Патенты принадлежащие ИНФИНЕОН ТЕКНОЛОДЖИЗ БИПОЛАР ГМБХ УНД КО. КГ (DE)
В современных видах применения передачи энергии и электрических приводах большой мощности также требуются закорачиваемые индивидуальные последовательно соединенные субмодули в случаях повреждения, для того чтобы обеспечивать дальнейшее функционирование систем.
СИЛОВОЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ МОДУЛЬ С УЛУЧШЕННОЙ СТРУКТУРОЙ КОНТАКТНЫХ СОЕДИНИТЕЛЕЙ ДЛЯ ПРИВАРИВАНИЯ // 2676190
Использование: для изготовления силового полупроводникового модуля. Сущность изобретения заключается в том, что силовой модуль имеет: по меньшей мере одну подложку; по меньшей мере один размещенный на подложке силовой полупроводник, который на своей обращенной от подложки стороне имеет контактную площадку; размещенную на подложке , рядом с силовым полупроводником, при необходимости сегментированную площадку потенциала нагрузки; множество контактных соединителей для параллельного электропроводного соединения контактной площадки с площадкой потенциала нагрузки, причем каждый контактный соединитель имеет по меньшей мере одну первую контактную ножку на площадке потенциала нагрузки и имеет множество вторых контактных ножек на контактной площадке, и причем каждый контактный соединитель имеет на контактной площадке по меньшей мере один конец, причем множество контактных соединителей подразделены по меньшей мере на две группы из множества контактных соединителей с одинаковым числом контактных ножек, и вторые контактные ножки каждого контактного соединителя одной группы размещаются исключительно в одном сегменте или области контактной площадки, заданных участком поверхности контактной площадки, и группы различаются тем, что их первые контактные ножки размещаются на различном, но предпочтительно согласующемся внутри каждой группы расстоянии до силового полупроводника на площадке потенциала нагрузки.
Изобретение относится к дисковой ячейке (1) для прижимного контакта нескольких полупроводниковых элементов при помощи создающих зажимное усилие (F) зажимных средств (4, 13), включающей в себя: корпус (2, 3, 7, 8); по меньшей мере один первый, установленный в корпусе, полупроводниковый элемент (6) первого типа конструкции; по меньшей мере один второй, установленный в корпусе, полупроводниковый элемент (5) второго, отличного от первого, типа конструкции; причем корпус (2, 3, 7, 8) включает в себя по меньшей мере одну, покрывающую первый (6) и второй (5) полупроводниковые элементы, ориентированную по существу под прямым углом к зажимному усилию (F) металлическую прижимную пластину (2) для зажатия первого и второго полупроводникового элемента, причем прижимная пластина (2) выполнена таким образом, что зажимное усилие (F) воздействует на нее с локальным ограничением (9) для зажатия при помощи прижимной пластины (2) первого (6) и второго (5) полупроводникового элемента, причем первый полупроводниковый элемент (6) расположен под локальной областью (9) воздействия зажимного усилия (F), а второй полупроводниковый элемент (5) расположен по меньшей мере частично за пределами локальной области (9) воздействия.
Изобретение относится к полупроводниковым приборам. В полупроводниковом конструктивном элементе, имеющем полупроводниковое тело (21) с первой стороной (22), второй стороной (23) и краем (24), внутреннюю зону (27) с основным легированием первого типа проводимости, расположенную между первой стороной (22) и внутренней зоной (27) первую полупроводниковую зону (61) первого типа проводимости с концентрацией легирования, которая выше концентрации легирования внутренней зоны (27), расположенную между второй стороной (23) и внутренней зоной (27) вторую полупроводниковую зону (29) второго типа проводимости, с концентрацией легирования выше концентрации легирования внутренней зоны (27), по меньшей мере один первый краевой скос, который проходит под первым углом (30) к плоскости прохождения перехода от второй полупроводниковой зоны (29) к внутренней зоне (27) по меньшей мере вдоль края (24) второй полупроводниковой зоны (29) и внутренней зоны (27), второй краевой скос со вторым углом (71), величина которого меньше величины первого угла, который проходит вдоль края (24) первой полупроводниковой зоны (61) или скрытой полупроводниковой зоны (41), при этом по меньшей мере одна скрытая полупроводниковая зона (41) второго типа проводимости с концентрацией легирования, которая выше, чем во внутренней зоне (27), предусмотрена между первой полупроводниковой зоной (61) и внутренней зоной (27) и проходит по существу параллельно первой полупроводниковой зоне (61).
