Патенты принадлежащие Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук (RU)

Изобретение относится к параметрическому усилителю бегущей волны. Технический результат - расширение свободного от паразитных составляющих динамического диапазона.

Изобретение относится к области приборостроения, микросистемной техники и наномеханики, в частности, к технике устройств на основе материалов с эффектом памяти формы (ЭПФ) для манипулирования микро- и нанообъектами и может найти применение в радиоэлектронике, машиностроении, нанотехнологии, электронной микроскопии, медицине, биологии.

Изобретение относится к радиотехнике и предназначено для приема и измерения электромагнитных полей сверхнизких и крайне низких частот (СНЧ и КНЧ) естественного и искусственного происхождения в морской среде.

Способ измерения внутреннего квантового выхода светодиода, согласно которому через светодиод пропускают электрический ток и при заданном значении постоянного тока из диапазона токов, соответствующих росту внутренней квантовой эффективности светодиода, измеряют мощность оптического излучения светодиода, при этом мощность оптического излучения светодиода измеряют при нескольких произвольно выбранных значениях электрического тока Ik, находящихся в диапазоне токов, соответствующих росту внутренней квантовой эффективности светодиода, полученную экспериментальную ватт-амперную характеристику Pk(Ik) аппроксимируют методом наименьших квадратов функцией вида по результатам аппроксимации определяют параметры m и q аппроксимирующей функции, и значение внутреннего квантового выхода η светодиода при произвольном значении тока в заданном диапазоне рассчитывают по формуле Способ направлен на уменьшение аппаратных затрат, трудоемкости и времени измерения, а также обеспечивает расширение функциональных возможностей способа.

Изобретение относится к испытаниям интегральных схем (ИС) и может быть использовано для определения стойкости партий ИС к электростатическому разряду (ЭСР) при изготовлении радиоэлектронной аппаратуры. Сущность: проводят механические испытания ИС, допустимые по техническим условиям, путем многократных ударов на выводы ИС.

Гетероструктура на основе джозефсоновского туннельного перехода сверхпроводник - изолятор - сверхпроводник (СИС) включает подложку из кремния, первый, второй и третий слои ниобия, разделенные барьерным слоем, и элемент интегрального шунтирования СИС перехода.

Изобретение относится к области средств транспорта, использующих магнитную левитацию. Сверхпроводящая магнитолевитационная транспортная система содержит транспортное средство с кабиной, снабженное несколькими элементами магнитной левитации, выполненными из объемных элементов из высокотемпературных сверхпроводников, расположенных по крайней мере в одном криостате для поддержания температуры ниже точки перехода элемента магнитной левитации в сверхпроводящее состояние.

Изобретение относится к области измерительной техники и касается детектора терагерцовых колебаний. Детектор содержит прозрачную для излучения подложку, одна поверхность которой открыта для приема излучения, а на другой размещена гетероструктура на основе последовательно расположенных слоя антиферромагнитного материала, первого слоя немагнитного металла, а также приемные электроды.

Изобретение относится к экспериментальной медицине. Нанокомпозиты для люминесцентной диагностики и тераностики новообразований включают помещенные в полимерную оболочку на основе лексана иттербиевые комплексы диметилового эфира протопорфирина IX, или тетраметилового эфира гематопорфирина IX, или копропорфирина III.

Изобретение относится к технике контроля тепловых характеристик светодиодов и может быть использовано для контроля качества монтажа кристаллов светодиодов на монтажную пластину, в том числе светодиодов в составе светодиодных матриц и модулей.

Изобретение относится к приборам спинтроники и может быть использовано в информационных системах и радиотехнических устройствах СВЧ-диапазона. Конвертор спинового тока в зарядовый ток содержит образованную на кристаллической подложке гетероструктуру на основе тонких пленок перовскитов переходных металлов, включающую ферромагнитный слой стронций допированного манганита Lа0.7Sr0.3МnО3 и детектирующий слой из 5d оксидной пленки SrIrO3, и пленочные металлические электроды, связанные с электрической схемой управления и регистрации напряжения, при этом согласно изобретению гетероструктура имеет планарную геометрию, при этом кристаллическая подложка выполнена из галлата неодима NdGaO3, кристаллографическая плоскость (110) которого совпадает с направлением вектора намагниченности сформированного на подложке слоя манганита Lа0.7Sr0.3МnО3, а детектирующий слой из 5d оксидной пленки SrIrО3 нанесен поверх упомянутого слоя манганита, причем пленочные металлические электроды размещены в одной плоскости и расположены на свободной поверхности детектирующего слоя.

