических агентов, ориентируя их друг относительно друга с возможностью задания структуры костной ткани и фиксируя в стопку, отличающийся тем, что сборку осуществляют в жидкой среде, отверждаемой при фотоэкспонировании в биорезорбируемый полимер, двумерные матрицы последовательно устанавливают друг относительно друга с зазором, в котором в процессе последовательной установки посредством проекционной трехмерной печати с использованием цифрового проектора получают слои биорезорбируемого полимера, содержащие массивы микрообъектов с индивидуальной архитектурой, системностью и взаимосвязанностью расположения их в архитектуре возможностью задания внешней формы и внутренней трехмерной структуры матрицы, согласно трехмерной компьютерной модели кости, с возможностью обеспечения механической поддержки, управления процессами дифференцировки и пролиферации клеток в ортогональном направлении относительно поверхности двумерных матриц.
Изобретение относится к области полупроводниковой микроэлектроники и может быть использовано при разработке и изготовлении фотоприемных устройств, выполненных в виде гибридных микросхем. Микроконтакт для фотоприемной гибридной микросхемы содержит две металлические контактные площадки и между ними контактный элемент с заданной площадью S0 поперечного сечения.
Изобретение может быть использовано в электронике при получении прозрачных электродов, дисплеев, беспроводных электронных устройств, элементов памяти, микропроцессоров, электронных паспортов, карточек, сенсоров, биосовместимых электронных имплантов.
Изобретение относится к области полупроводниковой, органической и гибридной оптоэлектроники и может быть использовано в системах обработки оптической информации. Техническим результатом изобретения является реализация возможности монолитного изготовления линеек и матриц органических фотоприемников в варианте с активным усилением малого заряда и тока фотопроводимости, что позволит усилить сигнал от ячейки фотоприемника, а также избежать гибридной сборки.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов - для изготовления фокальных диодных фотоприемных матриц на подложках InSb. В способе подготовки поверхности InSb подложки для выращивания гетероструктуры молекулярно-лучевой эпитаксией сначала проводят предварительную обработку поверхности подложки InSb с модификацией состава окисного слоя для обеспечения в дальнейшем полного удаления окислов.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов и может быть использовано при их изготовлении на основе МДП-структур на InAs. Подложку InAs подвергают предварительной обработке, включающей очистку поверхности ее от загрязнений и естественного окисла.
Способ изготовления активного слоя для универсальной памяти на основе резистивного эффекта // 2611580
Способ относится к вычислительной технике - к электрически перепрограммируемым постоянным запоминающим устройствам, сохраняющим информацию при отключенном питании. Способ изготовления активного слоя для универсальной памяти на основе резистивного эффекта включает осаждение на подложку слоя диэлектрика - окиси гафния.
Изобретение относится к технике измерений, в частности к измерению интенсивности электромагнитного излучения с пространственным и поляризационным разрешением. Пироэлектрический детектор миллиметрового излучения выполнен на основе пироэлектрической пленки с системой считывания сигнала, в котором на поверхности пироэлектрической пленки размещен ультратонкий резонансный поглотитель, состоящий из диэлектрической пленки, с одной стороны которой, обращенной к падающему излучению, выполнен металлизированный топологический рисунок, образующий частотно избирательную поверхность и обеспечивающий поглощение на заданной длине волны миллиметрового излучения, а с обратной стороны нанесен сплошной слой с металлической проводимостью, который имеет с пироэлектрической пленкой надежный физический контакт, обеспечивающий эффективную передачу тепловой волны от поглотителя к пироэлектрической пленке.
Изобретение может быть использовано при изготовлении элементов памяти для вычислительных машин, микропроцессоров, электронных паспортов и карточек. Измельчают природный очищенный графит, в полученный порошок интеркалируют растворитель, не приводящий к химическому окислению графита, но способствующий расслоению графита, например диметилформамид или N-метилпирролидон.
МЕМРИСТОРНЫЙ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ // 2602765
Изобретение относится к микроэлектронике. Мемристорный элемент памяти содержит подложку с расположенным на ее рабочей поверхности проводящим электродом.
КРЕМНИЕВЫЙ МУЛЬТИПЛЕКСОР // 2602373
Изобретение относится к оптоэлектронике и микроэлектронике и может быть использовано для считывания электрических сигналов в фотоприемных субмодулях для мозаичных фотоприемников, в частности в фотоприемниках на микроболометрах.
СПОСОБ КОНСЕРВАЦИИ ТВЕРДОТЕЛЬНОЙ ПОВЕРХНОСТИ И КОНСЕРВИРУЮЩЕЕ ТВЕРДОТЕЛЬНУЮ ПОВЕРХНОСТЬ ПОКРЫТИЕ // 2601745
Изобретение относится к технологии изготовления приборов микро- и наноэлектроники. Предложен способ консервации твердотельной поверхности, включающий последовательно осуществляемые стадию предварительной подготовки поверхности к консервации и стадию нанесения консервирующего покрытия.
