Патенты принадлежащие Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ) (RU)
Изобретение относится к способу получения тонких пленок, в частности к получению аморфных пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников с эффектом фазовой памяти, и может быть использовано в качестве рабочего слоя в приборах записи информации.
Изобретение относится к устройствам вакуумной СВЧ-электроники и может быть использовано в устройствах коммутации тока, в смесителях и в других приборах и устройствах силового сектора СВЧ-электроники. Автоэмиссионный СВЧ-диод содержит вакуумно-плотный корпус из металлокерамики, источник электронов, анод с винтовым окончанием, штенгель и электрические контакты.
УСТРОЙСТВО ДЛЯ БЕСПРОВОДНОГО ЧРЕСКОЖНОГО ЭНЕРГООБЕСПЕЧЕНИЯ ИМПЛАНТИРУЕМЫХ МЕДИЦИНСКИХ ПРИБОРОВ // 2618204
Изобретение относится к медицинской технике, а именно к средствам энергообеспечения имплантируемых медицинских приборов. Устройство включает передающий модуль с катушкой индуктивности, генерирующей переменное магнитное поле, принимающий модуль с катушкой индуктивности и модуль для определения взаимного положения приемной и передающей катушек индуктивности, который содержит массив емкостных микромеханических ультразвуковых датчиков и находится вне организма человека.
Изобретение относится к устройствам лазерной медицины и может быть использовано для лазерного сваривания рассеченных биологических тканей. В устройстве установлены основной и вспомогательный лазерные излучатели, соединенные оптоволоконным выводом излучения с оптоволоконным смесителем лазерного излучения, и введены модуль лазерного наноприпоя с сосудом, содержащим лазерный наноприпой, измерительный модуль и микроконтроллерный блок, расположенные внутри корпуса устройства, при этом модуль лазерного наноприпоя соединен с местом сваривания биоткани, а измерительный модуль соединен с микроконтроллерным блоком.
Изобретение относится к области биомедицинской техники. Описан способ получения наноструктурированного композиционного электропроводящего покрытия, включающий нанесение ультрадисперсионной суспензии из карбоксиметилцеллюлозы и углеродных нанотрубок на подложку, затем суспензию облучают лазером до полного высыхания в непрерывном режиме длиной волны генерации 0,81-1,06 мкм, интенсивностью облучения 0,1-2 Вт/см2, время облучения 10-100 с, и высохший материал подвергают термообработке путем его отжига в воздухе при температурах 40-150°С в течение 30 мин.
Изобретение относится к области электронной техники и предназначено для использования в разработках и исследованиях конструктивно-технологических методов создания автоэмиссионных сред, в том числе и сред, процесс автоэмиссиии из которых активируется электромагнитным излучением оптического либо радиочастотного диапазонов.
Изобретение относится к термоэлектрическому преобразованию энергии и может быть использовано при производстве термоэлектрических охладителей и генераторов. Сущность: способ получения термоэлектрического элемента включает подготовку верхней и нижней граней ветвей термоэлемента, создание системы контактных слоев между гранями ветвей термоэлемента и коммутирующими шинами.
Изобретение относится к медицинской технике. Устройство электрохимического разложения мочевины содержит корпус с параллельно расположенными электродами, крышку, входной и выходной штуцеры для подачи отработанного диализирующего раствора и выведения очищенного раствора и продуктов разложения соответственно.
Изобретение относится к области оптического приборостроения и касается электронно-оптического преобразователя. Преобразователь включает в себя корпус с вакуумно-плотными входным и выходным окнами, фотокатод на основе алмазной пленки, ускоряющие электроды, волоконно-оптическую пластину, люминесцентный экран и геттер.
Использование: для изготовления многоуровневой системы межсоединений кремниевой интегральной схемы. Сущность изобретения заключается в том, что способ изготовления межсоединений полупроводниковых приборов, включающий формирование частиц нанометрового размера на поверхности, выращивание наноматериала на указанных частицах нанометрового размера, осаждение на подложку проводящего материала, формирование композитного материала из наноматериала и проводящего материала, формирование изолированных друг от друга межсоединений, перед формированием частиц нанометрового размера производится нанесение слоя сплава, который содержит компонент для формирования частиц нанометрового размера, представляющий собой элемент или комбинацию элементов из I и/или VIII группы, и компонент для формирования диффузионно-барьерного слоя, представляющий собой переходный металл или комбинацию переходных металлов из IV-VI групп Периодической таблицы элементов, и термическое воздействие на него.
