Патенты принадлежащие Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ) (RU)
Изобретение относится к области электротехники и может быть использовано в различных сферах промышленности, сельского хозяйства и т.д. Технический результат устройства заключается в снижении уровня напряжения на ключе в цепи постоянного тока трехфазного диодного моста, массы и габаритов за счет уменьшения мощности потерь в снабберной цепи, обеспечении низкого коэффициента гармоник в сетевом токе.
Способ включает выполнение пробных проходов в заданном диапазоне режимов резания, получение пробных стружек, по параметрам которых определяют значение оптимальных режимов резания. Для расширения области применения при обработке материалов с различными физико-механическими свойствами в качестве параметра пробных стружек измеряют толщину элементов стружки, соответствующую толщине пластически деформированной зоны (Δx), определяют её отношение к толщине срезаемого слоя (а), а в качестве критерия оптимального значения режима резания принимают скорость резания или подачу, при которых отношение Δx/a находится в пределах 0,9-1,1.
