Патенты принадлежащие Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (RU)
Изобретение относится к контрольно-измерительной технике, а именно к приборам и устройствам для исследования электрофизических свойств жидкометаллических растворов. Прибор для измерения электросопротивления щелочных металлов и их сплавов в полном концентрационном интервале составов состоит из двух основных узлов - отсеков, первый из которых предназначен для приготовления и гомогенизации сплавов, а второй измерительный отсек - для формирования исследуемых образцов и определения их электрического сопротивления.
ПОЛИГИДРОКСИЭФИР // 2549183
Изобретение относится к полигидроксиэфирам. Описан полигидроксиэфир на основе 3,3/-диаллил-4,4/-диоксидифенилпропана общей формулы:
,
где n=70-180.
Изобретение относится к ионогенным полиэлектролитам диаллильной природы. Описан сополимер N,N-диаллиламинобутандиовой кислоты (ДААсК) с винилацетатом (BA) формулы, представленной ниже, где 0.1≤m≤0.9; 0.1≤n≤0.9; z=80-150, в качестве полиэлектролита диаллильной природы.
Изобретение относится к полимерным композиционным материалам, в частности к углепластикам на основе полисульфона, которые применяются в авиа-, вертолето- и автомобилестроении. Задача настоящего изобретения заключается в получении композиционного материала на основе полисульфона, армированного углеродными волокнистыми наполнителями с улучшенной прочностью на сжатие, и разработке способа его получения.
ГАЛОГЕНСОДЕРЖАЩИЕ ПОЛИАРИЛЕНЭФИРКЕТОНЫ // 2536474
Настоящее изобретение относится к полиариленэфиркетонам блочного строения. Описаны полиариленэфиркетоны формулы
,где n=1-20; m=2-50.
ПОЛИ-N, N-ДИАЛЛИЛЛЕЙЦИН // 2529192
Изобретение относится к ионогенному водорастворимому полиэлектролиту - поли-N,N-диаллиллейцину, который может быть использован в качестве флокулянтов, коагулянтов, структураторов почв, пролонгаторов лекарственных средств.
Изобретение относится к технологии полупроводниковых приборов. Способ изготовления изолирующих областей полупроводникового прибора включает формирование внутри p-кармана возле его края сильнолегированной p+ - области имплантацией ионов бора с энергией 100-120 кэВ, концентрацией 1,6·1018 см-3 с последующим отжигом при температуре 400-500°C в течение 30 минут.
