Патенты принадлежащие Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И.Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина") (RU)
Изобретение относится к области электронной техники, а именно к способам изготовления гибридных интегральных схем, например генераторного модуля СВЧ-диапазона. Cпособ изготовления гибридной интегральной схемы СВЧ-диапазона включает изготовление отдельных диэлектрических слоев заданной последовательности многослойной печатной платы, с одним сквозным отверстием, изготовление заданного топологического рисунка металлизационного покрытия на лицевой стороне каждого диэлектрического слоя и экранной заземляющей металлизации на обратной стороне, нижнего слоя многослойной печатной платы, формирование сквозного отверстия в многослойной печатной плате посредством расположения отдельных диэлектрических слоев с одновременным совмещением их сквозных отверстий, последующее их соединение, размещение и закрепление навесного компонента на лицевой поверхности верхнего диэлектрического слоя многослойной платы, электрическое соединение, контакта каждого навесного компонента с топологическим рисунком металлизационного покрытия, контроль электрических характеристик гибридной интегральной схемы, совмещение диэлектрических слоев проводят по штифтам и базовым отверстиям, а соединение слоев платы проводят препрегом, при формировании заданного топологического рисунка металлизационного покрытия на верхнем диэлектрическом слое, на его обратной стороне изготавливают экранную заземляющую металлизацию, часть отверстий в многослойной плате выполняют металлизированными, компоненты схемы: коаксиальный диэлектрический резонатор, генераторный и управляющий компоненты, образующие генератор, управляемый напряжением, располагают на лицевой стороне верхнего диэлектрического слоя, при формировании верхнего диэлектрического слоя, под топологическим рисунком металлизации с генераторным, управляющим компонентами и коаксиальным диэлектрическим резонатором, составляющую СВЧ-часть схемы генератора, с обратной стороны верхнего слоя многослойной платы удаляют экранную заземляющую металлизацию, изготавливают диэлектрический резонатор, с выходом коаксиального вывода на торцевой поверхности и металлизацией на боковой поверхности, часть топологического рисунка проводников генератора, управляемого напряжением, имеющего в своем составе емкостные связи, располагают на торцевой поверхности коаксиального диэлектрического резонатора, обращенной к активным генераторному и управляющему компонентам, и электрически соединяют с проводниками топологического рисунка, причем емкостные связи выполняют в виде зазоров, формируют проводники топологического рисунка проводников и соединяемые с ними проводники на торцевой поверхности диэлектрического резонатора таким образом, чтобы они совпадали между собой по месту расположения, причем соединение проводников осуществляют путем присоединения верхних концов соединительных проводников к нижним концам проводников топологического рисунка на торце диэлектрического резонатора, коаксиальный диэлектрический резонатор устанавливают металлизацией боковой поверхности непосредственно на металлизированную площадку, резонатор закрепляют и электрически соединяют с металлизированной площадкой топологического рисунка верхнего слоя многослойной платы; а металлизированную площадку топологического рисунка, с закрепленным диэлектрическим резонатором, соединяют с экранной заземляющей металлизацией обратной стороны нижнего слоя многослойной печатной платы через металлизированные отверстия, многослойную плату устанавливают и закрепляют на дне металлического корпуса с крышкой, а герметизацию корпуса осуществляют присоединением крышки.
СПОСОБ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ИНТЕГРАЛЬНОЙ СХЕМЫ СВЧ // 2557317
Изобретение относится к электронной технике. В способе изготовления интегральной схемы СВЧ, включающем изготовление диэлектрической подложки из алмаза толщиной 100-200 мкм, нанесение на нее металлизационного покрытия, формирование активных и пассивных элементов, элементов линий передачи, выводов, элементов заземления, предварительно изготавливают слой кристаллического полуизолирующего кремния с толщиной 350-500 мкм и предусматривающий обработку его поверхности с лицевой стороны с шероховатостью не ниже 14 класса, а диэлектрическую подложку из алмаза изготавливают на лицевой стороне слоя кристаллического полуизолирующего кремния, далее слой кристаллического полуизолирующего кремния с обратной стороны утоняют, а активные и пассивные элементы, элементы линий передачи и выводы формируют на обратной стороне слоя кристаллического полуизолирующего кремния, в диэлектрической подложке из алмаза и слое кристаллического полуизолирующего кремния со стороны диэлектрической подложки из алмаза изготавливают сквозные отверстия с топологией, обеспечивающей заземление, а далее наносят металлизационное покрытие на диэлектрическую подложку из алмаза и одновременно на стенки упомянутых сквозных отверстий.