Использование: для детектирования колебаний в диапазоне частот 0,1-5 ТГц. Сущность изобретения заключается в том, что детектор терагерцовых колебаний содержит гетероструктуру на основе последовательно расположенных на подложке слоев антиферромагнетика и немагнитного металла и приемных электродов, связанных с регистратором, при этом гетероструктура выполнена на прозрачной для терагерцового излучения подложке, антиферромагнетик представляет собой одноосный антиферромагнитный изолятор с легкой осью анизотропии, который нанесен на подложку в виде штыревой гребенчатой структуры, при этом гетероструктура включает средство для перестройки рабочей частоты, выполненное в виде источника постоянного магнитного поля, вектор напряженности которого направлен параллельно легкой оси антиферромагнитного материала.

Изобретение относится к устройствам ионно-плазменного распыления в скрещенных магнитном и электрических полях и может быть использовано в качестве базового распылительного оборудования. Технический результат изобретения - повышение эффективности использования оборудования в составе системы вакуумного распыления в магнетронах и установках катодного осаждения за счет повышения общего эксплуатационного ресурса мишени, а также упрощение конструкции устройства и повышение надежности при эксплуатации.

Изобретение относится к средствам неразрушающего контроля качества сквозных металлизированных отверстий (СМО) печатных плат (ПП). Технический результат - повышение достоверности выявления дефектов и в обеспечение возможности их идентификации.

Использование: для построения высоконадежных помехоустойчивых телекоммуникационных систем. Сущность изобретения заключается в том, что мажоритарный элемент на спиновых волнах содержит структуру, выполненную в виде пластины из диэлектрика, с нанесенным на одну сторону слоем магнитоактивной среды, на котором сформированы входные и выходной преобразователи спиновых волн, источник постоянного магнитного поля, размещенный в зоне нахождения структуры.

Изобретение относится к технологии микроэлектроники и может быть использовано при изготовлении тонкопленочных сверхпроводниковых структур. Способ изготовления тонкопленочных туннельных переходов методом раздельной литографии включает формирование первой литографией первого слоя из алюминия, нанесение резиста под вторую литографию второго слоя металла, экспозицию в литографе, проявление резиста, формирование туннельного барьера и напыление второго слоя металла.

Изобретение относится к средствам для формирования последовательности видеоимпульсов с использованием акустической линии задержки. Технический результат заключается в расширении функциональных возможностей за счет обеспечения возможности формирования разнополярных видеоимпульсов с заданной временной задержкой.

Использование: изобретение относится к радиотехнике и предназначено для приема и измерения электромагнитных полей сверхнизких и крайне низких частот (СНЧ и КНЧ) естественного и искусственного происхождения в морской среде.

Изобретение относится к детекторам излучения, полевым транзисторам, туннельным усилителям с потоком горячих электронов, МДМДМ туннельным структурам для приема излучения миллиметровых и субмиллиметровых волн.

Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается эллипсометра. Эллипсометр включает в себя последовательно расположенные вдоль оптической оси блок поляризатора с источником излучения и блок анализатора, содержащие призмы Глана-Томпсона.

Использование: для дистанционного определения характеристик микроволнового излучения рассеивающих земных покровов, включая снег, в натурных условиях. Сущность изобретения заключается в том, что последовательно измеряют интенсивности теплового излучения исследуемых естественных покровов при установленном перпендикулярно к зеркальному направлению дополнительном эталоне в виде черного тела и после его удаления из поля зрения антенны, а также последовательно измеряют интенсивности теплового излучения дополнительного эталона и атмосферы в зеркальном направлении, при этом коэффициент зеркального отражения исследуемого естественного покрова определяют по заданному математическому выражению, причем дополнительный эталон имеет равную с приземным слоем атмосферы термодинамическую температуру и равные с главным лепестком диаграммы направленности приемной антенны угловые размеры.

Изобретение относится к радиотехнике и предназначено для приема и измерения электромагнитных полей сверхнизких и крайне низких частот (СНЧ и КНЧ) естественного и искусственного происхождения в морской среде.

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к фильтрам. Фильтр содержит немагнитную подложку, на поверхности которой образована структура, имеющая канавки в форме меандра, продольная ось которых перпендикулярна направлению распространения магнитостатических волн (МСВ), покрытая ферромагнитной пленкой из железоиттриевого граната, и микрополосковые преобразователи для возбуждения и приема МСВ в ферромагнитной пленке, источник магнитного поля.

Изобретение относится к прикладной физике и может быть использовано в измерительной технике для генерации и приема излучения в диапазоне частот 0.1-5 ТГц. Осциллятор для генератора терагерцового излучения включает гетероструктуру на основе слоев антиферромагнитного диэлектрика и платины, образованную на подложке, источник для пропускания постоянного тока по слою платины.

