Патенты принадлежащие Институт Прикладной Физики Академии Наук Молдовы (MD)

Изобретение относится к полупроводниковым структурам, используемым для преобразования солнечного излучения в электрическую энергию. Фотовольтаическая однопереходная структура представляет собой двухслойный компонент p-n гетероперехода a-SiC/c-Si.
Наверх