Патенты принадлежащие Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ярославский государственный университет им. П.Г. Демидова" (RU)

Заявленное изобретение относится к области электротехники, а именно, к способу получения материала для положительного электрода литий-ионного аккумулятора и к самому аккумулятору. Согласно изобретению на этапе реализации способа на проводящей подложке методом магнетронного распыления ванадиевой мишени в плазме кислорода и аргона при соотношении кислород/аргон 0,01-0,06 по парциальному давлению, без принудительного нагрева металлической подложки получают текстурированную пленку, имеющую в своем составе оксиды ванадия VO1+x, V3O7, V2O5 в различном соотношении, а на втором этапе подвергают ее последующему отжигу в кислородсодержащей среде при температуре 400-500°C в течение 10-120 мин, с получением в составе пленки высших оксидов ванадия V6O13, V3O7, VO2, V2O5 в поликристаллической фазе.

Настоящее изобретение относится к способу получения 7-R-пиридо[1,2-а]бензимидазолов общей формулы , где R=a) CF3, б) CN, в) СООН, г) C(O)NH2, д) СООСН3, е) СООС2Н5, заключающемуся в том, что восстановление хлоридов N-(2-нитро-4-R-фенил)пиридиния проводят в смеси спирта и 4%-ной соляной кислоты, взятых в соотношении 1:1, с помощью электрического тока в диафрагменной ячейке в гальваностатическом режиме при температуре 40-45°С на свинцовом катоде, при пропускании через электролитическую ячейку заряда в 4 Ф в течение 0,5 ч, силой тока 0.6 А, в качестве анолита используется 15%-ный раствор серной кислоты, в качестве анода - платина, целевые продукты выделяются фильтрованием выпавшего осадка после обработки реакционной смеси гидроксидом аммония.

Изобретение относится к радиотехнике. Техническим результатом является расширение полосы анализа сигналов и возможность проведения анализа в режиме реального времени.

Использование: в электронной технике, при производстве интегральных схем различного назначения. Технический результат изобретения - технологический процесс, позволяющий создавать МДП-нанотранзисторы без использования литографии высокого разрешения с максимальным подавлением короткоканальных эффектов.
Наверх