Патенты принадлежащие ШМИД СИЛИКОН ТЕКНОЛОДЖИ ГМБХ (DE)
СПОСОБ И УСТАНОВКА ДЛЯ РАЗЛОЖЕНИЯ МОНОСИЛАНА // 2688763
Изобретение может быть использовано в химической промышленности. Поток газа, содержащего моносилан, подают в реактор и приводят внутри реактора в контакт с поверхностью, нагретой до температуры, превышающей 800°С.
Изобретение предназначено для диспропорционирования хлорсиланов на моносилан и тетрахлорсилан при одновременном ректификационном разделении полученных при этом силанов. Колонна для непрерывного диспропорционирования хлорсиланов на моносилан и тетрахлорсилан с одновременным ректификационным разделением полученных при этом силанов содержит верхнюю часть колонны, нижнюю часть колонны и расположенный между ними цилиндрический корпус колонны.
СПОСОБ И СИСТЕМА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОСИЛАНА // 2551493
Изобретение относится к химической промышленности. Система для получения моносилана содержит реакционную колонну (100) с питающей трубой (101) для подачи трихлорсилана и с отводящей трубой (102) для полученного тетрахлорида кремния с одним конденсатором (103), через который полученный моносилан отводят из реакционной колонны.
СПОСОБ И СИСТЕМА ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ТРИХЛОРСИЛАНА // 2547269
Описан способ получения трихлорсилана, в котором частицы кремния реагируют с тетрахлорсиланом, водородом и, необязательно, с хлористым водородом в реакторе (101) с кипящим слоем с получением потока содержащего трихлорсилан газообразного продукта, причем поток содержащего трихлорсилан газообразного продукта отводят из реактора (101) через выпускное отверстие (117), перед которым установлен по меньшей мере один сепаратор (118) частиц, который избирательно пропускает только частицы кремния, размер которых меньше определенного максимального размера, и в котором предпочтительно через равномерные промежутки времени или непрерывно через по меньшей мере еще одно выпускное отверстие (109; 112) без такого сепаратора частиц частицы кремния отводят из реактора (101).
Изобретение относится к технологии производства кремния высокой чистоты, который может быть использован в полупроводниковой промышленности, например, при изготовлении солнечных элементов или микрочипов.
Изобретение может быть использовано в химической промышленности для получения высокочистого кремния. Способ включает этапы: получения трихлорсилана, получения моносилана посредством диспропорционирования трихлорсилана и термического разложения моносилана.
РЕАКТОР ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ ПОЛИКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ МОНОСИЛАНОВОГО МЕТОДА // 2501734
Изобретение относится к реактору для получения поликристаллического кремния с использованием моносиланового метода. Реактор (10) содержит днище (2), в котором имеется множество форсунок (4), через которые в реактор поступает кремнийсодержащий газ, множество также установленных на днище (2) реактора стержней (6), находящихся на расстоянии от форсунок (4), и выпускное отверстие (8) для газа, предназначенное для подачи отработанного моносилана для обогащения и/или переработки, причем выпускное отверстие (8) для газа расположено на свободном конце внутренней трубы (20).