Изобретение относится к технике измерения параметров полупроводниковых светоизлучающих гетероструктур и светодиодов на их основе и может быть использовано для контроля качества светодиодов на основе GaN и их разделения по уровню энергетической эффективности.

Изобретение относится к микроэлектронике, а именно к способам обеспечения качества и надежности полупроводниковых транзисторов, и может быть использовано для сравнительной оценки качества и надежности партий транзисторов одного типа как на этапе производства, так и на входном контроле на предприятиях - изготовителях радиоэлектронной аппаратуры.

Изобретение относится к фильтрам. Фильтр содержит подложку из немагнитного диэлектрика в форме меандра, образованного совокупностью периодических канавок, продольная ось которых перпендикулярна направлению распространения ПМСВ, слои железоиттриевого граната, нанесенные на подложку, микрополосковые преобразователи для возбуждения и приема ПМСВ, источник постоянного магнитного поля.

Изобретение относится к радиотехнике СВЧ. Технический результат – обеспечение возможности управления режимами функционирования управляемого мультиплексора на магнитостатических волнах как путем изменения частоты входного сигнала, так и изменения параметров внешнего магнитного поля.

Изобретение относится к области физико-химических исследований и может быть использовано для измерения и контроля характеристик поверхности жидкостей, в частности водных растворов химической и биологической природы, в различных технологических процессах, медицинской диагностике и биофизических исследованиях.

Способ изготовления устройств с тонкопленочными сверхпроводниковыми переходами включает нанесение двух слоев резиста разной чувствительности, экспозицию в электронном литографе, проявление этих слоев резиста, напыление первого слоя нормального металла или сверхпроводника под углом к подложке, окисление для формирования туннельного барьера, напыление второго слоя пленки сверхпроводника или нормального металла под таким же углом к нормали, удаление (взрывание) резиста, напыление нижней (первой) пленки производится в первую канавку в резисте под углом к нормали, а верхняя (вторая) пленка напыляется во вторую канавку с ортогонального направления после поворота подложки на 90 градусов под таким же углом к нормали, а угол наклона выбирается в зависимости от ширины канавки и толщины верхнего резиста.

Изобретение относится к электротехнике, а точнее к линейным асинхронным двигателям. Технический результат - увеличение тягового усилия и повышение коэффициента полезного действия.

Изобретение относится к технике измерения динамических характеристик светодиодов и полупроводниковых светоизлучающих структур и может быть использовано для диагностики однородности светоизлучающих гетероструктур (СГС) и их характеристики по динамическим свойствам.

Изобретение относится к области исследования свойств жидкостей с помощью вибровискозиметров. Сущность: колебательную систему приводят в режим колебаний посредством устройства возбуждения, непрерывно изменяют частоту колебаний устройства возбуждения до достижения собственной частоты ω0, которую определяют по достижении заданного на каждой частоте в рабочем диапазоне частот фазового сдвига между колебаниями устройства возбуждения и колебаниями выходного усиленного и частотно-отфильтрованного сигнала датчика положения и сохраняют в памяти микроконтроллера, периодически изменяют действующую жесткость колебательной системы на известную величину путем добавления к возбуждающему сигналу устройства возбуждения известной доли выходного сигнала датчика положения зонда, и определяют новые значения собственной частоты колебательной системы ω0m, а по значениям частот ω0 и ω0m расчетным путем определяют текущие действующие значения колеблющейся массы mL и коэффициента жесткости kL колебательной системы по формулам.
 // 

Использование: для анализа жидких сред, в том числе биологических жидкостей. Сущность изобретения заключается в том, что анализатор содержит пьезоэлектрическую пластину, в центральной части которой расположен излучающий ВШП.

Изобретение относится к контрольно-измерительной технике и может быть применено для измерения высоты и скорости полета воздушных судов на основании использования аэрометрического метода. Датчик аэрометрических давлений содержит корпус, в котором выполнены два отверстия, сообщающихся с измеряемой средой, и внутри которого размещен анероидный чувствительный элемент, образованный верхней и нижней мембранами, которые разделены на верхнюю и нижнюю мембраны, прикрепленные к корпусу с зазором между ними.

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к делителям сигналов. Делитель мощности СВЧ сигнала на магнитостатических волнах содержит размещенную на подложке микроволноводную структуру на основе пленки железо-иттриевого граната (ЖИГ), входной и два выходных порта, связанных с микрополосковыми антеннами для возбуждения и приема магнитостатических волн в микроволноводной структуре, источник управляющего магнитного поля.

