Патенты принадлежащие Общество с ограниченной ответственностью "Ме Га Эпитех" (RU)

Изобретение относится к области микроэлектронной техники, а более конкретно к способам изготовления многослойных полупроводниковых структур в системе AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ).
Изобретение относится к области микроэлектронной техники, а более конкретно к способам изготовления многослойных полупроводниковых структур в системе AlGaAs методом жидкофазной эпитаксии (ЖФЭ).

Изобретение относится к области силовой микроэлектронной техники, а более конкретно к способам изготовления полупроводниковых p-i-n структур из соединений А3В5 методами жидкостной эпитаксии.

Изобретение относится к электронной технике, в частности к устройствам для получения многослойных полупроводниковых гетероструктур.
Мы будем признательны, если вы окажете нашему проекту финансовую поддержку!

 


Наверх