Изобретение относится к области микроэлектронной техники и может быть использовано при разработке технологического оборудования для изготовления гибридных микросхем большого формата, упрощения и удешевления такого оборудования.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ КИРАЛЬНОЙ СТРУКТУРЫ // 2586454
Использование: для создания новых перестраиваемых искусственных электромагнитных сред на основе тонкопленочных металл-полупроводниковых и металлических оболочек. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления киральной электромагнитной структуры включает изготовление N киральных элементов с N≥1, изготавливают целиком формообразующую подложку с рельефом на ее рабочей поверхности, обеспечивающим киральность структуры и задающим участки на рабочей поверхности для нанесения функционального электромагнитного слоя, посредством аддитивной технологии с использованием материала для подложки, поддающегося объемному структурированию посредством аддитивной технологии с получением указанного рельефа и не вносящего вклад в киральные электромагнитные свойства структуры, затем на рабочую поверхность подложки наносят функциональный электромагнитный слой с заданной рельефом геометрией, обеспечивающей киральные электромагнитные свойства, заканчивая формирование N киральных элементов с N≥1.
Изобретение относится к технологии изготовления полупроводниковых приборов - мозаичных фотоприемных модулей большого формата из фотоприемных модулей меньшей площади. При сборке фотоприемные модули меньшей площади разбивают на группы.
Изобретение относится к медицине и представляет собой биорезорбируемую полимерную клеточную матрицу для тканеинженерии. Матрица содержит каркас-носитель для клеточных культур и биологических агентов.
ДВУХТАКТНЫЙ ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕГИСТР СДВИГА // 2556437
Изобретение относится к оптоэлектронике и микроэлектронике и может быть использовано для построения двухтактных динамических регистров сдвига в фотоприемных субмодулях для мозаичных фотоприемников, в частности в фотоприемниках на микроболометрах.
Изобретение относится к области интегральной микроэлектроники и предназначено для систем приема и обработки оптической информации. Ячейка устройства считывания фотоприемных матриц с аналого-цифровым преобразованием содержит входной узел, интегрирующую емкость с одной из обкладок, закороченной на землю, счетчик, триггер Шмитта, сдвиговый регистр.
СВЕТОДИОД И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ // 2553828
Светодиод содержит подложку, светоизлучающую структуру, первый электрод, второй электрод. На подложке выполнен электропроводящий, прозрачный для излучаемого света U-образный подвес для светоизлучающей структуры.
ДВУХТАКТНЫЙ СДВИГАЮЩИЙ РЕГИСТР // 2549136
Изобретение относится к оптоэлектронике и микроэлектронике и может быть использовано для построения двухтактных сдвигающих регистров в фотоприемных субмодулях для мозаичных фотоприемников, в частности в фотоприемниках на микроболометрах.
ФЛЭШ ЭЛЕМЕНТ ПАМЯТИ // 2546201
Изобретение относится к вычислительной технике. Технический результат заключается в снижении паразитной емкости между плавающими затворами соседних флэш элементов памяти и предотвращении стирания информации соседних флэш элементов памяти.
ДИНАМИЧЕСКИЙ РЕГИСТР СДВИГА // 2542913
Изобретение относится к оптоэлектронике и микроэлектронике и может быть использовано для построения сдвиговых регистров в фотоприемных субмодулях для мозаичных фотоприемников, в частности в фотоприемниках на микроболометрах.
ДВУХКАСКАДНЫЙ ДИНАМИЧЕСКИЙ СДВИГОВЫЙ РЕГИСТР // 2542898
Изобретение относится к оптоэлектронике и микроэлектронике и может быть использовано для построения сдвиговых регистров в фотоприемных субмодулях для мозаичных фотоприемников. Техническим результатом является расширение функциональных возможностей за счет обеспечения реверсивности сдвига информации внутри сдвигового регистра, минимизация занимаемой площади кристалла ИС, расширение области применения за счет возможности двунаправленной передачи информации и стабильной работы сдвигового регистра в условиях существенных паразитных емкостей тактовых шин.
Предложенный способ относится к изготовлению инструмента измерительной техники для исследований профилей топографических особенностей гладкой поверхности - ступенчатого высотного калибровочного стандарта для профилометрии и сканирующей зондовой микроскопии.
Изобретение относится к полупроводниковой технологии и может быть использовано для изготовления приборных структур. В подложку из кремния проводят имплантацию ионов с формированием слоя, предназначенного для переноса.
