Патенты принадлежащие КОМИССАРИАТ А Л`ЭНЕРЖИ АТОМИК (FR)
СПОСОБ ПОЛУЧЕНИЯ ТВЕРДЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВ С ДОБАВЛЕНИЕМ ЛЕГИРУЮЩИХ ДОБАВОК В ПРОЦЕССЕ КРИСТАЛЛИЗАЦИИ // 2515561
Изобретение относится к способу получения твердых полупроводников, более конкретно к кремнию в форме слитков или полос, используемых для производства субстратов фотогальванических элементов. Способ получения твердых полупроводников включает в себя стадии приготовления расплава полупроводника из первой порции полупроводника, которая содержит легирующие добавки, отверждения расплавленного полупроводника, и дополнительно включает в процессе отверждения добавление в один или несколько приемов дополнительных порций полупроводника, также содержащих легирующие добавки, в расплав полупроводника.