Использование: для изготовления многоуровневой системы межсоединений кремниевой интегральной схемы. Сущность изобретения заключается в том, что формируют в изолирующем слое кремниевой структуры, в которой выполнены полупроводниковые приборы, углубления под будущие проводники-межсоединения, формируют частицы нанометрового размера, выращивают наноматериал на указанных частицах нанометрового размера, заполняют оставшееся пространства углублений проводящим материалом, формируют композитный материал из наноматериала и проводящего материала, планаризируют поверхности кремниевой структуры, сохраняя нанесенные материалы в углублениях, перед формированием частиц нанометрового размера производится нанесение на дно и стенки углублений слоя сплава, который содержит компонент для формирования частиц нанометрового размера, представляющий собой элемент или комбинацию элементов из I и/или VIII группы, и компонент для формирования диффузионно-барьерного слоя, представляющий собой переходный металл или комбинацию переходных металлов из IV-VI групп Периодической таблицы элементов, и термическое воздействие на него.
Способ фазовой автоподстройки позволяет осуществлять синхронизацию от однофазного исходного сигнала с помехами. Технический результат заключается в улучшении практического быстродействия синхронизации до одного-двух периодов сигнала синхронизируемой частоты, фильтрации помех в формируемых сигналах синхронизированной фазы и частоты.
АВТОЭМИССИОННЫЙ ЭЛЕМЕНТ С КАТОДАМИ НА ОСНОВЕ УГЛЕРОДНЫХ НАНОТРУБОК И СПОСОБ ЕГО ИЗГОТОВЛЕНИЯ // 2590897
Изобретение относится к приборам вакуумной и твердотельной электроники, в частности к автоэмиссионным элементам на основе углеродных нанотрубок (УНТ), используемых в качестве катодов: к диодам, к триодам и к устройствам на их основе.
Изобретение относится к измерительной технике и может быть использовано для прецизионного измерения давления на основе тензомостового интегрального преобразователя давления в широком диапазоне рабочих температур.
Использование: для изготовления полевых эмиссионных элементов на основе углеродных нанотрубок. Сущность изобретения заключается в том, что прибор на основе углеродосодержащих холодных катодов, содержит полупроводниковую подложку, на поверхности которой сформирован изолирующий слой, катодный узел, расположенный над изолирующим слоем, состоит из токоведущего слоя катодного узла, каталитического слоя и массива углеродных нанотрубок (УНТ), расположенных на поверхности каталитического слоя перпендикулярно его поверхности, опорно-фокусирующую система, состоящая из первого диэлектрического, затворного электропроводящего и второго диэлектрического слоев, содержит сквозную полость, анодный токоведущий слой, расположенный на внешней поверхности второго диэлектрического слоя опорно-фокусирующей системы, в котором сформированы сквозные технологические отверстия, катодный узел дополнительно содержит слой проводящего материала, который расположен в сквозной полости на боковой поверхности первого диэлектрического слоя опорно-фокусирующей системы, высота углеродных нанотрубок одинакова по всей площади массива, на поверхности массива углеродных нанотрубок расположен слой интеркалированного материала, а токоведущий слой катодного узла и слой проводящего материала катодного узла обладают адгезионными свойствами.
СПОСОБ ГАЗОФАЗНОЙ КАРБИДИЗАЦИИ ПОВЕРХНОСТИ МОНОКРИСТАЛЛИЧЕСКОГО КРЕМНИЯ ОРИЕНТАЦИИ (111), (100) // 2578104
Изобретение относится к технологии получения тонких пленок полупроводниковых материалов и может быть использовано при создании полупроводниковых приборов, на основе гетеропереходов. Изобретение позволяет упростить технологию получения тонких пленок поликристаллического карбида кремния на монокристаллическом кремнии путем газофазной карбидизации монокристаллического кремния, улучшить качество пленок за счет высокой адгезии и малого рассогласования кристаллических решеток.
ФОТОКАТОД // 2569917
Использование конструкции согласно изобретению - это фотокатодные узлы вакуумных высокочувствительных, термо- и радиационно-стойких приемников излучений и приемников изображений для спектрального диапазона 0,19-1,0 мкм.
Изобретение относится к области измерительной техники и касается линейного микроакселерометра с оптической системой. Микроакселерометр включает в себя корпус, две инерционные массы на упругих подвесах, два датчика положения, два компенсационных преобразователя.
