Изобретение относится к отверждаемой композиции и к полупроводниковому устройству, в котором используют эту композицию. Отверждаемая композиции включает (А) органополисилоксан следующей усредненной структурной формулы: R1 aSiO(4-a)/2, в которой R1 обозначает незамещенные или замещенные галогеном одновалентные углеводородные группы; однако в одной молекуле по меньшей мере две группы, обозначенные R1, представляют собой алкенильные группы, и по меньшей мере 30% мол.