Патенты принадлежащие Общество с ограниченной ответственностью "Си Эн Эл Девайсез" (RU)
Изобретение относится к технологии изготовления интегральных схем. Сущность изобретения заключается в том, что маска из диэлектрика или металла изготавливается до роста алмазной пленки на подложке с ровной поверхностью, обеспечивающей субмикронные размеры маски, с последующим формированием на маске алмазной пленки и вскрытием окна со стороны подложки, что обеспечивает доступ со стороны подложки реагентов для травления алмазной пленки через маску.
