Патенты принадлежащие ИНФИНЕОН ТЕКНОЛОДЖИЗ БИПОЛАР ГМБХ УНД КО.КГ (DE)
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО КОМПОНЕНТА С ИНТЕГРИРОВАННЫМ ПОПЕРЕЧНЫМ СОПРОТИВЛЕНИЕМ // 2548589
Способ изготовления полупроводникового компонента, имеющего по меньшей мере одно интегрированное поперечное сопротивление, включает подготовку полупроводниковой подложки из легированного полупроводникового материала первого типа проводимости с легированной базовой зоной второго типа проводимости, маскирование поверхности полупроводниковой подложки, для того чтобы по меньшей мере частично вскрыть область сопротивления базовой зоны, осаждение на вскрытую область сопротивления легирующей примеси так что на вскрытой области сопротивления формируется тонкий покровный слой первого типа проводимости, имеющий высокую концентрацию легирующей примеси, разгонку осажденной легирующей примеси в области сопротивления таким образом, что из тонкого покровного слоя формируется более толстый слой, имеющий меньшую концентрацию легирующей примеси.
Изобретение относится к способу и устройству получения кромки полупроводниковых устройств. В способе получения кромки полупроводникового устройства, включающем подготовку полупроводниковой подложки, которая имеет по меньшей мере две основные поверхности, каждая из которых имеет край, и по меньшей мере одну краевую область, которая прилегает по меньшей мере к одному из краев, нанесение химического травителя при одновременном вращении полупроводниковой подложки направленно по меньшей мере на одну краевую область полупроводниковой подложки так, что травление ограничено краевой областью, при этом начинают нанесение травителя на радиально внутреннюю часть, и зону обработки в процессе травления изменяют радиально наружу.
Изобретение относится к тиристору, содержащему полупроводниковое тело, в котором расположены последовательно p-легированный эмиттер, n-легированная база, p-легированная база и n-легированный эмиттер. В тиристоре предусмотрена зажигающая ступенчатая структура, содержащая по меньшей мере одну зажигающую ступень, каждая из которых содержит расположенный на расстоянии от n-легированного эмиттера n-легированный зажигающий ступенчатый эмиттер, который заделан в p-легированную базу.
