Патенты принадлежащие ФУДЗИКОСИ МЭШИНЕРИ КОРП. (JP)
Изобретение относится к оборудованию для выращивания монокристалла оксида галлия VB-методом. Тигель 10 для выращивания монокристалла оксида галлия содержит верхний участок 18, имеющий толщину, которая меньше толщины нижнего участка 12 тигля 10, причем верхний участок 18 тигля 10 имеет постоянный диаметр, и усиливающий ленточный материал 22, предусмотренный на внешней периферии участка постоянного диаметра тигля, который включает множество ленточных материалов 22a в осевом направлении тигля 10, предусмотренных с равными интервалами в круговом направлении тигля, причем усиливающий ленточный материал 22 включает один или множество ленточных материалов 22b, предусмотренных в форме кольца на внешней периферии участка постоянного диаметра.
Изобретение относится к устройствам для изготовления кристалла оксида галлия, который представляет собой широкозонный полупроводник для силового устройства. Тигель для выращивания кристаллов оксида галлия с применением способа VB, способа НВ или способа VGF в атмосфере воздуха содержит сплав на основе Pt-Ir с содержанием Ir от 20 до 30 мас.%, имеющий теплостойкость, способную выдерживать температуру 1800°С.
Изобретение относится к области электротехники, а именно к устройству для получения кристалла оксида галлия. Получение монокристалла оксида галлия большего размера с повышением качества кристаллической структуры в кристалле (выращенного вертикальным методом Бриджмена) является техническим результатом изобретения, который достигается тем, что устройство содержит тигель для удерживания в нем исходного материала оксида галлия, опору тигля, которая поддерживает тигель снизу, вал опоры тигля, который соединяется с опорой тигля снизу и вертикально подвижным образом поддерживает тигель и опору тигля, трубу сердцевины трубной печи, которая окружает тигель, опору тигля и вал опоры тигля, внутреннюю трубу трубной печи, которая окружает трубу сердцевины печи, и резистивный нагревательный элемент, включающий в себя формирующий тепло участок, размещенный в пространстве между трубой сердцевины печи и внутренней трубой печи, при этом точки плавления трубы сердцевины печи и внутренней трубы печи равны не менее 1900°C, а теплопроводность участка трубы сердцевины печи, расположенного непосредственно рядом с тиглем в его радиальном направлении, выше теплопроводности внутренней трубы печи.
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛУЧЕНИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ // 2749825
Изобретение относится к оборудованию для выращивания монокристаллов. Устройство 10 для получения монокристаллов β-Ga2O3 или LiTaO3 в окислительной атмосфере содержит основание 12, теплостойкий цилиндрический корпус 14 печи, размещенный выше основания 12, крышку 16a, или 16b, или 16c, закрывающую корпус 14 печи, нагреватель 20, размещенный внутри корпуса 14 печи, высокочастотную обмотку 22, нагревающую нагреватель 20 за счет высокочастотного индукционного нагрева, и тигель, нагретый нагревателем 20, причем нагреватель 20 содержит Pt-Rh-сплав, имеющий содержание Rh от 10 до 30 мас.% и имеет покрытие из оксида циркония на всей поверхности нагревателя.
Изобретение относится к технологии получения кристалла оксида галлия, который является широкозонным полупроводником для производства мощных приборов, которые располагают на материале из кристаллического кремния.
УСТРОЙСТВО ДЛЯ ПОЛИРОВКИ ИЗДЕЛИЙ // 2632045
Изобретение относится к области абразивной обработки и может быть использовано для полирования изделий, например подложек. Устройство содержит полировочную пластину, имеющую верхнюю поверхность с полировочной тканью и установленную с возможностью вращения в горизонтальной плоскости.
Изобретение относится к устройству для выращивания монокристаллов сапфира, которые могут быть использованы в качестве подложек для получения светоиспускающих диодов. Устройство 1 содержит тигель 20 с сырьевым материалом, расположенный в цилиндрическом нагревателе 14, размещенном в печи 10 для выращивания, теплозащитный экран 16, охватывающий нагреватель 14, и имеющий множество цилиндрических секций 16a, 16b, 16c, которые располагают вертикально друг над другом, при этом теплозащитный экран 16 дополнительно имеет каркасную секцию 17 для определения радиальных местоположений расположенных друг над другом цилиндрических секций и поддержания веса всех или части цилиндрических секций в вертикальном направлении.
