Патенты принадлежащие Федеральное государственное бюджетное учреждение науки "Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук"(ИПТМ РАН) (RU)
Изобретение относится к области химии и может быть использовано при изготовлении приборов наноэлектроники, оптоэлектроники, сенсоров, фотовольтаики, а также для хранения энергии. На изолирующую подложку осаждают пленку алюминия толщиной 1-100 нм, напыляют на неё пленку переходного металла, например, Fe, Co или Ni, толщиной 0,1-10 нм, отжигают на воздухе при температуре 200-950°С в течение 0,1-10 мин, нагревают до температуры 700-1000°С в реакторе, откачанном до давления 10-4-10-10 Торр.
