Патенты принадлежащие Учреждение Российской академии наук Южный научный центр РАН (RU)
Изобретение относится к сфере производства гетероэпитаксиальных структур, которые могут быть использованы в технологии изготовления элементов полупроводниковой электроники, способных работать в условиях повышенных уровней радиации и высоких температур.