Изобретение относится к радиотехнике СВЧ, в частности к приборам на магнитостатических волнах. Технический результат заключается в создании мультиплексора ввода-вывода с возможностью управления режимами работы устройства за счет изменения конфигурации распределения внутреннего магнитного поля при вариации величины и направления внешнего магнитного поля.

Изобретение относится к радиотехнике, в частности к фильтрам. Многоканальный фильтр СВЧ-сигнала содержит размещенную на подложке ферромагнитную пленочную структуру, сопряженную с входным и выходными преобразователями поверхностных магнитостатических волн (ПМСВ), источники управляющего внешнего магнитного поля.

Способ обнаружения скрытых предметов на теле человека включает регистрацию собственного теплового излучения (ТИ) человека в терагерцевом диапазоне электромагнитных волн с последующей цифровой обработкой анализируемого ТИ-изображения.

Использование: для пространственного разделения СВЧ-сигналов разного уровня мощности. Сущность изобретения заключается в том, что устройство на магнитостатических волнах включает микроволноводную структуру, содержащую слой железо-иттриевого граната (ЖИГ) на подложке из галлий-гадолиниевого граната, микрополосковые антенны для возбуждения и приема магнитостатических волн (МСВ), связанные с входным и выходными портами СВЧ-сигнала, внешний источник магнитного поля, при этом микроволноводная структура выполнена в виде первого и второго слоев ЖИГ, размещенных в параллельных плоскостях, причем длина первого слоя в направлении распространения МСВ больше длины второго слоя, а сами слои отделены друг от друга немагнитной диэлектрической прослойкой; на смежных поверхностях слоев ЖИГ выполнена периодическая система канавок с глубиной, много меньшей толщины слоя ЖИГ, а длина второго слоя выбрана из условия , мкм, где F - расстояние, на котором СВЧ-сигнал из первого слоя ЖИГ полностью перекачивается во второй слой ЖИГ, мкм; n=1, 3, 5 …, при этом антенна для возбуждения МСВ, связанная с входным портом, и одна из трех антенн для приема МСВ, связанная с первым выходным портом, размещены на первом слое ЖИГ, а две другие антенны, связанные с вторым и третьим выходными портами, размещены на втором слое ЖИГ, причем для возбуждения поверхностных МСВ магнитное поле внешнего источника направлено касательно плоскости структуры, а для возбуждения прямых объемных МСВ - перпендикулярно ей.

Использование: для конструирования приборов на магнитостатических волнах. Сущность изобретения заключается в том, что функциональный компонент магноники содержит подложку из немагнитного диэлектрика, ферромагнитные слои железоиттриевого граната (ЖИГ), микрополосковые преобразователи для возбуждения и приема магнитостатических спиновых волн (МСВ), источник магнитного поля, при этом выполнен в виде многослойной 3D структуры, включающей внешний и внутренний ферромагнитные слои, отделенные друг от друга прослойкой немагнитного вещества и расположенные один над другим, поверхность подложки в сечении имеет форму меандра, образованного совокупностью периодических канавок, продольная ось которых перпендикулярна направлению распространения МСВ, внешний и внутренний ферромагнитные слои имеют период, совпадающий с периодом образованных канавками на поверхности подложки выступов, боковых граней и пазов, а магнитное поле источника магнитного поля ориентировано перпендикулярно к плоскости подложки с возможностью возбуждения в обоих ферромагнитных слоях объемных МСВ.

Устройство относится к радиотехнике и предназначено для приема радиоволн сверхнизких и крайне низких частот (СНЧ и КНЧ) в морской среде при радиосвязи с движущимся подводным объектом. Технический результат состоит в улучшении эксплуатационных характеристик за счет уменьшения длины кабельной антенны.

Группа изобретений относится к волоконной оптике. Устройство измерения спектральных характеристик волоконно-оптических брэгговских решеток включает полупроводниковый лазер со встроенным элементом нагрева-охлаждения.

Изобретение относится к СВЧ технике и может быть использовано при конструировании приборов на магнитостатических волнах в гигагерцовом диапазоне частот. Функциональный элемент магноники содержит немагнитную подложку, размещенную на ней ферромагнитную пленку из железоиттриевого граната (ЖИГ), микрополосковые преобразователи для возбуждения и приема магнитостатических спиновых волн (МСВ) в пленке ЖИГ, источник магнитного поля.

Изобретение относится к микроэлектронике и может быть использовано для обеспечения качества и надежности сверхбольших интегральных схем (СБИС). Сущность: измеряют критическое напряжение питания при нормальной и повышенной температуре.

Изобретение относится к логическим элементам на магнитостатических волнах. Технический результат - создание логического устройства типа инвертор/повторитель на поверхностных магнитостатических волнах с возможностью управления режимами работы.
Наверх